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그래핀 그래핀 특성 EPI LPE 반도체 소자 레포트 vpe epitaxial growth ppt

EasyAI “에피택시” 관련 자료

+에피택시등록일 2008.05.24 | 총 2,821자 | 4페이지 | 1,000원
+CMOS 제조 공정 실험 레포트(예비..등록일 2021.11.08 | 총 3,474자 | 6페이지 | 2,500원

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"에피택시" 검색결과 1-20 / 163건

광 CT용 자성 가넷 막의 에피택시 육성 및 평가 (Epitaxial Growth and Evaluation of Magnetic Garnet Films for Optical Current Transducers)

한국자기학회 조재경

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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이온층 에피택시법을 이용한 ZnO/Zn(OH)2 나노시트의 합성 (Synthesis of ZnO/Zn(OH)2 Nanosheets Using Ionic Layer Epitaxy)

ZnO nanosheets have been used for many devices and antibacterial materials with wide bandgap and high crystallinity. Among the many methods for synthe..

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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열처리온도가 고상에피택시 YIG 박막의 특성에 미치는 영향 (Effects of Annealing Temperature on the Properties of Solid Phase Epitaxy YIG Films)

의 우수한 에피택시성장을 확인하였다. 열처리온도가 높을 경우 격자상수가 작아지면서 YIG(888)면의 회절선이 강해지고 좁아져서 높은 온도가 YIG박막의 고상에피택시성장에 유리

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.11 | 수정일 2025.06.16

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HF 크리닝 처리한 코발트실리사이드 버퍼층 위에 PA-MBE로 성장시킨 GaN의 에피택시 (GaN Epitaxy with PA-MBE on HF Cleaned Cobalt-silicide Buffer Layer)

탐침현미경, TEM, HR-XRD를 활용하여 특성을 확인하였다. HF 크리닝을 하지 않은 경우에는 GaN 에피택시 성장이 진행되지 않았다. HF 크리닝을 실시한 경우에는 실리사이드 ... 표면의 국부적인 에칭에 의해 GaN성장이 유리하여 모두 GaN 4㎛ 정도의 두께를 가진 에피택시 성장이 진행되었다. XRD로 GaN의 방향의 결정성 (c

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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대면적 2차원 나노소재 위에 이종에피택시로 제작된 반도체 구조물 및 이의 광전소자 응용 (Heteroepitaxially grown semiconductors on large-scale 2D nanomaterials for optoelectronics devices)

한국세라믹학회 오홍석

논문 | 15페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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분자선에피택시에 의해 성장한 ZnO 나노결정 박막에 완충층 두께와활성층 성장 온도가 미치는 효과 (Effects of Buffer-layer Thickness and Active-layer Growth Temperature on ZnO Nanocrystalline Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy)

ZnO thin films were deposited on a Si (100) substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy(PA-MBE). Growth of ZnO thin films on a Si substrate is..

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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분자선 에피택시를 이용하여 GaN 나노로드를 성장시 구조 및 광학적인 특성에 미치는 N2의 양의 효과 (Effect of N2 flow rate on growth and photoluminescence properties of GaN nanorods grown by using molecular beam epitaxy)

rf 플라즈마 소스가 장착된 분자선 에피택시 장비를 이용하여 Si(111) 기판위에 GaN 나노로드를 성장할 때, N2의 흐름양을 조절하여 나노로드의 구조 및 광학적인 특성

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.07 | 수정일 2025.06.10

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액상에피택시 방법에 의한 InP기판상의 GaAs 이종접합 박막 성장

한국재료학회 김동근, 이형종, 임기영, 장성주, 장성주, 김종빈, 이병택

논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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분자선에피택시성장법으로 성장한 AlAS/GaAs 에피택셜층의 특성

한국재료학회 노동완, 김경옥, 이해권

논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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저온 분자선 에피택시법을 이용한 GaMnAs 자성반도체 성장 및 특성 연구

한국재료학회 박진범, 고동완, 박용주, 오형택, 신춘교, 김영미, 박일우, 변동진, 이정일

논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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에피택시

◘ 에피택시 (Epitaxi)에피택시는 그리스 문자 epi(위에)와 taxis(배열)의 합성어로서 결정구조를 갖는 물질(기판)위에 기판과 같거나 또는 다른 결정 구조를 갖는 물질 ... 을 성장시키는 기술을 뜻한다.에피탁시는 방법에 따라 크게 세 가지로 분류되는데, 액상 에피택시(liquid phase epitaxy, LPE), 기상 에피택시(vapor phase ... epitaxy, VPE), 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)등이 있으며, 최근에는 서로 결합된 방법도 많이 사용된다.1.LPE (Liquid

