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EasyAI “비정질실리콘 층” 관련 자료
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"비정질실리콘 층" 검색결과 1-20 / 225건

  • 10 nm-Ni 과 비정질 실리콘으로 제조된 저온공정 나노급 니켈실리사이드의 물성 변화 (Property of Nickel Silicides with 10 nm-thick Ni/Amorphous Silicon Layers using Low Temperature Process)
    60 nm- and 20 nm-thick hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) layers were deposited on 200 nmSiO2 ... hape and no residual silicon. SPManalysis shows that the surface roughness was < 1.8 nm regardless of ... nm-thick hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) layers were deposited on 200 nm SiO2/Si substrates
    논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19
  • 판매자 표지 자료 표지
    고려대학교 일반대학원 신소재공학부 연구계획서
    표면 전처리를 통한 19.2% 효율의 다결정 실리콘 태양 전지 연구, 기본 표면 비정질 의 결정화를 통한 다이아몬드 와이어 절단 다결정 실리콘 웨이퍼의 효과적인 표면 텍스처 ... 연구계획서저는 고려대학교 일반대학원 신소재공학부 OOO 교수님의 OOOOOO OOOO 랩에 들어가서 리리치 적 음극재의 레독스 진화 연구, 결정질 실리콘 태양전지용 구리계 전면 ... 접점 페이스트 적용 및 접점 형성 메커니즘 규명 연구, 고효율 양면 보호막 접촉 실리콘 태양전지용 스핀온 도핑을 이용한 붕소 도핑 폴리실리콘 연구, 4단자 탠덤 적용을 위해 잘
    자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.05
  • 판매자 표지 자료 표지
    LG디스플레이 (공정장비)준비 자료 및 면접복기 2022.VER
    에 대해 설명해달라. + 원리도 설명해달라a?Si(아몰퍼스 실리콘) TFT는 비정질 실리콘으로 만들어져 공정도 간단하고 수율도 높습니다. 무질서하게 배열된 실리콘 때문에 전자 이동속도 ... 결정화 공정을 사용하지 않아, 결정화 공정에 따른 크기 제약이 없고, 비정질이기에 균일성이 우수해 대형 사이즈 디스플레이에 적합하기 때문에 대형 OLED부문에 집중한 LG만이 구현 ... 의 을 포토리소그래피 공정으로 증착하게 됩니다. 이후 봉지 공정을 진행하는데, 빛을 내는 유기물과 전극은 수분과 산소에 매우 민감하기 때문에 OLED 패널의 수명을 위해 봉지
    자기소개서 | 23페이지 | 9,900원 | 등록일 2022.08.30 | 수정일 2022.09.01
  • 인하대 공업화학실험 DSSC A+ 예비보고서
    로 분류하는 경우결정질과 비정질로 나뉘어진다. 결정질에는 다결정과 단결정 방식이 있다. 단결정은 검정색이 나타나며 효율이 높고 비싼 특징을 가지고 있고 제조공정이 까다롭다. 다결정 ... 은 파란색을 나타내며 효율이 낮고 싼 특징이 있다. 비정질의 특징은 도포가 가능하며 에너지가 적게 들며 가격이 싸다. 사막 같은 온도가 높은 지방에서 효율적으로 사용할 수 있 ... 다.또한 태양전지의 원료는 태양의 빛으로 수명이 굉장히 짧다.태양전지를 분류하는 방법으로는 재료로 분류하거나 구조로 분류하는 방법이 있다.① 재료로 분류하는 경우실리콘 계열과 화합물
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.27
  • TFT 산화물의 구조와 원리
    또는 PI기판 위에 전류가 흐를 수 있는 활성 인 poly-silicon을 형성하고 그 활성을 구동하기 위한 전극인 게이트, 소스, 드레인을 형성한다. 전류의 흐름을 결정 ... 활성에 α(armorphous)비 정질 물질을 사용하면 α-Si TFT, 산화물을 이용하면 oxide TFT이다.TFT의 제조공정을 순서대로 나열하자면 아래와 같다.1. 게이트
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.14
