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EasyAI “트랜스 컨덕턴스” 관련 자료
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"트랜스 컨덕턴스" 검색결과 1-20 / 255건

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    전압 차동 트랜스컨덕턴스 증폭기를 사용한 새로운 플로팅 인덕터 (A New Floating Inductor Using A Voltage Differencing Transconductance Amplifier)
    In this paper a new method is proposed for realizing active floating inductors from voltage differencing transconductance amplifier(VDTA) which is bei..
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.16 | 수정일 2025.06.17
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    입력 전압 크기와 무관한 일정 트랜스컨덕턴스 구현을 위한 폴디드 캐스코드 연산 증폭기 설계 (Folded Cascode OP Amp Design for Constant Transconductance Independent of Input Voltage Magnitude)
    레일 투 레일 구조는 NMOS와 PMOS를 같이 사용하여 입력 범위를 VSS부터 VDD까지 전 범위로 확장시켰다. 하지만 두 트랜지스터의 동작이 겹치게 되면서 트랜스컨덕턴스 ... 의 변화를 야기하였다. 트랜스컨덕턴스가 일정하지 않다는 것은 전 범위를 입력으로 사용하는 레일 투 레일 구조에서 비선형 왜곡 문제를 초래하게 되고 주파수 보상을 방해하여 안정성에 문제 ... 를 일으킨다. 본 논문에서는 전류 미러 구조를 응용하여 트랜스컨덕턴스 변화량을 획기적으로 낮추는 방법을 제안하였다. 제안한 회로는 TSMC 0.18m CMOS 공정을 사용하여 구현
    논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.18 | 수정일 2025.07.21
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    2단계 자동 트랜스컨덕턴스 조절 기능을 가진 저전력, 광대역 전압제어 발진기의 설계 (A Low Power, Wide Tuning Range VCO with Two-Step Negative-Gm Calibration Loop)
    이 글은 공정, 전압, 온도 변화를 극복하기 위한 2단계 자동 트랜스컨덕턴스 조절 기능을 가진 저전력, 광대역 전압제어발진기의 설계에 관한 논문이다. 광대역에서 전압제어발진기 ... 를 발진시키기 위해, 디지털 자동 트랜스컨덕턴스 조절 루프와 아날로그 자동 진폭조절 루프가 사용되었다. 전압제어발진기의 출력 스윙 크기에 따라 트랜지스터의 바디전압을 조절하는 기능
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.10 | 수정일 2025.06.16
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    수동 소자를 사용하지 않는 가변 이득 증폭기 설계 (Design of Variable Gain Amplifier without Passive Devices)
    증폭기 구조를 이용하고, 이득은 입력단과 귀환부의 트랜스컨덕턴스(GM) 비로 얻어진다. 선형성과 높은 이득을 얻기 위하여 귀환 트랜스컨덕턴스에 전류 분할 기법과 소스 축퇴 ... (degeneration) 기법을 사용하였다. 이득의 변화는 가변 정류기로 입력 트랜스컨덕턴스의 바이어스 전류를 변화시켜 얻을 수 있다. 이 VGA는 0.35µm CMOS공정을 사용
    논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.04 | 수정일 2025.06.09
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    20. 공통 소스 트랜지스터 증폭기
    , 출력 임피던스 세 가지 중 트랜스 컨덕턴스 값에 영향을 받는 것은 무엇인가?이 모의실험의 첫 번째 회로에서 저항 RD를 4kΩ로 바꾸고 20ms동안 시간영역 해석을 수행 ... 한다. 출력 임피던스를 구한다.컴퓨터 실습바이어스 동작점 분석을 수행하고 이 회로의 직류 전압과 전류를 얻는다.PSpice 분석 결과를 실험으로 얻은 값과 비교한다.JFET의 트랜스 ... 컨덕턴스 을 계산한다.전압 이득의 이론값을 계산한다.20ms동안 시간 영역 해석을 수행한다.RMS(V(OUT))//RMS(V(SIGNAL))의 비를 구한다.RMS(V(SIGNAL
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.14
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    전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서
    과 같이 근사화할 수 있다. 즉 선형적이라고 볼 수 있고, 이때의 기울기는 MOSFET의 트랜스컨덕턴스(g _{m})에 해당된다.V _{GS} =V _{GS} +v _{gs} (11 ... _{gs}} = sqrt {2 mu _{n} C _{ox} LEFT ( {W} over {L} RIGHT ) I _{D}} (11.13)즉V _{OV}가 일정할 때, 트랜스컨덕턴스는 W ... /L과V _{OV}의 제곱근에 비례한다.MOSFET 전류식으로부터 트랜스컨덕턴스는 식 (11.14)의 형태로도 표현할 수 있다.g _{m} = mu _{n} C _{ox} LEFT
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.04.09 | 수정일 2024.11.15
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    전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 6 공통 이미터 증폭기)
