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EasyAI “단결정주입이온” 관련 자료
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"단결정주입이온" 검색결과 1-20 / 1,165건

  • 결정 실리콘 기판에 이온주입된 불순물이 TaSi2형성에 미치는 영향
    한국재료학회 조현춘, 최진석, 고철기, 백수현
    논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 판매자 표지 자료 표지
    한양대학교 일반대학원 원자력공학과 학업계획서
    적응형 예측 제어기 설계 연구, 플라즈마 중합 플로로탄닌과 향상된 생물학적 활성 연구, 업그레이드된 단결정 분산 간섭계(SCDI-U) 개발 및 부서진 펠릿 주입 중 KSTAR의 선 ... 의 구조적 및 기능적 변화 연구, 선량제약치 도입을 위한 원자력발전소 주변 주민의 방사선량 분포 도출 연구, 이온화된 가스 제트를 이용한 액체 불안정성 안정화 연구 등을 하고 싶 ... 습니다.저는 또한 국내 경수로원전 원자로냉각재 내 Sb-124 핵종의 방사선량 영향 검토 연구, 차가운 사중극자 이온 트랩에서 양성자화된 티로신 이온의 유효 온도 연구, 상업용 전신계수기
    자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.09.05
  • 박막 접합 형성을 위한 열처리 방법에 관한 연구 (A Study on the Annealing Methods for the Formation of Shallow Junctions)
    낮은 에너지의 보론 이온을 선비정질화된 실리콘 기판과 단결정 기판에 이온 주입하여 0.2㎛ 정도의 접합 깊이를 갖는 박막의 p+-n 접합을 형성하였다. 이온주입에 의한 결정결함 ... 의 제거 및 주입된 보론 이온의 활성화를 위해 급속 열처리기를 이용하였으며, BPSG(boro-phosphosilicate glass)를 흐르도록 하기 위해 노 열처리를 도입 ... 하였다. 선비정질화 이온주입은 45keV, 3×1014cm-2 Ge 이온을 사용하였으며, p형 불순물로는 BF2 이온을 20keV, 2×1015cm-2로 이온주입 하였다. 급속 열처리
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.11 | 수정일 2025.06.16
  • 판매자 표지 자료 표지
    포항공과대학교(포스텍) POSTECH 일반대학원 전자전기공학과 연구계획서
    계획법 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 RoMA: 오프라인 모델 기반 최적화를 위한 강력한 모델 적응 연구, 고전압 전력반도체 소자 개발을 위한 단위공정에서 식각공정과 이온주입 ... 처리를 통한 ZnO 나노로드 게이트 AlGaN/GaN HEMT의 광자 응답 향상 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 BaTiO3 박막의 결정성에 따른 플라즈마 에칭과 표면 특성 ... 연구, 인버터의 정현파 변조 방식 및 전력 반도체 소자 유형에 따른 스위치 손실 비교 분석 연구, 나노규모 시스템의 결정화 동역학 통계”“나노규모 시스템의 결정화 동역학 통계 연구
    자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2025.02.25
  • 판매자 표지 자료 표지
    고려대학교 일반대학원 화학과 연구계획서
    화 릴렌카르복스이미드 형광단 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 전고체 리튬 배터리 응용을 위한 고전도성 금속 도핑/치환 Li7P2S8Br((1-x))I-x형 리튬 초이온 전도체 ... , 아세톤 관련 반응물 이온과의 반응에 의한 니트로톨루엔 및 디니트로톨루엔의 이온화 거동 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 정전위 양극산화에 의한 나노다공성 금 구조를 갖는 초미세 ... 전극 제작 연구, 헤테로다인 과도 격자 분광 기법을 이용한 유기금속 할로겐화물 페로브스카이트에서 정공 수송층으로의 전하 주입 연구, 저농도 암모니아 검출을 위한 하이드로겔 기반
