"진공및박막"의 검색결과 입니다.

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박막 증착 스퍼터링 반도체 공정 OLED cvd 박막 투과도 ITO

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"진공및박막" 검색결과 981-1,000 / 1,634건

[전자재료실험]열증발증착(Thermal evaporator)에 대하여

는다.- 고진공이므로 순수한 박막을 얻을 수 있다.이에 반하여 진공 증착은 다음과 같은 문제점들을 내포하고 있다.- 스퍼터링에 비하여 정확한 합금성분 조절이 어렵다.- 기판의 in ... ] 진공 증착기의 기판 위치실선은 점소스일 경우이고 점선은 평판소스일 경우이다. 같은 높이에 있는 기판들일 경우 소스 바로 위의 위치에 있는 기판에 생성된 박막에 비하여 가장 자리 ... 밀도화된 자기기록의 우수한 재생을 가능하게 하였는데 보다 정확하고 민감한 박막형태의 자기센서개발이 요구되고 있는 실정이다.저항가열식 진공증착법으로 자성다층박막을 성장시켜 자기저항

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.10.22

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[공학]주사전자현미경, UV/VIS/NIR (자외선 / 가시광선 / 근적외선 분광광도계), X-선 회절, X-선 광전자 분광기(X-Ray Photoelectron Spectroscopy), 미소경도측정

。 자성체 초박막 및 에피 박막의 전자에너지 분포。 Submicro이하의 국소 영역의 성분 분석。 Depth profile을 통한 박막의 성장 메카니즘 규격。 표면의 원소에 대한 정량 ... 여 준다.전자총에서 전자를 생산하는 방법에는 두가지가 있는데, 하나는 필라멘트를 고온으로 가열시켜서 필라멘트의 표면으로부터 자유전자가 진공 중으로 방출되도록 하는 법이고, 다 른 하나 ... 는 고진공 중에서 필라멘트 표면에 고압의 전위차를 걸어주어 전자를 방출시키는 법 이다. 앞의 것을 열전자라 하고, 후자를 전위차계전자(Field emission electron)라고

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| 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.08

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Investigation on TiN+WC prepared by AIP and Magnetron sputtering

정밀한 조도 값을 나타내도록 하였다.바. Radical 질화 / Arc ion plating 경질박막 코팅 층의 특성조사코팅 층의 표면상태 및 두께는 SEM(Scanning ... 를 통하여 박막의 밀착력을 추정해 보았다.Ⅲ. 실험 결과 및 고찰3.1 AIP & Magnetron Sputtering condition본 논문을 통하여 제작한 장비를 이용 ... 指導敎授尹在弘이 論文을 工學學士學位論文으로 提出함2008年 6月昌原大學校金屬材料工學科목 차Ⅰ. 서론 및 연구배경1. 서론

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| 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.07

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SBT 박막제조와 누설전류, 정전기용량 측정 결과 보고서

REPORTSBT 박막제조와 누설전류,정전기용량 측정 결과 보고서■ 실험목적SBT 박막 증착과정을 통해 유전체의 성질을 알고, 반응 온도 및 두께를 설정하여 온도 및 두께에 대한 ... 성 측정방법을 알아보고 전자부품의 소형화, 경량화, 직접화를 가능하게 하는 박막 공정을 공부한다.강유전체 물질을 Si 기판위에 박막으로 증착하고 이들 박막의 유전 및 절연 특성 ... 의 DC, 1개의 RF)Ti 증착 : DC Sputtering 두께 400Å 상향 스퍼터링 (접착제 및 Pt 확산 방지)SBT 증착 준비SBT 증착 준비SBT 시편※ 진공을 만드

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.20

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[공학]MBE(Molecular Beam Epitaxy)