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.24

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고상 에피택시에 의한 초박막 CoSi2 형성과 Si/epi-CoSi2/Si(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장

한국재료학회 최치규, 강민성, 문종, 현동걸, 김건호, 이정용

논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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[공학]에피택셜 성장 epitaxial growth 에피택시

Epitaxial Growth신소재공학과차례1. 에피택시란 ??? 2. 액상 에피택시(LED: Liquid-Phase Epitaxy) 3. 기상 에피택시(VPE : Vapor ... Phase Epitaxy) 4. 분자빔 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy)Epitaxy -정의웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 단결정 막을 기르는 기술 에피택 ... 셜 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)라 함 ( 소자에의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 단결정으로 이루어진 웨이퍼 상에 얇은 박막결정을 성장

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.20

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분자빔 에피택시, MBE 장비에 대한 발표자료 ppt파일

분자선 에피탁시 (molecular beam epitaxy, MBE)개요에피탁시(Epitaxy) 란 무엇인가?MBE (Molecular Beam Epitaxy) 란 무엇인가?MBE 의 system, 원리MBE의 박막응용결론에피탁시는 그리스 문자 epi(위에)와 taxi..

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.24

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반도체공정정비요약

웨이퍼 에피택시얼 공정 기판 위에 기판과 동일한 결정 구조의 단결정 층 성장. 전기적인 영향을 주는 불순물이 최소화된 고순도의 단결정층을 얻음.실리콘 에피택시얼 층은 사염화 실리콘

시험자료 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.07.16

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Indium Interruption Growth법으로 성장한 InAs 양자점의 광학적 특성 (Optical Properties of InAs Quantum Dots Grown by Using Indium Interruption Growth Technique)

분자선 에피택시 (molecular beam epitaxy: MBE)를 이용하여 GaAs (100) 기판에 Indium interruption growth법으로 성장한 InAs

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.27 | 수정일 2025.07.04

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판매자 표지

이화여자대학교 일반대학원 과학교육과 학업계획서

에 진학한 다음에 ZnS 에피층의 공명 라만 산란, 재료 화학 및 물리학 연구, 초융합, 초연결, 초지능의 개념을 통해 살펴본 4차 산업혁명 시대의 물리교육, 핫월 에피택시로 성장 ... 한 h4e ZnSe/GaAs 헤테로에피택시층의 광학적 특성 연구, 3D프린터를 활용한 물리교육 실험 도구 제작에 관한 연구, 구형 대칭 트래핑 지평선, Misner-Sharp 질량

자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.07.08

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판매자 표지

포항공과대학교(포스텍) POSTECH 일반대학원 반도체공학과 연구계획서

유도 링크를 통한 능동형 후방 원격 측정 및 전력 전송에 대한 타당성 연구, 다결정 실리콘 에피택시를 위한 실리콘 표면의 실란 흡착에 대한 표면 할로겐화의 영향 연구, 다결정 ... 용 스위치드 커패시터를 갖춘 10비트 디지털-아날로그 변환기 연구, Van Der Waals 에피택시 성장 HfS2/MoS2 수직 이종접합에서 층간 여기자에 의해 구동되는 고성능 적외선

자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.10.09

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CMOS 제조 공정 실험 레포트(예비,결과)

에 노출시켜 치밀한 구조를 갖도록 하는 방법이다. 주로 건식 산화 방법이 쓰이며 산화막을 형성시켜 절연체의 역할과 선택적으로 확산을 시켜주는 역할을 한다. [1]다음은 에피택시 ... 공정으로 Si Wafer 상에 순도가 높은 새로운 epi-layer을 생성하는 단계이다. 불순물의 혼입이 적으며 결정의 완성도가 우수하게 만들어준다. 에피택시 방법에는 VPE ... , GPE, MBE 방식이 있으며, 주로 MBE(분자빔 에피택시)가 쓰인다.생성된 산화막 위에 절연층을 생성하고 보호막 작용을 하는 박막을 형성시켜야 하는데, 증착(Deposition

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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AlAsxSb1-x 단계 성분 변화 완충층을 이용한 Si (100)기판 상 Al0.3Ga0.7As/GaAs 다중 양자 우물 형성 (Formation of Al0.3Ga0.7As/GaAs Multiple Quantum Wells on Silicon Substrate with AlAsxSb1-x Step-graded Buffer)

실리콘(Silicon, Si) 기판과 Al0.3Ga0.7As/GaAs 다중 양자 우물(multiple quantum wells, MQWs) 간의 격자 부정합 해소를 위해 AlAsxSb1-x 층이 단계 성분 변화 완충층(step-graded buffer, SGB)으로 이..

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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