    자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.01.29
  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체공정 기말정리
    링, 수로실리콘은 단결정이기 때문에 방향이 잘 맞다면 이온 원자가 Si 원자와 충돌하지 않고 쭉 뚫고 통과해 예상 깊이 보다 더 깊게 들어가는 현상이다. 빈 공간이 많은 곳에 이온 ... Annealing) : 이온주입공정을 하면 높은 운동에너지로 실리콘 내부를 때리므로 실리콘 원자가 원자위치에서 벗어나서 lattice를 손상시킬 수 있는데, 이 때 발생된 결정 결함을 제거 ... 하게 원하는 위치에 불순물을 주입할 수 있다.이온 주입 장비를 이용해 입자를 가속시키고 이온을 플라즈마 상태로 만들어 전기장을 이용하여 필요한 이온을 추출한다. 그리고 자기장을 가해 원
    리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.10.22 | 수정일 2024.04.30
  • 판매자 표지 자료 표지
    경희대학교 일반대학원 정보디스플레이학과 학업계획서
    배향과 광결정이 유기발광다이오드의 아웃커플링 효율에 미치는 영향에 관한 시뮬레이션 연구, 코르비노 구조의 저온 Poly-Si 산화물 박막 트랜지스터를 사용한 고이득 2단 증폭기 ... 접합 소재의 가사시간 연구, 플라즈마 디스플레이 패널의 2차 전자 방출을 위한 전이금속 도핑 MgO의 결함 상태 연구, Mg 이온 주입을 이용한 리세스 게이트 AlGaN/GaN ... 개발의 융복합 연구, 입자계 폭발 시뮬레이션에서 선형 운동량 보존을 위한 내부 힘 모델 연구, 분리된 채널층과 핀형 저장층을 갖춘 다결정 실리콘 기반의 커패시터리스 DRAM 연구
    자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.15
  • 판매자 표지 자료 표지
    동국대 대학원 융합에너지신소재공학과 자기소개서 및 연구계획서
    계에서는 전기화학적 리튬 삽입 동안 결정질 실리콘의 이방성 부피 팽창, 리튬 이온 배터리용 과충전된 음극 재료의 열 불안정성 원인 연구를 위한 투과 전자 현미경 개발, 고효율 염료감응 ... , 밀리미터 도메인 규모의 유기 단결정 반도체 필름에 관한 연구, 산성 물 전기산화 동안 격자 산소 산화로부터 RuO 2 상 보호에 관한 연구, 전기화학적 질소 환원 촉매의 활성 및 내구성 ... 도 진학하고 싶었던 동기 중 하나입니다.3. 학문적 지향저는 OO대학교 대학원에서 이온성 액체/수산화코발트 나노하이브리드 쪽 관련 연구를 하였습니다. 대학원 졸업 후 산업
    자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.03.07
  • 반도체 공학 과제 (반도체 기본 공정 기술)
    반도체 기본 공정 기술00대학교학번1. 웨이퍼웨이퍼란 반도체 직접 회로를 만드는 주요재료로 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot ... 으로 많이 이용되고 있는 기술이다. 단결정 실리콘을 내려서 녹아있는 실리콘 용액 위 표면에 접촉시키고 단결정 실리콘을 천천히 끌어올리는데 이때 단결정 실리콘이 끌어올려지면서 고상과 액상 ... 사이의 계면에서 냉각이 일어나고 큰 단 결정체가 성장되어 잉곳이 만들어 진다.그 후 얇은 웨이퍼를 만들기 위해 절단공정이 필요한데, 단결정 실리콘과 잉곳의 말단을 제거하고 식힌
    리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.02
  • 판매자 표지 자료 표지
    무기화학실험 A High-Temperature Superconductor 결과보고서
    grains 간의 낮은 연결성을 확인할 수 있다. 반면, 전류주입방법에 의해 제작된 나머지 samples에서 grains간의 연결성이 향상된 것을 볼 수 있다.고온초전도체 단결정 ... 전도체 단결정의 성장.” 기초과학연구. 5 : 89-99. 1996김채옥, 박정수, 한홍철. “전류 주입으로 제작된 고온초전도체 의 전자기적 특성 연구.” The Journal of0 ... 융제법을 이용한 단결정 성장에서 도가니의 선택은 매우 중요한 요소인데, 도가니 재료에 따라 단결정 표면 morphology가 다르게 나타난다. CuO나 ZrO2 도가니를 사용
