"단결정 박막"의 검색결과 입니다.

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태양전지 금오공대 반도체 숭실대 다결정 반도체 공정 dssc 반도체 제조공정 증착 고분자oled박막 재생에너지

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"단결정 박막" 검색결과 1,361-1,380 / 1,630건

[전자전기]전자전기실험 예비리포트 온도센서회로

이 되는 완전반자성이 있다.일반적으로 금속이나 합금에서 전기저항이 나타나는 이유는 두가지로 분류할 수 있는데 첫째, 격자내에서 원자들의 열진동에 의해 생기는 저항이며, 둘째, 결정내 ... 는 구성으로 하는데 중점을 두었다. 이 예 는 첫단 앰프의 offset voltage가 거의 그대로 두 번째 증폭단의 출력에 나타나므로 C-MOS 게이트로 구성한 슈미트 ... 다. 박막을 실리콘 위에 증착법으로 형성키키는데, 코팅 기술의 개선에 의해 단단하고 치밀한 막이 얻어져서, 신뢰성이 높은 필터가 센서에 장착되도록 되 었다.실험순서1 센서를 제외한 회로

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.10.19

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[전자공학] IC(집적회로) 이야기

시켜 이들 p형과 n형 반도체영역의 조합으로 회로를 구성한다. 이 단결정의 박막층을 에피 (epitaxial)층이라 한다.2. why ... IC?: 왜 세계의 모든 반도체 회사들은 한 ... 을 아래위로 움직여서 훑고, 용해된 존은 그 재료의 표면장력에 의해 통 모양으로 녹아 떨어지지 않는 정도의 높이로 유지하는 수직식이 있 다.4. 단결정 얻기(Czochralski ... 방법.): 게르마늄 단결정은 결정인상법(結晶引上法)이나 대역융해법(帶域融解法)으로 만들 고, 그 후 대정제(帶精製)가 실시된다. 이와 같이 하여 얻은 단결정을 얇게 잘라내어 기 판

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.11

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[신소재]LED

규소 결정의 발광 관측에서 비롯되는데, 1923년에 비소화갈륨 p-n 접합에서의 고발광효율이 발견되면서부터 그 연구가 활발하게 진행되었다. 1960년대 말에는 이들이 실용 ... ) 하는 방법이 있다. 그런데 왜 깜빡 거리게 킬까? LED를 한 100개쯤 단다고 생각을 하고 이 LED가 하나당 1A의 전류를 먹어 치운다고 한다면 100개를 달면 100A ... 다접천이형은 모두 발광으로 이루어지기 때문에 LED 재료로서 좋은 재료라고 할 수 있다. 따라서 수직천이가 일어나는 에너지 폭은 반도체 결정 구조의 고유한 특성인 에너지갭(Eg

리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.05.24

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[반도체] 웨이퍼에 대하여

인치(200mm), 12인치(300mm)* 전기적 특성단결정으로 성장시킨 Si 결정에는 전기전도도를 위해 의도적으로 첨가한 불순물(B,P,Sb) 이외에는 가능한한 불순물을 억제 ... 를 반도체라고 한다.* 결정 특성실리콘 웨이퍼는 고순도의 다결정 실리콘을 용융시켜 특정방향으로 성장시킨 단결정 실리콘으로서, 이 성장 방향은 Device Process에 기계적 성질 ... 하여 표면 정전기를 방지하고, Clean Room(청정실) 에서의 작업으로 고도의 청결을 유지해야 한다.3. 웨이퍼 개발방향* 12인치로의 대구경화12인치 웨이퍼는 단결정 제조 방법

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.08

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[논문] 신.재생 에너지 BIPV에 대한 연구 및 보고 (HWP)