  • Thermal Process, 열공정, 반도체 공정 정리 레포트
    수적이다. 게이트 산화물의 결함, 불순물 또는 입자 오염은 소자 성능에 영향을 미치고 칩 수율을 현저히 감소시킬 수 있다.2-2 Preoxidation cleaning비정질 ... SiO2의 결정화는 상온에서 수백만 년이 걸리기 때문에 IC 칩의 비정질 이산화규소는 수명에 매우 안정적이다. 그러나, 결정화 공정은 SiO2 성장 동안에 요구되는 고온에서 극 ... 를MOS IC 칩에 에피택셜 실리콘 이 필요하다.실리콘-에피택셜 성장 공정에서 가장 많이 사용되는 소스 가스는 실란(SiH4), 디클로라이드 실란(DCS, SiH2Cl2), 트리
    리포트 | 25페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.02.09
  • 면접대비 페로브스카이트 태양전지 이론 정리
    에서 성능이 유지되는 안정성 확보가 필요하다.? 높은 결정성을 갖는 페로브스카이트 물질은 용액공정을 통하여 박막으로 만들 때, 박막 내부 및 표면에 이온 결함 및 결정화되지 못한 비정질 ... 게 된다.? 페로브스카이트 물질의 높은 흡광계수 및 우수한 전하 전달 특성을 고려하였을 때, 추가적인 광전변환효율 개선이 가능할 것으로 예상되고 페로브스카이트 자체의 결정성 개선 ... 과 함께 홀 전도체 및 전자 전달 과의 계면 개선이 동반될 경우 광전변환효율 개선이 충분히 가능할 것으로 보인다. 마지막으로 상업화의 측면에서, 효과적인 수분 방지막을 개발할 경우
    자기소개서 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.04.08
  • 고상 결정화법을 위한 새로운 공정조건으로 제작된 다결정 Si 박막의 태양전지 특성 평가 (Evaluation of Solar Cell Properties of Poly-Si Thin Film Fabricated with Novel Process Conditions for Solid Phase Crystallization)
    정질 실리콘(a-Si)을 증착한 후에 이를 열처리하여 결정질 실리콘을 얻는 방법은 실리콘 박막을 이용한 태양전지 제조 공정에서 일반적으로 이용되는 기술 중의 하나이다. 1.8 ... ㎛ 두께의 비정질 실리콘 박막을 100 nm 두께의 Si3N4가 코팅된 3.3 mm 두께의 평판 유리 기판 위에 PECVD 공정을 이용하여 증착하였다. 본 실험의 최종 적구조 ... 반도체 형성을 위한 도핑에는 붕소 및 인을 사용하였는데, 실리콘 박막 증착 중에 동시에 첨가되었다. 비정질 실리콘 박막 증착 후, 결정화를 위한 주 열처리 공정 전에 핵생성을 위하
    논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.16 | 수정일 2025.06.17
  • 판매자 표지 자료 표지
    신소재프로젝트3 광전자 A+ 예비레포트
    루 라이드 카드뮴 (CdTe), 구리 인듐 갈륨 디스 셀레 나이드 (CIGS) 및 비정질 박막 실리콘 (a-Si, TF-Si), 염료 감응형 태양 전지(DSSC: dye s ... REPORTⅠ. 박막 태양전지(구조, 각 의 역할)박막 태양 전지는 실리콘 웨이퍼 대신 값싼 유리, 플라스틱 또는 금속과 같은 기판 상에 하나 이상의 얇은 또는 광전지 물질 ... 발달로 셀과 모듈을 일관 공정으로 처리하여 저가격화가 유리하다. 박막 태양 전지는 값싼 유리/금속 기판을 소재로 사용하여 1세대 실리콘 태양 전지에 견주어 단가는 낮지만 에너지
    리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.10.07
  • 나노구조체의 새로운 합성법과 기존 VLS합성법의 현재개발동향
    및 개발에 기여할 것이라고 예상된다.Ⅳ. 참고문헌- 김기출 외 1명, “Pt 촉매 박막을 이용한 비정질 SiOx 나노기둥의 수직성장”, 목원대학교 신소재화학공학과, 2018, P ... 용액을 활용하는 액상-고상성장방법3) 응력 유도 재결정화방법주형 기반 합성대부분 다결정 혹은 무정질의 나노 구조체를 합성할 때 쓰임1) 전기 도금 및 전기 영동 증착2) 콜로이드 ... 레포트에서 좀 더 자세히 다룰 VLS 성장방법은 1964년 Wagner가 실리콘 휘스커의 끝 부분에서 나선전위가 아닌 구 형태의 금속이 발견되는 것을 설명하기 위해 제시
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.06.16