생성시) 10-10Torr (생성되지 않을시) 이하 정도의 초고진공에서 작용다양한 결정의 구성원소가 함유된 cell을 가열하여 나오는 증기를 분자선 형태로 방출시켜 기판에 반도체 ... (Molecular Beam Epitaxy)1) 진공증착의 특징인 열적 비평형 성장을 한다.2) 반사 전자 회절등을 현장에서 관찰할수 있다.3) Mask를 이용하여 2차원 ... Pattern을 형성할 수 있다.4) 막두께의 조성 및 불순물 등을 균일하게 할 수 있다.5) 막두께 방향의 profile 을 제어하기 쉽다.6) 원자층 order 의 굴곡을 실현할 수

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| 리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.29

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Nano Solar Cell(나노태양전지)

-type module of DSSC(1%)-FujikuraLarge-area module -Fujikura플라스틱 태양전지태양전지의 적용 사례CdTe 박막 태양전지의 구조 및 솔라 패널 사진태양전지의 적용 사례감사합니다.{nameOfApplication=Show} ... 목차태양전지의 역사 태양전지의 기본원리 태양전지의 분류 나노 태양전지 염료 감응형 태양전지 복합나노 구조형 플라스틱 태양전지 나노결정 박막 태양전지 태양전지의 적용 사례태양전지 ... 의 단점을 극복할 수 있는 새로운 태양전지로, 염료 감응형 태양전지, 복합나노구조형 플라스틱 태양전지, 나노결정 박막 태양전지 등으로 나누어 볼 수 있다.염료 감응형 태양전지투명

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| 리포트 | 26페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.04.08

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단결정 성장 방법에 관한 조사 입니다.

위해 도가니를 사용하는 Czochralski, Bridgman법과는 달리 도가니 재료와 성장물질과의 반응성 및 냉각 시 결 정이 도가니와 용액의 고화, 열수축에 영향을 받지 않 ... 차 및 표면장력등의 차이에 의해 응력을 받 기 때문에 결정의 윗부분은 많은 전위결함이 나타나게 된다. 하지만 (100)방향으로의 결정성장이 가능하며, PBN 도가니를 사용하여 HB ... 까지 개발되어진 방법 중에 결정의 질이 가장 우수한 방법으로 그 성장기술에 대한 연구가 최근까지 활발하게 진행되고 있다.Ⅱ. 박막 형태의 단결정 성장 방법1. laser-MBE

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| 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.09

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[박막공학]여러가지 박막 제조 공정

(Molecular Beam Epitaxy)정 의 초 고 진공 상태의 분자선원에서 발생한 원 재료의 분자선을 기판에 도달시켜 박막을 형성하는 방법분자선 에피탁시 장치 예분자선 에피탁시 ... 의 장점낮은 잔류가스 밀도 깨끗한 기판면 유지로 인한 고 순도 박막제조 가능 단 원자층 결정 성장, 분자선 및 결정 성장 중 결정 표면 에서 성장조건에 관한 정보 획득 고체 또는 ... 증착 가능분자선 에피탁시의 단점낮은 성장속도에 따른 저 생산성 박막을 만들기 위한 높은 진공도 필요 박막생산 과정에서의 여러 가지 측정이나 정보를 얻기 위한 장치들로 인하여 매우

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| 리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.11.16

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SiO2 기판위애 증착된 알루미늄에 대한 보고서

로 Turbo Pump가 손상될 수 있기 때문에 Rotary Pump로 저 진공(Low Vacuum)을 얻은 다음 Turbo Pump를 사용한다.2. Ar gas 투입 및 Pre-s ... 는 증착 현상들을 관찰 할 수 있다.Ⅱ 실험 조건- Sputter는 기본적으로 High Vacuum Condition(고진공상태)인 10? torr의 진공상태에서 실행되는 증착 기구 ... 로 10?2~3torr를 뽑아낸 후 Turbo Pump로 10?5torr까지 진공을 얻은 후 Ar gas를 주입하여 Al을 sputtering 한다.- 각 조별 증착 실험 조건Ar

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| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.26