2004년 이후에는 태양광사업단이 출범하였으며 기존 태양전지 및 모듈 등 각각의 요소에 대한 연구개발뿐만 아니라 사업화에 필수적인 양산기술, 성능평가, 표준화, 실증연구 등 ... .43 $/W, 발전단가를 6 ￠/kWh 까지 낮추는 것을 목표로 하고 있음.1)- 다층박막 등 신기술을 상용화하여 30% 효율의 태양전지를 양산할 계획.ㅇ 최대 설치국인 독일 ... 의 설치조건에 따른 환경변화, 구성요소기기 및 태양광발전 시스템의 설계시공에 따라서 발전성능이 결정된다. 태양광발전 시스템은 설치장소·방식·정격·구성 등이 같다고 하더라도 설치장소

리포트 | 30페이지 | 12,000원 | 등록일 2009.09.14

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파인세라믹스

재료로 가장 많이 사용되고 있는 단결정 실리콘 LSI 등 집적회로의 기판으로 이용 고속 집적 회로와 반도체 레이저용 재료로 큰 기대를 모으는 갈륨-비소 고속 데이터 처리와 광통신 ... 의 칩화, 박막화, 고성능화 저온 소결 (1000oC 이하) 유전재료의 개발 유전체, 저항체 등의 복합화 등 대일 수입부품의 국산화에 주력New Materials Science

리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.07

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[공학기술]산화공정(Oxidation)

가 잘되지만 [100]의 Si기판을 사용하는 이유는 단결정으로 자르기가 유리하기 때문이다. 도핑농도와 기판은 용도에 따라 결정을 해야한다.6. 창의설계① 확산방지막산화막의 중요 ... 의 SiO2 박막을 성장시키는 산화 기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다.②산화 기구* 딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)Si기판 ... 한 산화막 두께 컨트롤이 힘들다. 따라서 건조한 산소환경에서는 보다 우수한 품질의 산화막이 형성된다.ⓒ wafer의 결정 : 과결정성을 가지는 기판 위의 산화율의의존성을 보여주고 있

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.24

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[박막공학] CVD의 모든것

하기도 한다. CVD로 얻어지는 박막의 물리적 성질은 증착이 일어나는 기판(비정질, 다결정, 결정)과 온도, 증착속도 등의 증착조건에 의하여 결정된다. 일반적으로 이러한 변수 ... 및 reactor 온도 변화에 따른 박막의 결정구조 및 결정성분석과 중간상 형성 및 상변화를 위하여 XRD 등을 이용하여 결정구조를 분석한다. 증착막은 증착방법과 조건(기판 온도 ... 이고, 플라즈마 중에서 박막을 구성하는 물질이 석출하는 수가 있고 박막의 형성에 넓게 이용되어 왔다.언제나 설명한 바와 같이, 글로방전 플라즈마 중에는, 전자, 이온의 단원자

리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2002.07.20

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[공업화학실험] 박막재료의 표면 처리 및 식각 공정

.웨이퍼 제조:모래로부터 고순도 단결정 실리콘웨이퍼를 만들어 내는 과정2.회로설계:웨이퍼상에 구현될 전자회로를 설계하는 과정3.마스크 제작:설계된 전자회로를 각 층별로 나누어 유리 ... {1.실험제목박막재료의 표면 처리 및 식각 공정2.실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 (1) 증착공정, (2) 마스크의 패턴형성 ... 그리고 (3) 식각공정으로 구분된다. 이러한 공정들 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.01.20

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[재료공학]반도체

ing) 소자로서 컴퓨터 등에 많게 이용될 것으로 기대되고 있다. 벌크효과를 이용한 소자 개발에 전기를 이룬 것은 건(Gunn)효과의 발견이다. 갈륨비소 단결정 내에서의 전자의 이동 ... 도는 전자속도가 어느 한계를 넘으면 전기장의 세기에 반비례하여 감소되며, 이로 인하여 이 단결정의 전압─전류 특성에는 음성저항이 나타나게 되어 발진이 일어난다. 이 발진주파수 ... 접합의 성질을 이용한 것이며, 단결정의 성질을 이용한 것으로는 자기장검출용인 ＜홀소자＞, 전자냉각용인 ＜펠티에소자＞, 열전자발열용인 ＜제벡소자＞, 광검출용인 ＜광전도셀＞, 변형