  • 반도체 사업
    적으로는 불규칙적일 때에는 다결정질 실리콘으로 불린다. 비정질 실리콘은 TV에 주로 사용되는 대형 LCD 디스플레이 패널에 사용되어 디스플레이 산업에 매우 중요하며, 다결정질 실리콘 ... 은 카메라 등에 사용되는 소형 LCD 디스플레이 패널 혹은 태양전지 등에 사용되고 있고, 결정질 실리콘은 메모리, 비메모리 등의 반도체 산업에 사용되고 있다. 실리콘 원자에 의도 ... 하게 변화시킬 수 있다는 점은 전기 신호만으로 정보를 처리하거나 저장할 수 있는 전자회로의 구현이 가능 하다는 점을 나타낸다. 일반적으로 실리콘 반도체가 반도체 산업의 주류를 형성
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.05
  • 판매자 표지 자료 표지
    A+ 나노과학의 이해 레포트
    의 결정화도 감소에 결정적인 역할을 하여 리튬이온이 전도될 수 있는 근본적인 상(phase)인 비정질상의 확대를 마련하는 것으로 보이며 가소제는 결정화 감소효과보다는 고분자 분자사슬 운동 ... 의 분포가 증가하는 모습을 관찰할 수 있었는데, 이는 TiO₂에 의해 복합재료 전해질의 비정질(amorphous) 영역의 확대를 가져와 리튬 이온의 운반율이 증가하여 이온전도도가 향상 ... 다. 이는 항공우주소재, 전기전도재료 등으로 활용 가능하다. Polymer-metal은 epoxy를 기지로 하고 강화재로 니켈을 사용하였다. 그 결과 니켈의 함량비가 증가할수록 복합
    리포트 | 37페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.02.12
  • 판매자 표지 자료 표지
    LG디스플레이 면접 예상 질문 및 답변 정리, 1차 2차 면접 복기
    하는 스위치 역할과 각각의 픽셀을 제어하는 역할을 합니다. 이때 TFT를 만드는 재료에 따라 a-Si(아몰퍼스 실리콘/비정질 실리콘), LTPS, Oxide TFT로 나뉩니다. 어떤 물질 ... 이 마무리됩니다. 이 과정에서 한을 포토 공정을 통해 증착합니다.OLED 공정에 대해 말씀해보세요.OLED 공정은 LTPS, 증착, 봉지, Cell, Moulde 공정으로 크 ... 의 빛을 차단시켜 어두운 색을 표현합니다. 전원이 꺼지면 액정분자가 수평방향이 되어 빛을 통과시켜 밝은 색을 표현합니다. 명암비가 가장 좋고 이로 인해 색 재현력도 좋지만, 응답속도
    자기소개서 | 17페이지 | 10,000원 | 등록일 2022.04.22 | 수정일 2022.04.30
  • 소오스-그레인 기생용량을 개선한 박막 트랜지스터 제조공정 (The Fabrication of a-Si:H TFT Improving Parasitic Capacitance of Source-Drain)
    본 연구는 에치스토퍼를 기존의 방식과 다르게 적용하여 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정을 단순화하고, 박막 트랜지스터의 게이트와 소오스-드레인간의 기생용량 ... 을 줄인다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연 , 전도, 에치 ... 스토퍼 및 포토레지스터을 연속 증착한다. 스토퍼을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 n+a-Si:H 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성
    논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.26 | 수정일 2025.05.27
  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체 하드마스크 SOH 레포트
    충분히 깊은 패턴을 형성시킬 수가 없게 된다.이에 따라 식각하고자 하는 재료과 포토레지스트 사이에 비정질 탄소(amorphous carbon layer)과 silicon ... 은 반도체 기판 위에 재료을 형성하고 그 위에 포토레지스트 을 코팅하고 노광 및 현상을 하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 mask로하여 재료 ... oxynitride (SiON)박막으로 구성된 일명 하드마스크 (hardmask layer)이라고 불리는 보조을 형성하여 미세패턴을 형성할 수 있다. 따라서 반도체 미세패턴을 돕
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.08
