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"낸드플레쉬" 검색결과 641-660 / 790건

  • 상생경영 기업사례 - 하이닉스 상생경영 전략 분석
    , 수상현황, 핵심가치 - CI, BI, SLOGAN, 사회공헌활동ABOUT COMPANYo 기업 개요O D램과 낸드플래시와 같은 메모리 반도체 제품을 기반으로 성장 O 핵심사업 분야 ... 의 메모리 반도체 제조사 ( 매출, 생산 부문 국내 2위, 세계 5위 ) - 주요 제품 : DRAM, SRAM, 플래시 메모리 칩 ( 다이오드, 트랜지스터 및 유사반도체 제조업 )
    리포트 | 59페이지 | 5,000원 | 등록일 2010.09.01
  • [기업분석]삼성전자기업분석
    )을 투자했다.2) 신규투자삼성전자는 19일 경기 화성과 기흥의 D램·낸드플래시 라인 증설을 위해 7868억원을 신규 투자키로 했다고 밝혔다.이번 투자는 화성공장의 D램 라인인 10 ... ∼13라인 중 일부의 공정을 개선하고,기흥공장의 300mm 낸드플래시 전용 라인인 14라인의 생산 규모를 확대하기 위한 것이라고 삼성전자측은 설명했다. 특히 이번 투자로 기흥 14라인 ... 부터 새 공정을 적용해 양산에 들어갈 계획이다.삼성전자의 이번 투자는 최근 미국의 세계 1위 반도체 업체인 인텔이 마이크론테크놀로지와 손잡고 낸드플래시 사업에 본격 진출하는 등 치열
    리포트 | 31페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.06.21
  • 삼성전자와 스티브잡스
    PC 사업부 아이팟 사업부 온라인 컨텐츠 사업부 아이폰 사업부핵심역량 원가절감능력→ 원가우위 낸드 플래쉬 메모리를 삼성에서 저가에 대량 공급 받고 생산기지를 대만에 둠 각 제품
    리포트 | 34페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.10.16
  • 반도체 기술과 산업
    %를 점유하며 세계시장에서 주도.5)우리나라 반도체 산업의 문제점(외부)국내 대표 반도체 수출품인 D램의 과잉공급으로 인한 가격폭락. 낸드플래시 메모리 시장마저 가격폭락.5)우리나라 ... 기반 구축(주로OEM) 91년 자체브랜드 DRAM생산 94년 DRAM 생산 일본 추월 96년 Flash Memory, LP SRAM, MS DRAM 다양화 05년 IT산업 및
    리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.11
  • 하이닉스 마케팅전략의 문제점과 해결방안 보고서
    급 양산에 들어갔으나 아직 30나노급은 개발 중인 상황이다. 해외 업체 중에서는 일본의 엘피다가 40나노급을 양산 중이다.낸드 플래시는 격차가 크게 줄었다. 삼성이 지난해 3월 ... 2, DDR3 인터페이스를 지원하는 다양한 제품 군을 개발 중이다.(2) NAND FLASH현재 하이닉스는 SLC와 MLC CHIP을 모두 생산하고 있으며 128MB-64GB 용량
    리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.04.19
  • 애플과 삼성
    컨텐츠 사업부 아이폰 사업부핵심역량 원가절감능력→ 원가우위 낸드 플래쉬 메모리를 삼성에서 저가에 대량 공급 받고 생산기지를 대만에 둠 각 제품을 보급형 제품과 고급 제품으로 구분
    리포트 | 34페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.10.13
  • Nanotechnology가 우리에게 가져다 줄 혜택은 무엇인가
    로 2006년 9월 삼성전자가 발표한 40㎚ 리소그래피 기술로 만든 세계 최초의 32기가 낸드 플래시 메모리가 있다. 전원이 없는 상태에서도 정보가 계속 저장되어있는 플래시 메모리 ... 는 CD, DVD, HDD 등 다양한 저장매체들을 대체할 것으로 예상된다. 최근 하드디스크가 없는 낸드 플래시 메모리가 장착된 노트북이 출시되었는데, 속도는 하드디스크보다 3배 빠르고 모 ... Resistance; GMR)재료로 되어 있고 자기매체에 대하여 수 나노미터의 높이로 부상시켜 유지되어야한다.- 플래쉬 메모리 : 정보전자 분야에서 우리나라의 세계적 나노소재기술 성과
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.28
  • [아이팟]삼성과 애플의 레인콤 죽이기
    한 가격으로 애플에 낸드 플래시 메모리를 공급했기 때문에 이렇게 대단한 가격이 설계될 수 있었던 것이다.삼성과 애플의 이러한 계약으로 인하여 삼성이 하반기에 생산할 낸드플래시 메모리 ... 다. ‘아이팟 나노’에 대응하기 위해 셀 하나에 두 개이상 데이터가 저장되는 MLC(Multi Level Cell) 낸드 플래시메모리를 적용한 ‘FY700’을 오는 11월 국내 최초로 출. ... 은 레인콤, 거원, 엠피오 등의 플래시형 제품들이 뛰어난 기능으로 수성을 하고 있었다. 하지만 애플은 끊임없이 제품의 새로운 변화를 추구하며 중소 MP3 플레이어 업체들을 위협
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.01.28
  • 삼성전자 - 기업분석(가치, 비젼, 주요사업, 주요제품등), 성공전략(마케팅 STP 4P SWOT BCG), 나아갈방향 전략 제시
    의2005 2009HISTORY연혁세계 최초 70나노 4기가 낸드플래시 개발 플래시메모리 전체, 첫 세계 1위 달성 TV업계 최초 20% 점유율 돌파 삼성 휴대폰, 미국서 1억5