리포트 | 40페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.05.27

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반도체 공정

)의 제작웨이퍼의 제작을 위해 우선 단결정 실리콘의 Ingot(주괴)을 만들어야 하며 이 실리콘 인곳을 자르고 다듬는 공정을 거쳐 웨이퍼를 제작.·순수한 모래를 실리콘으로 정제할 때 ... 대표적인 제작 방법(1) 인상법(Czochralski Growth)- 1950년대 초에 Teal이 개발- 단결정 실리콘을 성장시키는 대표적 방법- 다결정 실리콘을 노안에 넣고 가열 ... . Deposition(박막증착기술)-반도체 소자에 박막을 증착시키는 공정3. Oxidation(산화공정)-산화막을 만드는 공정4. Diffusion(확산공정)-반도체에 불순물을 첨가

리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.09.06

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발광 다이오드(LED)

시키는 것.본문LED(light emitting diode)라고도 한다. 반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광현상은 전기 루미네선스[전기장발광]라고 하며, 1923년 탄화규소 결정 ... 는 90%이상의 효율을 가지며 전통적인 전구보다 10배 이상 긴 수명을 가지고 있다.)다른 한편, 일본 샤프는 새로운 태양전지의 상품으로서 박막태양전지에 전력이 절약되고 장수명의 고 ... , 전구 필라멘트의 휘도는 150∼200sb 정도이다. 단, 같은 광원에서도 촛불과 같이 부분적으로 휘도의 차가 있는 것도 있으며, 때로는 관찰 각도에 따라 그 값이 달라지는 것도 있

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.26

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[물리] Rutherford scattering 실험

되어 있다는 유핵원자모형을 고안, 중심핵과 입자의 산란을 설명하였다. 또 중심핵의 전하가 (는 임의의 정수, 는 기본전기량)일 때 여러 값의 결정에 성공하였다. 입사입자의 전하 ... , 초기 속도 , 운동량 , 산란각을 라 하면 미분단면적은 다음 산란공식{rm { { d sigma } over { d Omega } ~=~ left ( { Z_{ 1 } Z_{ 2 ... 을 통해 선속(線束:일정한 점을 지나는 직선의 다발)으로 집속하여 그 선이 여러 원소의 박막(薄膜), 예를 들면 금박(金箔)에 부딪혀 입자가 산란되는 모양을 관찰하였다. 그 결과

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.04

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[발표자료] 단결정 성장법

: 이미 만들어져 있는 단결정의 표면에그 결정과 결정 방향을 맞추어서 새로운 결정층(박막)을 형성하는 기술종류 : 1. 기상 에피택시(Vapor phase Epitaxy) 2 ... methodHetero epitaxial growth method기상 에피택시(Vapor phase epitaxy)정 의 : 단결정 박막의 원료 물질을 기상으로 하여 고온로내에 도입 ... 단결정 성장반도체 제조 공정 반도체에 단결정이 사용되는 이유 결정 성장이란? 결정 성장법의 종류 및 원리 ① 인상법 (Czochralski method) ② 대역 용융법

리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.08.14

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[엔코더]엔코더의 용도 및 원리, DC 모터의 구동원리

- Incremental Encoder출력형식회전축의 회전각에 따라 구형파로 출력됨절대위치기준위치(원점)로부터 계수됨(Counter필요)측정범위분해능(출력펄스 수)에 의해 결정됨정 전 시전원 ... 를 수광소자에 의해 전기신호의형태로 출력 주스케일은 일반적으로 유리가 널리 사용, 유리위에 크롬박막의 증착에 의한 격자모양 형성 격자는 명선(빛을 통과 시키는 선)과 암선(빛을 통과 ... 하는 브러시 구성 됨. 디스크도통 부분과 비도통 부분으로 구성됨.※ 단 점 : 고분해능이나 고정밀도를 얻을 수 없음. 응답특성, 신뢰성, 수명 등에 많은 문제점이 있음.- 자기식

