"고온 메모리"의 검색결과 입니다.

기간
- 전체
- 3개월
- 6개월
- 1년
- 2년
- 3년
- 5년
직접입력

적용
연관순
- 연관순
- 최신순
영역
- 전체
- 제목
- 본문
- 태그
페이지 수
- 전체페이지
- 1 페이지 ~ 5 페이지
- 6 페이지 ~ 10 페이지
- 직접입력 페이지 ~ 페이지 적용
확장자
- 전체
- 한글
- PDF
- MS워드
- MS엑셀
- MS파워포인트
- 압축파일
- 기타
할인자료 보기

연관검색어

dplc 하드마스크 반도체 제조공정 리튬이온전지 그래핀 이차전지 형상기억합금 탄소나노튜브 반도체 면접

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

"고온 메모리" 검색결과 1-20 / 389건

판매자 표지

Zr고온 메모리

특허 초안 : 딥트랩 비휘발성 커패시터 구조1. 기술 분야본 발명은 금속-절연막-커패시터(MIM/MOSCAP) 기반 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이며, 고온 보유 특성이 우수 ... trap 및 과도한 필드 인가시 percolation 문제가 발생하여 고온 보유가 어렵고, deep trap 에너지를 유지하는 데 한계가 존재하였다. 또한 conventional

리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.08

다운로드 장바구니
판매자 표지

고온 비휘발성 메모리 백서

위해 deep‑trap 기반 조성 설계와 고온 구조 최적화를 포함한다.2. 기존 고온 메모리 기술의 한계기존 Flash·CTM·DRAM·MRAM은 150°C 이상 ... 1. 서론본 백서는 250–350°C 초고온 환경에서 동작 가능한 HT‑RNVM 기술을 위해 신규 trap‑engineered 재료 (SiAlBN, SiBCN, SiYBN ... , CAlBN, SiCAlN)를 중심으로 재료·공정·소자·회로·신뢰성 전반의 기술을 명확히 정리한 문서이다.기존 charge‑trap 재료의 고온 retention 붕괴 문제를 극복하기

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.14

다운로드 장바구니
판매자 표지

고온 메모리 동작을 매개상수값

리포트 | 1페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.09 | 수정일 2025.11.11

다운로드 장바구니
판매자 표지

고온 NVM (SiBCN) 메모리 기술 설명서

TiN/RuAlNAl₂O₃SiBCNSiO₂SiC MOSCAP 기술설명서본 문서는 고온 비휘발성 메모리 응용을 위한 TiN/RuAlNAl₂O₃SiBCNSiO₂SiC 구조 ... 의 MOSCAP 기술적 세부사항을 다룬다. 해당 구조는 300°C 이상의 극한 환경에서도 안정적으로 전하를 저장 및 소거할 수 있도록 설계된 Deep-Trap형 고온 MOSCAP이다.1 ... .0nm) SiO₂ (2.5nm) SiC Substrate각 층의 기능은 다음과 같다:TiN/RuGate: 고온 안정 금속(워크펑션4.85.1eV)으로 낮은 누설과 일정한 전위

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.12

다운로드 장바구니
판매자 표지

고온 동작 비휘발성 메모리 후보 재료 비교 보고서

CAlBN vs SiAlBN vs SiBCN 기술 비교 보고서본 보고서는 고온 동작 비휘발성 메모리(NVM)용 트랩층 후보 재료로서 CAlBN, SiAlBN, SiBCN의 전자 ... –B–N비정질/나노결정Si–N, Al–N, B–NDeep Trap, 공정 호환성 우수SiBCNSi–B–C–N비정질/나노결정Si–N, B–N, C–N, Si–CDeep Trap, 고온 ... +Deep Trap 혼합Deep Trap 조성 선택 필요SiAlBN5.0–5.36.5–7.52.9–3.1Deep Trap고온 NVM 최적SiBCN5.3–5.76.3–6.82.8Deep

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.13

다운로드 장바구니
판매자 표지

초고온 HT-RNVM 재료

retention 붕괴 문제를 극복하기 위해 deep‑trap 기반 조성 설계와 고온 구조 최적화를 포함한다.2. 기존 고온 메모리 기술의 한계기존 Flash·CTM·DRAM ... deep-trap 조성은 TDDB·SILC·RTN 변화에 대해 기존 산화막 기반 메모리보다 안정적이다.SiAlBN·SiYBN·SiBCN은 고온에서도 trap 구조의 안정성이 높아 장기 ... 초고온 HT‑RNVM 특허용 통합 백서1. 서론본 백서는 250–350°C 초고온 환경에서 동작 가능한 HT‑RNVM 기술을 위해 신규 trap‑engineered 재료

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.14

다운로드 장바구니
판매자 표지

고온 데이터 저장 기술 비교

고온 데이터 저장 기술 비교 보고서1. 개요본 보고서는 고온 환경(150°C~350°C 이상)에서 사용 가능한 데이터 저장 기술을 HDD, SSD(NAND), FRAM, PCM ... , HTDR 산업용 메모리, 그리고 제안된 SiBCN/SiAlBN/SiYBN 기반 SiC MOSCAP 계열과 함께 비교 분석한 전문 보고서이다.2. 저장 기술 요약 비교기술고온 내성 ... 보존 기간속도산업화 수준특징HDD60°C 이하수년중간상용기계식 → 고온 취약SSD(NAND)70°C 이하수개월~수년빠름상용트랩 누설 증가FRAM150~200°C수년매우 빠름상용고온