    하는 경우 BJT의 트랜스컨덕턴스 g _{m} 값, 입력 저항 r _{pi }， 이미터 저항 r _{e}, 전류 증폭도 beta 를 구하여 [표 6-3]에 기록하시오. 이를 이용 ... 어, 작은 신호에 대해 BJT가 어떻게 작동하는지를 설명한다. 소신호 모델을 사용하면, BJT가 입력 전압의 작은 변화에 어떻게 반응하는지 계산할 수 있다. 1. 트랜스컨덕턴스 g_m ... 와 컬렉터 전류 여기서 I_C는 직류 컬렉터 전류이며, V_T는 열전압이다. 이 식에서 알 수 있듯이, 트랜스컨덕턴스 g_m은 컬렉터 전류 I_C에 직접 비례한다. 즉, 컬렉터
    리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.12.19
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    실험11_전자회로실험_예비보고서_공통소오스증폭기
    다. 이때 기울기는 MOSFET의 트랜스컨덕턴스)에 해당된다.식을 정리하면이고 이 일정할 때, 트랜스 컨덕턴스는 에 비례하고 에는 반비례한다.채널 길이 변조 효과에서 MOSFET 양단 ... 으로 변화시키면서 의 DC 전압을 측정하여 아래의 표에 기록하고, 입력-출력() 전달 특성 곡선을 아래의 그림에 그리시오.포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 ... 컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 공통 소오스 증폭기의 이론적인 전압 이득을 구하시오.전압 이득이 최소 10V
    리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09
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    공통 소오스 증폭기
    _{n} C _{ox} {W} over {L} (V _{GS} -V _{th} )v _{gs} (9.10)트랜스컨덕턴스g _{m}를 계산하면 식 (9.11)과 같다.g _{m ... } over {L} V _{OV} (9.11)즉 전류가 일정할 때, 트랜스컨덕턴스는 W/L과V _{OV}에 비례함을 알 수 있다.MOSFET 전류 식으로부터 식 (9.12)의 관계를 구할 ... }} (9.13)즉V _{OV}가 일정할 때, 트랜스컨덕턴스는 W/L과V _{OV}의 제곱근에 비례한다.MOSFET 전류식으로부터 트랜스컨덕턴스는 식 (9.14)의 형태로도 표현할 수
    리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.10.01
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    [전자공학응용실험] 차동 증폭기 기초 실험 예비레포트
    를 식으로 표현하면 다음과 같다.이 때 Vov를 증가시키면 이러한 선형 동작의 범위를 증가시킬 수 있지만, 트랜스컨덕턴스가 감소하는 문제가 생길 수 있다. 위에서 구해진 선형 동작 ... 의 범위에 있을 때 트랜스컨덕턴스는 일정하다.이 회로의 전압이득을 구하면 다음과 같다.P 지점에서의 전압은 소신호 동작에서는 고정된 값이기에 GND로 볼 수 있다. 이를 통해 소 ... 다.이 전류의 값이 4.69mA여야 하므로 R은 약 830옴에 가까운 값이다.Current Mirror의 입력 임피던스는 트랜스컨덕턴스의 역수이므로 이를 구하면 다음과 같다.(3
    리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.12.19
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    실험15_전자회로실험_예비보고서_다단 증폭기
    하는지 확인하시오.포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 ... 영역에서 회로가 동작하는 경우 의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 구하시
    리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09
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    전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 7 이미터 팔로워)
    의 트랜스컨덕턴스g _{m} 값, 입력 저항r _{pi }, 이미터 저항r _{e}, 전류 증폭도beta 를 구하여 [표 7-3]에 기록하시오. 이를 이용하여 실험회로 1의 소신호 등 ... 하고, 트랜스컨덕턴스(gm), 입력 저항(rπ), 이미터 저항(re), 전류 증폭도(β)를 구한 후 소신호 등가회로를 그려 전압 이득까지 계산하였다.이미터 팔로워는 전압 이득이 1 ... 있음을 알 수 있었다. 실험을 통해 전류 증폭도(β)의 변화가 트랜스컨덕턴스와 저항 값에 미치는 영향도 직접 확인할 수 있었으며, 이는 회로 설계 시 중요한 고려 사항이다.4
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.12.19
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    전자회로실험 - 결과보고서 - 공통이미터 증폭기
    .3673 Act 6V 4.3508 Act [표 6-2] [그림 6-12] (3) 능동 영역에서 회로가 동작하는 경우 BJT의 트랜스컨덕턴스 값, 입력 저항 , 이미터 저항 , 전류 ... 트랜스컨덕턴스() 3 1.15 260.2 261.73 10.408 226.26 0.9941 21.73913 21.74 0.492 6 2.6187 341.12 342.52 13
    리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2025.03.20
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    실험 06_공통 이미터 증폭기 예비 보고서
    _{c}는 식 (6.3)과 같이 표현할 수 있다.식 (6.3) 에서g _{m}을 트랜스컨덕턴스(transconductance)라고 하며, 식 (6.4)와 같이 정의된다.［그림 6-2 ... ］는 BJT의pi -모델이다. [그림 6-2(a)]는 트랜스컨덕턴스 증폭기의 형태로 나타낸 모델이고, [그림 6-2(b)]는 전류 증폭기의 형태로 나타낸 모델이다.[그림 6-2 ... ] BJT의 -모델[그림 6-3]은 BJT의 T-모델이다. [그림 6-3(a)]는 트랜스컨덕턴스 증폭기의 형태로 나타낸 모델이고, [그림 6-3(b)]는 전류 증폭기의 형태로 나타낸