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[박막공학]박막공정

.증발 및 증착 과정 개략도물리 기상 증착법: 증발 증착법진공웨이퍼 홀더웨이퍼진공시스템반응체가열기배기증기흐름점 증발체로부터 같은 거리에 있는 기판상의 박막의 두께는 같다.R2t0R2 ... 데미지 적음. 오염 물질 적음.물리 기상 증착법: Sputtering 증착법화학 기상 증착법정의 열의 분해과정 및 기체 화합물의 상호작용에 의해 기판의 표면에 박막을 형성하는 증착 ... Vacuum분자 빔 결정법 개념도매우 얇은 박막 생성 가능-monolayer낮은 온도에 박막 생성, 600-800°C장 점고 진공 상태에서의 박막 생성분자 빔 결정법단 점고 진공 상태

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| 리포트 | 43페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.12.29

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현미경의 발달사와 종류

Microscopy, 주사전자현미경)10-5 Torr 이상의 진공 중에 놓여진 시료표면을 1-100 nm 정도의 미세한 전자선으로 x-y의 이차원방향으로 주사하여 시료표면에서 발생하는 이차전 ... 등의 분석하는 장치이다. 주로 금속 등 도체, IC, 산화물 등 반도체, 고분자 재료나 세라믹 등 절연물의 고체, 분말, 박막시료가 표본이 된다.자기렌즈를 이용하여 전자빔을 가늘 ... 을 전자렌즈로 차례차례 확대하여(대물·중간·투영의 3단 렌즈) 마지막 단계의 상을 형광판에서 관찰하고 카메라로 찍는다. 전자빔의 통로는 물론 모두 진공으로 되어 있다. 직류전류를 조절

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| 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.10

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반도체 제조 공정

은 반도체 IC의 제조에 필요한 여러 특성의 재료들 즉, 부도체, 반도체 및 도체 박막을 증착시키는데 사용되며, 물리적 증착(physical vapor deposition; PVD)법 ... 들이 화학공학 전공자들에게 알려지게 되었다. 이후 반도체 집적회로의 양산체제 구축과 공정개선을 통한 수율 및 집적도의 증가가 반도체 산업의 성패에 직접적인 영향을 미치게 됨에 따라 ... 에는 외부 환경으로부터 반도체 칩(chip)을 보호하고 외부 전원과의 연결 통로를 마무리짓는 조립(assembly) 및 봉지(packaging) 공정이 진행되고 이를 통해 최종적인

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| 리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.01

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pvd와 cvd

기 때문에 다층박막의 새로운 소재를 필요로 하게 되었다.PVD법의 전형적인 예는 진공증착과 sputtering증착이다. 진공증착은 진공장치에 시료를 넣어 일정한 온도로 가열 ... 다.PVD에 의한 코팅법의 방법 및 원리Evaporation Process코팅될 물질이 열이나 전자 beam 등에 의해서 증발되어 직선적으로 운동하다가 모재에 충돌하면서 증착되는 방법 ... 있으므로 공구에 대한 코팅 방법으로 가장 유리한 것으로 알려져 있다. 그러나 공구에 적절한 수준의 코팅을 얻기 위해서는 코팅 장치의 고진공 문제, design, 모재의 적합한 표면

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.28

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[공학기술]재료의 산화실험.

에 제2산화막(14)과 질화막(15)을 연속 순차적으로 형성한 후 반도체 진공관 소자의 활성영역(20)을 식각하는 공정과, 상기 에미터(4)와 콜렉터(5) 및 제1,2게이트(6A,6B ... 을 수 있다.- 소자의 분할 (LOCOS)반도체 진공관 소자 제조실리콘 기판(11) 상부에 전기적 절연층인 제1산화막(12)을 형성하고 상기 제1산화막(12) 상부에 에미터(4 ... )와 콜렉터(5) 및 제1,2게이트(6A,6B) 도전층인 SOI막(13)을 형성하여 실리콘 SOI기판(11,12,13)을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 SOI기판(11,12,13)위

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.07

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SiO2 박막의 식각 및 PR 제거

1. 실험제목SiO2 박막의 식각 및 PR 제거2. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공 정으로 나뉘어 지는데 첫째로 증착 ... 공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공 정으로 나뉘어 진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이 ... 다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 막의 표면과 두 께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.3. 실험내용

