초고온 HT‑RNVM 특허용 통합 백서1. 서론본 백서는 250–350°C 초고온 환경에서 동작 가능한 HT‑RNVM 기술을 위해 신규 trap‑engineered 재료 ... 은 초고온 산화 스트레스에서도 trap escape가 급격히 증가하지 않는다.6. HT‑RNVM 셀 구조 (1T1C / 1T3C)1T1C 구조는 기본 HT‑RNVM 셀이며, 트랩 ... ·MRAM은 150°C 이상에서 retention이 급격히 악화되며, 지배적인 열 활성화 누설(TAT, PF conduction) 때문에 초고온 환경에서는 장기 데이터 유지를 보장할 수
1. 서론본 백서는 250–350°C 초고온 환경에서 동작 가능한 HT‑RNVM 기술을 위해 신규 trap‑engineered 재료 (SiAlBN, SiBCN, SiYBN ... 에서 retention이 급격히 악화되며, 지배적인 열 활성화 누설(TAT, PF conduction) 때문에 초고온 환경에서는 장기 데이터 유지를 보장할 수 없다. ... , CAlBN, SiCAlN)를 중심으로 재료·공정·소자·회로·신뢰성 전반의 기술을 명확히 정리한 문서이다.기존 charge‑trap 재료의 고온 retention 붕괴 문제를 극복하기