    리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25
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    전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 결과보고서
    가 동작하는 경우 M1, M2, M3의 트랜스컨덕턴스 gm값, 출력 저항 ro를 구하여 [표 15-11]에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 2의 이론 ... 적인 전압 이득을 구하시오.[표 15-11] 실험회로 2의 소신호 파라미터M1의 동작 영역M1의 ID 전류M1의 트랜스컨덕턴스(gm)M1의 ro포화0.495m0.89310kM2 ... 의 동작 영역M2의 ID 전류M2의 트랜스컨덕턴스(gm)M2의 ro포화0.495m0.89310kM3의 동작 영역M3의 ID 전류M3의 트랜스컨덕턴스(gm)M3의 ro포화4.1535.70
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.05.13 | 수정일 2024.11.15
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    전자회로실험) ch.14 캐스코드증폭기 예비보고서
    은 아래의 식과 같이 구할 수 있다.위 식에서 Gm은 유효트랜스컨덕턴스 (effective transconductance)이고, [그림 14-3]과 같이 출력을 접지시켰을 때, 증폭 ... 기 출력 전류와 입력 전압의 비로 정의된다. 전압이득이 크려면 트랜스컨덕턴스가 커야 하지만, 트랜스컨덕턴스는 트랜지스터의 (W/L) 또는 전류에 비례하므로 증가시키는 데는 한계 ... 곡선을 [그림 11-13]에 그리시오.(3) 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1, M2의 트랜스컨덕턴스 gm값, 출력 저항 ro를 구하여 [표 14-3]에 기록하시오. 이
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.10.26
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  • 판매자 표지 자료 표지
    실험 11_공통 소오스 증폭기 예비 보고서
    , 트랜스컨덕턴스는 W/L과V _{OV}의 제곱근에 비례한다.MOSFET 전류식으로부터 트랜스컨덕턴스는 식 (11.14)의 형태로도 표현할 수 있다.즉 W/L이 일정할 때, 트랜스 ... 곡선(PSpice)[그림 11-9] 실험회로 1의 입력-출력 전달 특성 곡선실험절차 3을 위한 회로도3. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스컨덕턴스g _{m ... 로 구하였다. 차단 역역은I _{D}=0이기 때문에 값이 없다.[표 11-3] 실험회로 1의 소신호 파라미터동작 영역I _{G} 전류I _{D} 전류I _{S} 전류트랜스컨덕턴스(g
    리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25
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    전자공학응용실험 - 공통소스 증폭기 예비레포트
    적이라고 볼 수 있고, 이때의 기울기는 MOSFET의 트랜스컨덕턴스(gm)에 해당된다.식 (11.7)에서 (11.8)과 같은 조건이 만족되면, 식 (11.9), (11.10)이 성립 ... 한다.트랜스컨덕턴스(gm)을 계산하면 식 (11.11)과 같다.즉, 전류가 일정할 때, 트랜스컨덕턴스는 W/L과 Vov에 비례함을 알 수 있다. MOSFET 전류 식으로부터 식 ... 을 [그림 11-9]에 그리시오.(3) 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스컨덕턴스 gm값, 출력 저항 ro를 구하여 [표 11-3]에 기록하시오. 이를 이용
    리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.12.20
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    전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)
    ] PSpice[그림 11-9] PSpice3. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스컨덕턴스g _{m}값, 출력 저항r _{o}를 구하여 [표 11-3]에 기록하시오. 이 ... MOSFET의 비선형적인 특성을 선형 소자로 치환한다. 주로 게이트-소스 전압 V_gs와 드레인 전류 I_D 사이의 관계를 기반으로 동작한다. 주요 소자는 다음과 같다.1. 트랜스컨덕턴스 ... MOSFET의 포화 영역에서 드레인 전류 I_D는 다음과 같이 주어진다:트랜스컨덕턴스 g_m은 드레인 전류 I_D가 게이트-소스 전압 V_GS에 어떻게 반응하는지를 나타내므로, I_D를 V_GS에 대해 미분하면 g_m을 얻을 수 있다
    리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.12.19
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    전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)
    이득: - 전압 이득 A_v 는 대략적으로 g_m * R_D로 나타낼 수 있다. 여기서 g_m 은 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, R_D는 드레인 저항이다. - 공통 게이트 증폭기 ... ] PSpice 3. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스컨덕턴스 g _{m} 값, 출력 저항 r _{o}를 구하여 [표 13-3]에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.12.19
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2025년 07월 22일 화요일
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