  • A+ 받은 저차원 물질 그래핀, h-BN의 기계적 박리 및 두께 별 라만 스펙트럼 분석 신소재 결과 보고서
    는 G peak(결정질 부분), ID는 D peak(비정질 부분)로 두고 이때 ID/IG 비율로 결정도를 구할 수 있다. 이 비율이 높을수록 결정도는 감소하게 된다.참고 문헌하연 ... 한 flake를 찾아보았다. 산화 실리콘 기판 위 그래핀 시편을 광학현미경으로 관찰할 수 있는 이유는 SiO2 막에서 다중반사에 의한 빛의 간섭효과 때문이다. 이때 시료는 두께 ... 을 통한 두께 측정AFM을 통해서는 시료의 높이를 잴 수 있어 그래핀의 각 부분이 몇 으로 되어있는지 즉, 두께를 측정할 수 있었다. Step은 x=y=0.4로 설정
    리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.29
  • IGZO 산화물 TFT 문제현황 및 개선방안 연구결과 보고서(디스플레이)
    로 사진 등의 정지화면을 표시할 때의 전력 소비를 줄일 수 있으며, 지금까지의 액정방식보다 소비전력을 큰 폭으로 절감시킬 수 있다.마지막으로, IGZO의 전자 이동 빈도는 비정질 ... 로서, 영상의 기본단위인 화소(pixel)를 하나하나 제어하는 역할을 수행?TFT 는 여러 의 얇은 막(박막)으로 형성되며 기본적으로 Gate, Source, Drain 으로 구성 ... 실리콘의 전자 이동 빈도의 20~50배에 이르기 때문에 TFT회로를 소형화하는 것이 가능하다. 때문에 IGZO를 사용한다면 보다 높은 개구화율과 고정밀화하는 것이 가능해진다
    리포트 | 14페이지 | 5,500원 | 등록일 2020.12.15 | 수정일 2020.12.16
  • 합격자가 알려주는 신재생에너지설비기사 실기단답(21년 최종합격)
    상승을 방지한다. 6. 태양전지별 설명하라 1) 비정질 규소 : 광 흡수이 얇아 전지의 두께를 대단히 얇게 만들 수 있다. 2) 단결정 GaSa : 전지가 클 필요가 없으며 고효율 ... 수 프레임 4) 단자함 5) 백커버 48. 태양전지 종류 실리콘 태양전지 결정질 단결정 다결정 비결정질 화합물 태양전지 Ⅲ-Ⅴ족 GaAs, InP, GaAlAs, GaInAs Ⅱ ... 는 지역 4) 안개발생이 적은 지역 5) 토목공사비가 적게 드는 지역 6) 저렴한 부지 7) 발전용량에 맞는 부지선정 2. 태양광발전 추적방식? 1) 단방향추적 2) 양방향추적 3
    시험자료 | 22페이지 | 9,500원 | 등록일 2021.04.29 | 수정일 2025.01.07
  • 수소화 비정질 실리콘
    - 수소화 비정질 실리콘 - Thin Film Solar cells(amorphous Silicon) 응용 9 조Contents Unit 01 ㅣ 역사 Unit 02 ㅣ 수소 ... 인용문헌Unit 01 ㅣ 역사 박막 및 진공공학Unit 01 ㅣ 역사 박막 및 진공공학 비정질실리콘 층은 1965 년 radio frequency glow discharge 방식 ... 화 비정질 실리콘 Unit 03 ㅣ 수소화 비정질 실리콘 박막 증착 Unit 04 ㅣ 앞으로의 기술 개발 추이 Unit 05 ㅣ 기술의 시장성 Unit 06 ㅣ 결론 Unit 07 ㅣ
    리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.11
  • PEMFC예비
    하다.②수소화된 비정질 실리콘 태양전지: 결정질 실리콘에서는 각각의 실리콘 원자는 4개의 실리콘 원자들과 공유결합을 하고 있다. 비정질(amorphous)실리콘에서는 배위수, 결합 ... 각, 결합길이는 결정 실리콘과 비슷하나 규칙적인 주기성이 존재하지 않는다. 수소화된 비정질 실리콘에서는 미결합에 수소 원자가 연결되어 에너지 밴드 갭 내에서 국재화된 상태밀도 ... 를 감소시켜 준다. 비정질 실리콘 태양전지는 결정질 실리콘에 비해 가시광 영역에서 높은 광흡수계수를 갖기 때문에 매우 얇은 박막형 소자가 가능하다.③Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 태양전지: Ⅰ-Ⅲ
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.05
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2025년 08월 02일 토요일
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- 작별인사 독후감