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.13

다운로드 장바구니
판매자 표지

고온 NVM SiBCN vs SiAlBN 비교

330년속도(P/E)중간약간빠름전력소비낮음낮음(동등)공정호환성중간우수(CMOS적합)고온신뢰성우수매우우수트랩안정성BN기반DeepTrapAlN보강DeepTrap종합평가기준형DeepTrap차세대산업용대체재

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.12

다운로드 장바구니
판매자 표지

SiYBN vs SiAlBN 구조 가격 비교

1. 개요본 보고서는 SiYBN(Si–Y–B–N) 트랩층 재료의 제조 원가를 SiAlBN 및 기존 MOSCAP 대비 정량적으로 분석한다. 분석 항목에는 전구체 단가, 증착 공정 비용, 장비 점유 시간, 웨이퍼 폐기율, 전체 MOSCAP 공정 대비 비중이 포함된다.2. ..

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.13

다운로드 장바구니
판매자 표지

메모리 기획 보고서

용 NVM, 우주/산업용 데이터 보존.- DRAM 대비 속도는 느리지만, 비휘발성과 저전력, 고온 내구성이 강점.6. 결론 및 제언1T–1C MOSCAP 메모리는 DRAM과 Flash ... 의 중간영역을 차지하는 비휘발성 메모리로, µs급 쓰기 속도와 수년~10년 보존능력을 동시에 달성할 수 있다. 향후 고온 환경, 저전력 엣지 디바이스, 차량용 SoC에 매우 유망한 대체 기술로 평가된다. ... 1T–1C MOSCAP vs 상용 DRAM·LPDDR 기술 비교 보고서1. 개요 및 목적본 보고서는 제안된 1T–1C MOSCAP 기반 비휘발성 메모리 기술과 상용 DRAM

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.10.28

다운로드 장바구니
판매자 표지

서울대학교 일반대학원 재료공학부 연구계획서

) 상 변화 메모리 시냅스 배열을 갖춘 NVM 뉴로모픽 코어 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 고내구성 메모리 응용을 위한 하프니아 기반 강유전체 재료의 결함 공학 연구, 무기 ... 과 금속으로 둘러싸인 인터페이스를 통한 포논 및 전자 전달 연구, 금속성 계면활성제 층을 이용한 제한된 상변화 메모리 장치의 자가 치유 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 평면 ... 대학원을 다니며 고온반응속도론, 구조재료학특론, 전위론, 나노구조재료특론, 계면현상론, 나노재료특론, 콜로이드공학, 나노복합체특론, 재료물리 등의 수업을 들었습니다. 재료물리, 계면

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.09.05

다운로드 장바구니
판매자 표지

고온 칩 로드맵(CPU,FPGA,ASIC)

세대 초고온 비휘발성 메모리 기술로 평가되며, 구현시 동작이 만족한다면 극한 산업의 핵심 기술 경쟁력을 확보할 수 있을 것이라고 생각한다. ... 고온용 CPU / FPGA / ASIC 산업 로드맵 보고서1. 서론본 보고서는 150°C에서 350°C 이상의 초고온 환경에서 동작 가능한 CPU, FPGA, ASIC 기술의 현 ... 상황과 연구 개발 동향을 분석한다. 특히 SiBCN, SiAlBN, SiYBN 기반의 SiC MOSCAP 구조가 초고온 환경에서 비휘발성 데이터 저장 기술의 핵심 후보임을 강조

리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.13

다운로드 장바구니
판매자 표지

2025년상반기 SK하이닉스 대졸신입공채 면접예상문제(총60문제)및해답

, 성능 향상차이점: 채널이 3차원 구조로 형성되어 게이트가 채널을 더 효과적으로 제어3D NAND Flash 메모리에서 채널 홀(Channel Hole) 식각 공정의 어려움과 해결 ... 강도 고온 환경에서의 장기 신뢰성 평가불량 유형: 균열, 박리, 변형패키지 설계에서 신호 무결성(Signal Integrity)이 중요한 이유를 설명하고, 신호 무결성을 확보하기 ... 시점 예측차세대 메모리 반도체(HBM, PIM 등)의 특징을 설명하고, 기존 메모리 대비 고성능을 구현하기 위한 패키징 및 테스트 기술의 발전 방향을 제시하시오.해답:HBM: 고

자기소개서 | 17페이지 | 4,000원 | 등록일 2025.04.30

다운로드 장바구니
판매자 표지

포항공과대학교(포스텍) POSTECH 일반대학원 신소재공학과 연구계획서

하이브리드 VO2-실리콘 광 메모리 연구, 투명 반도체 박막 재료의 제작 및 성능 분석에 관한 연구, 스마트 광자 의약품 및 의료 기기를 위한 상향 변환 나노물질 및 전달 시스템 연구 ... , 금형 플럭스에 함유된 Fe2O3에 의해 산화된 Cr-Mn-Si 합금강의 고온 산화 메커니즘 및 미세조직 변화 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 음이온 교환막 물 전기분해 ... 연구, 방광 질환의 방광 내 치료를 위한 요소분해효소 기반 폴리도파민 나노모터 연구, 용액 공정 기반 유-무기 혼합 박막을 이용한 저항 변화 메모리에 관한 연구 등을 하고 싶습니다.