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

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이슬점의 온도 측정 예비

온 도를 측정 후 상대습도와 이슬점온도를 수치상으로 비교하여 도장 여부를 판 단하는 기준으로 첨부한 표를 기준으로 상대습도, 이슬점온도 계산한 후 피도 면 온도를 측정 및 비교 ... )과 그 파장에 가까운 자외선(파장:약 0.003~0.2 μm) 및 적외선(파장:약 0.9~1,000μm) 을 통칭한다. 종류에는 입사한 적외선을 전압의 형태로 변환시켜 광검출 ... 와 광전도체형 광검출소자가 있다. 검출기를 만드는 데 주로 사용되는 반도체 재료로는 실리콘과 갈륨비소 등이 있다. 광전도체형 광검출기는 단순히 박막이나 후박 반도체의 양쪽에 금속

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| 리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.11.08 | 수정일 2022.07.06

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[공학]FED의 에미터

-기판4.실험원리 :-PECVD :일반적으로 CVD라고 하면 source gas를 열적으로 분해 시켜서 필요로 하는 박막을 증착하는 기술이다. 이때 gas를 분해 시키기 위해서는 대 ... 부분 600℃이상의 온도가 요구된다. 그러나 PECVD는 source gas의 분해를 플라즈마를 이용함으로써 비교적 낮은 온도에서 gas를 분해시킴으로써 박막 증착을 할 수 있 ... RF generator, matching box등 이 필요함PECVD에서 박막성질에 기여하는 증착조건RF power density, frequency, duty cycle

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| 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.24

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연료감응형태양전지실험

. 전해질 및 홀 전도체81-8. 전도성 기판92. EXPERIMENT113. RESULTS & DISCUSSION 123-1. RESULTS123-2. DISCUSSION134 ... .3. Titania 와 Silicon solar cell의 동작에서주위온도의 효과③ 부분적인 그늘짐에 덜 민감하다.④ DSSC의 생산설비는 주로 비진공 처리 장비를 사용 ... 한다.따라서, 진공장비를 사용하는 silicon solar cell보 다 생산비가 절감된다.⑤ DSSC 제조공정은 유독가스 방출의 염려가 없다. [2]3-3. 염료감응형 태양전지 (dye

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| 리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

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[공학]마이크로웨이브를 이용한 금속황화물(CdS) 나노분말 제조

1. 서론Microwave 에너지를 이용하여 반도체산업 재료에 사용되는 CdS 나노분말을 합성한다.CdS(cadmium sulfide)는 박막화가 용이한 육방정계 구조의 n ... 형 직접 천이형 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체이다. CdS 박막에 대한 연구는 두 방면으로 꾸준히 진행되어 왔다. 하나는 가시광영역의 광탐지기에서의 광도전막(photo-conductive ... 성이 우수하고, 빠른 광응답 속도를 갖는 CdS 박막을 제조하는데 관심이 집중되어 있으며, 후자의 연구에서는 낮은 비저항과 사시광영역에서의 높은 광투과도를 갖는 CdS 박막을 제조하는데

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.06

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[공학]CMP 동작순서, 종류, 연마특성, 금속막 두께 측정 방법

의 두께를 가질 때에는 ESCA에 의한 박막의 두께 측정이 가능해진다. S는 박막 F를 입히는 데에 사용한 기질이고 O는 박막 위에 생긴 덧층(overlayer, 주로 진공 중에 존재 ... 1. CMP(Chemical Mechanical Polishing)평탄화란 단순히 가공면이나 박막표면의 평면도를 향상시키는 것이 이외에 표면의 도출부를 선택적으로 제거하는 것 ... 과 동시에 이종 재료를 균일하게 제거하는 것등의 개념이 포함되며, 최근에는 반도체 디바이스를 고밀도화, 미세화 및 배서구조의 다층화에 따른 단차 증가를 평탄화하는 것이 필수이다.CMP

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.13

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