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.15

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환경과 무기화학의 관련성 조사

와 반된 합금을 마이너스극으로 하는 것과, 박막 상태의 합금을 사용하는 것이다. 전극의 특징으로부터 앞의 것은 ‘수소 저장형 전지’, 뒤의 것은 ‘수소 투과형 전지’라고 부를 수 있 ... 기술 중에서도 탄산가스와 수소와를 반응시키는 접촉수소화는단시간에 다량의 가스를 처리할 수 있기 때문에 탄산가스의 재자원화에 적합한 유망한 방법일 것이다. 접촉수소화에 의하여 합성 ... 하게 하는가는 사용하는 촉매에 의해서 결정된다. 그러나 어느 반응도 실용화에는높은 활성과 선택성을 가지는 고성능 촉매의 개발이 필요하여 아직도 요원한 수준이다. 또 값이 저렴한 수소

리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.22

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도파관 실험(감쇠와 삽입손실 측정등.)

를 결정한다.③식 1)을 수단에서의 입사전압과 반사전압의 비에 대하여 풀면, 수단에서 전압 반사계수를 구할 수 있다.선로상에서 반사계수에 대한 일반 해는 바로 그점의 입사파와 반사파 ... 에 금속피막, 흑연의 박막을 입힌 저항판을 도파관 측면으로 이동시키면서 감쇠량을 나타낸다. 이 vane형은 저항판이 중앙에 가까울수록 감쇠량이 크다. 또 이 감쇠기의 감쇠량은 대략 ... 된 가변 감쇠기와 검파기 사이에 삽입한다. 그 후 가변 감쇠기를 검파기 출력에서 편리한 신호 레벨을 생성하도록 조정한다. 마지막으로 그 미지의 것을 장치에서 제거하고 검파기의 출력단

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.07

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Slip casting 결과 보고서

아내어 제품을 얻는다. 이러한 슬립 캐스팅은 같은 모양이나 복잡한 모양의 도자기를 단시간에 대량으로 만들 수 있는 장점이 있다. 원래 도기(陶器)의 제조에 사용되고 있었으나, 최근 ... 는 틀을 사용한다. 그리고 종이에 이장을 흡착시켜 박막을 만드는 테이프주입성형(tape casting), 혹은 전기영동을 사용한 금속형에 부착시키는 방법이 있으나, 이러한 것들은 일반 ... 반응이 있어서는 안 된다. Slip중에 합제 하여 최종의 치밀화 제품의 결정적인 결함이 된다.④ 수축과 탈형 : 주입이 완료하면, 성형체는 건조 수축하여 형에서 떨어진다. 이 수축

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.18

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[재료공학]Bipolar Junction Transistors

시키고 순간적으로 큰 전류를 통하게 하여 금속침과 반도체가 융착되어 p-n접합을 이루게 한 것이다. 반도체로서는 실리콘·게르마늄의 단결정들이 사용되고 있었으나 근래에는 갈륨비소 ... 로부터의 자 이용한 소자 개발에 전기를 이룬 것은 건(Gunn)효과의 발견이다.갈륨비소 단결정 내에서의 전자의 이동도는 전자속도가 어느 한계를 넘으면 전기장의 세기에 반비례하여 감소 ... 되며, 이로 인하여 이 단결정의 전압─전류 특성에는 음성저항이 나타나게 되어 발진이 일어난다. 이 발진주파수는 마이크로파에서 밀리(mm)파의 영역에 이르며, 이것은 재래의 고체전자소자

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.13

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[신소재공학] LED

GaP와 같은 III-V의 화합물 반도체가 LED재료로써 처음으로 제안되기도 하였다. 1955년에는 GaP 단결정을 성장시켜서 점접촉의 전극에 의해 오렌지 발광을 관측하게 되 ... , LED 관련 기술을 약진시키는 원동력으로 작용하게 되었다. 특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 단결정 성장 기술이 현저하게 발달되어 고품위 기판 양산 기술이 확보 된 것 ... 밴드갭(Eg)에 따라 결정되며, 빛의 에너지와 발광파장은 다음과 같은 관계가 있다.Eg = h = hc / ( h : 플랭크상수, c : 광속, : 파장)[nm] = 1240

리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.01.27

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