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2025.04.28

다운로드 장바구니
판매자 표지

경희대학교 일반대학원 반도체공학과 학업계획서

개발 연구, 고온 금속-유기 화학 기상 증착을 사용하여 탄소 표면 4H-SiC에서 성장한 질소 극성 GaN에 대한 NH3 전처리 시간의 영향 연구, 냉각장치를 구비한 식물생장장치 ... 측정을 위한 마이크로 필터를 갖춘 보완적 다중 분할 링 공진 MEMS 센서 연구, 비휘발성 메모리 응용을 위한 복합 에너지 장벽을 갖춘 Si-Doped HfO2 기반 강유전성 터널 ... 하여 ReDunDancy 제거 연구, 성능 및 에너지 효율성을 위한 신뢰성이 강화된 이종 상변화 메모리 아키텍처 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 SnakeByte: GPU에서 적응

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.04.28

다운로드 장바구니
판매자 표지

Hf기반 VO 제어형 트랩층을 적용한 MOSCAP구조안

메모리에서 총 4 nm 트랩층 두께와 상·하부 Al₂O₃(1 nm) 차단층을 기반으로 한 여섯 가지 스택 설계안(A~F안)을 체계적으로 비교한다. 목적은 다음과 같다: (i ... ) Program/Erase 속도 및 요구 전압(Vprog/Verase), (ii) 고온 보유(85°C/150°C/250°C) 특성, (iii) Read Disturb/SILC/엔듀런스 등 ... ·리스크 최소: E, (c) 시장형 가성비·안정성 균형 1순위: F 이다. D는 차단층을 제거해 속도/전압은 유리하나 고온 보유·SILC·내구성에서 뚜렷한 페널티가 있어 고온

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.07

다운로드 장바구니
판매자 표지

고려대학교 일반대학원 전기전자공학부 연구계획서

메모리 연구, 브러시리스 동기식 기계의 계자 권선 축 방향 표류 자속을 통한 다이오드 모니터링 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 MOG 기반 베이지안 엔트로피 코딩과 점진적인 예측 ... 기반 상태 관찰자 연구, 원형 패치 로딩을 통해 대역폭이 강화된 원형 편파 초승달 모양 슬롯 안테나 연구, 고온 공정에 대한 접촉 저항 및 열 안정성의 탁월한 개선 연구, 대표 특징 학습을 통한 변압기 기반 합성-측정 SAR 이미지 변환 연구 등을 하고 싶습니다.

자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.09.15

다운로드 장바구니
판매자 표지

고온 NVM

으로 구성된 비휘발성 메모리(NVM) 구조에 대해 설명한다. 핵심 목표는 250 °C 환경에서도 장기간(≥10년) 데이터 보존을 달성하는 것으로, 트랩층의 유효 트랩 에너지 (Eₜ ... 은 밴드갭(약 3.2 eV)으로 고온 환경에서의 기판측 누설을 억제한다.Ⅲ. 전계 분배 특성(직렬 유전체 모델)가정 유전율: Al₂O₃≈9, SiAlBO≈6.7, SiO₂=3.9

리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.11.05 | 수정일 2025.11.07

다운로드 장바구니
판매자 표지

고려대학교 일반대학원 신소재공학부 연구계획서

와 일산화탄소의 역할 연구, 재료공정 열유체 전산해석 연구, 고온부식평가/내열 전극소재개발 연구, Al 접촉 MoSe2 트랜지스터용 고진공 TiOx 중간층 엔지니어링 연구 등을 하고 싶 ... 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 원자 단위 소재 시뮬레이션 연구, 초고속 3D NAND 플래시 메모리 애플리케이션을 위한 하이브리드 채널(Poly-Si/IGO)의 높은 이동성 ... , 일반 강유전성 폴리머와 혼합된 이완형 강유전성 폴리머의 고온 전기기계적 작동 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 PMMA:Zn 코팅 전극을 사용하여 양극이 없는 Zn 이온 수성

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.01.31

다운로드 장바구니
판매자 표지

고려대학교 일반대학원 전기전자공학부 연구계획서

연구계획서저는 고려대학교 대학원 전기전자공학부 연구실에 진학을 한 다음에 SiC 전력 반도체 소자의 고온 환경 신뢰성 평가 연구, Ag 도핑이 ZnO 박막 트랜지스터 성능에 미치 ... 기법 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 은셀레나이드 나노입자를 이용한 플라스틱 기판에 구축된 스위칭 메모리 셀 연구, 새로운 저항 변화형 소재에서 사이클 수명 최적화 연구, 도심

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2025.09.30

다운로드 장바구니

이전10개12 3 4 5 6 7 8 9 10 다음10개

파워링크

신청하기