    리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.07.15
  • 판매자 표지 자료 표지
    금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리
    에서 같은 온도를 갖게 한 후에 분자 형태로 기판에 보낸다. 분자 size이므로 에피 성장성이 좋으며 두께 조절이 가능하고 단결정 박막 증착이 가능하다. 기판의 표면에너지를 낮추기 위해 ... 로 이동되며 일정 비율로 구성된 전구체들을 가열시켜 화학 반응을 일으켜 증착, 성장시킨다.반도체 8대 공정웨이퍼 제조 ? 산화 공정 ? 포토 공정 ? 식각 공정 ? 이온 주입&박막 ... 증착 공정 ? 금속 배선 공정 ? EDS ? 패키징 공정웨이퍼 제조는 모래에서 추출한 규소를 고온으로 가열하여 쵸크랄스키법으로 용융된 Poly Si을 단결정 Si 잉곳으로 성장
    리포트 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.11.08
  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체 공정 정리본
    반도체 8대 공정 정리Wafer 제조 공정: Wafer는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판을 의미한다.Si ... 고 이것을 결정 성장시켜 굳히는 과정 단결정의 Si를 얻는다.수 나노미터(nm)의 미세한 공정을 다루는 반도체용 잉곳은 실리콘 잉곳 중에서도 초고순도의 잉곳을 사용한다.잉곳 절단하기 ... 결함의 크기와 개수를 측정Czochralski, CZ method: 다결정의 실리콘을 고열로 녹여 액체상태로 만든 뒤에 단결정 실리콘(Seed)을 접촉시켜 Ingot을 성장
    리포트 | 61페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.07.15 | 수정일 2023.07.02
  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체 8대 공정 정리
    한 실리콘은 반도체 원료로 쓰이기 위해 정제과정이 필요 다결정 실리콘을 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만 듬 단결정 실리콘 기둥 , 즉 잉곳 (Ingot) 으로 성장시킴 실리콘결정 성장 ... Ni때문에 정밀한 농도 제어가 어렵고 공정 온도가 높다 . 이온 주입 공정의 경우 , 도핑하고 싶은 도핑 물질을 이온화한 후 , 가속하여 웨이퍼 표면 에 강하게 주입하는 기술이 ... 다 . 이에 따라 , 1) 전자를 충돌시켜 도핑물질을 이온으로 만 드는 과정 , 2) 발생하는 이온 중 원하는 이온을 선별하는 과정 , 3) 전기장을 통해 강제 로 웨이퍼에 주입
    리포트 | 56페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.06.09
  • 판매자 표지 자료 표지
    이화여자대학교 일반대학원 화학 나노과학과 학업계획서
    에 대해 잘 이해할 수 있다고 생각합니다. 저는 OOO 교수님의 연구실에서 팔라듐 나노입자 플라스몬 강화 광촉매 개발, 음이온상 재분배 및 선택적 정공 주입으로 인한 층상 혼합 할로겐화 ... 어져 있기 때문입니다. 저는 4학년 마지막 학기 등록을 할 무렵 OOOO대학교 자대 대학원도 진학을 잠깐 고려했었지만 결국 포기했습니다. 그 결정적인 이유 중 하나가 바로 OOOO관 ... 건물 및 실험장비가 굉장히 부실했기 때문입니다. OOOO실험 수업을 수강할 때는 단과대에 하나밖에 없던 NMR이 고장이 나서 실험이 연기되는 경우도 있었습니다. 그렇기 때문에 저
    자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2022.04.29
  • 반도체 기본 공정
    웨이퍼반도체의 회로기판을 구성하는 판은 실리콘(Si)을 단결정기둥(ingot)으로 성장시켜 절단 후 연마하여 만들어지며 명칭은 웨이퍼(wafer)라 부른다.산화(Oxidation ... 고, 이온주입 공정에서 확산을 막고, 식각공정에서 잘못 식각되는 것을 방지하는 역할을 한다.습식산화(Wet Oxidation)건식산화(Dry Oxidation)Si(s) + 2H ... 한다. 플라즈마 상태의 원자와 이온의 양 또는 그 원자나 이온이 가지고 있는 에너지에 따라 식각의 빠르기가 결정된다. 양이 많고 에너지가 높으면 식각 속도는 증가하게 되고 따라서 이러한 양
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.06 | 수정일 2021.06.25
  • 반도체 공정 (간단 정리)
    반도체 공정1. 단결정 성장반도체 원료: 규소규소는 모래에 많은데, 반도체원료로 사용 위해 정제과정 필요모래(Si)를 뜨거운 열로 녹여 고순도 Si 용액 만듦->둥근 막대모양 ... (Ingot) 만듦->식힘->단결정 규소봉2. 규소봉 절단규소봉 지름 따라 웨이퍼 크기 결정3. 웨이퍼 연마(CMP)규소봉에서 잘라낸 웨이퍼 표면은 흠집 있고 매끄럽지 X->회전판위 ... 한 빛이 웨이퍼에 회로패턴을 옮겨줌9. 현상노광 시킨 웨이퍼에 화학처리->회로패턴이 그려짐10. 식각회로패턴 형성 위해 불필요한 부분 깎음11. 이온주입이온총으로 웨이퍼에 불순물
    시험자료 | 1페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.05.26
  • 실험
    이 일어나면 전자들이 비편재화되어 분자 전체가 안정해지기 때문이다.비편재화 된 전자는 임의의 하나의 원자 또는 하나의 공유결합에 속하지 않은 원자, 이온 또는 분자의 전자를 뜻 ... 은 고리구조 내의 전자가 특정 화학결합에 속하는 것이 아니라 고리구조 내 결합의 어느 곳이든 존재할 가능성이 동등하다는 것을 뜻한다.비편재화된 전자는 그 특성으로 인해 원자, 이온 ... -)전자를 주입하는 역할, 반사층 역할-뒤로나가는 빛을 앞으로 보내주기 위해 반사율이 어느 정도 있는 금속사용 또한 ETL로 전자를 잘 주입하기위해 일함수가 낮은 금속을 사용함(Ca
    리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.04 | 수정일 2023.07.12
  • 판매자 표지 자료 표지
    [A+ 실험보고서]기초화학실험-원자이온 반지름의 계산
    , a=단위세포의 한 변의 길이CN = 배위수, APF = 실제 원자가 차지하고 있는 실제 부피, R=세포 내의 원자 반지름4. 이온 결합성 결정 구조이온 결합의 겨우는 좀 더 ... election of possible structures for certain complex crystals.-> 결정에 있는 여러 가지 이온들의 유효 반지름에 대한 최근 지식이 증가 ... 은 다음과 같다 : 만약 한 결정이 큰 이온과 작은 이온으로 구성되어 있다면, 그것의 구조는 본질적으로 큰 이온에 의하여 결정될 것이다. 그리고 큰 이온 그 자체의 밀집 구조로 근사
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.06.30
  • 분석화학실험_GC를 이용한 방향족 화합물 분리 및 정량 _ 예비보고서
    개의 이론단수를 갖는 column도 있다. 단, 주입되는 시료의 양은 매우 적어야 한다.4) Detector① 검출기의 종류? Thermal conductivity detector ... 그래피, 이온교환 크로마토그래피, 크기 배제 크로마토그래피 등 다양한 원리를 이용한 크로마토그래피 기술이 개발되어 있다.1) 기체 크로마토그래피(Gas chromatography ... 그래피법은 이동상의 종류에 따라 크게 기체 크로마토그래피(GC)와 액체 크로마토그래피(LC) 두 가지로 구분된다.? GC는 이동상으로 비활성 기체를 사용하며 시료가 주입구에 주입
    리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2025.02.03 | 수정일 2025.02.07
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2025년 07월 02일 수요일
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