    리포트 | 48페이지 | 5,000원 | 등록일 2010.02.09
  • 차세대 신성장 동력정책
    개발 소프트웨어에 대한 선택의 플 랫폼으로 인텔 아키텍처를 추진하고 있습니다.5. 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 : 제공하는이 장치의 다양한 사용을위한 제품을 플래시 메모리 낸드
    리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.15
  • 수요예측실패사례
    ◇ '윈도 비스타'출시에 따른 수요증가에 대한 기대에 미치지 못한 D램과 낸드플래시◇ 휴대전화 판매량은 '프리미엄'보다 '신흥시장'을 겨냥한 중저가 제품들이 선전수요예측 실패사례삼성전자
    리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.10
  • [경제]지적재산권의 침해사례분석 및 향후대책방안
    제소2004.11.10 한국경제신문일본 도시바가 하이닉스반도체를 대용량 낸드 플래시메모리 특허 침해 혐의로 도쿄지방법원에 제소했다고 니혼게이자이신문이 9일 보도했다. 하이닉스는 이 ... 에 대해 대응특허를 보유하고 있어 대등한 입장에서 협상에 임하겠다는 입장이다.도시바는 하이닉스 일본법인이 낸드플래시메모리 회로 구조에 관한 특허 3건을 침해했다며 도쿄지방법원 ... 에 판매금지 및 손해배상청구를 신청했다. 또 하이닉스 미국법인이 낸드 플래시 관련 특허 4건과 D램 관련 특허 3건을 침해했다며 텍사스 연방 법원에 제소했다. 도시바는 하이닉스가 지난
    리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.11
  • 반도체 공학 개론 HW#1
    .황의 법칙을 증명하듯이 1999년 낸드플래시 메모리 256메가를 개발했던 삼성전자는 2000년 512메가를 비롯, 매년 2배의 집적도 향상을 기록하면서 이번에는 16기가 개발
    리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.06.12
  • [경영학원론]하이닉스 사의 윤리경영과 환경·안전·보건경영
    )과 NAND Flash DRAM의 주요 제품군으로는 데스크 탑, 노트북, 컴퓨팅 메모리, 그래픽 메모리 NAND Flash의 주요 제품군은 메모리 스틱, MP3P, PMP, 디지털 ... 의 반도체 생산기업. 세계 최대 DRAM 생산 능력을 지닌 업체. 메모리 사업은 DRAM 생산부문, SRAM 생산부문, FLASH MEMORY 생산부문 등이 있으며, 비 메모리 ... 는 삼성, 마이크론, 인피니온, 엘피다, 파워칩, ProMos등NAND Flash 시장의 경쟁구도 - 선두인 삼성전자의 단가하락과 후발업체들의 맘모스 급 투자로 인해 경쟁력 유지
    리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.08.20
  • 삼성 반도체 산업
    Sensor, 고속 멀티미디어카드 컨트롤러와 플래시메모리가 집적된 세계 최고속 멀티미디어카드 , 스마트카드 IC 에 세계 최대 128MB 의 대용량 낸드플래시를 SiP 로 탑재 ... 율 세계 1위 달성 1994년 256M DRAM 개발 1996년 1G DRAM 개발 2001년 1G 플래시 개발 2004년 8G 플래시 개발 2005년 세계 최초 50나노 16기 ... 산업1위27%SRAM1위19%LCD Driver IC1위25%Flash Memory1위29%DRAM순위점유율제품자료: 삼성전자(2004년 기준)반도체 순위단위: 조 원삼성전자 반도체
    리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.04.01
  • 삼성전자 기업분석
    나노 제품을 개발완료, 양산 중에 있습니다. 낸드 플래시 부문에서는 51나노 공정 비중을 축소 중이며 42나노 제품을 양산 중입니다. 또한 MoviNAND, SSD(Solid ... 기가 NAND 플래시 개발? ? 2003.11.23 ? ? 본점 소재지 수원시 팔달구 매탄동 416에서? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?수원시 영통구 매탄동 416 ... ? ? 2004.09.20 ? ? 세계 최초 60나노 8기가 Nand Flash 개발? ? 2005.01.04 ? ? 세계최대 21인치 TV용 OLED 개발? ? 2005.01.10
    리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.04.29
  • 하이닉스 2009 기업분석
    /00 뉴모닉스社 및 파이슨社와 낸드플래시 응용제품용 컨트롤러 3자 공동개발 계약 체결Ⅱ.추세분석제 57기에는 당기 순이익이 1,692,478백만 원으로 전년대비 흑자율이 +197 ... 으로는 DRAM, SRAM, Flash Memory등의 메모리칩을 생산하고 있으며, LCD 구동칩, MCU, CMOS Image Sensor 등 3대 전략 육성분야를 중심으로 제품
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.25
  • 글로벌환경과 마케팅전략
    전환과 함께 메모리 수요가 계절적 비수기에 접어드는 2007년 말 이후 D램·낸드플래시 모두 공급이 과잉되겠지만 2008년 하반기부터는 설비투자 증가세 둔화, 계절적 수요증가로 수급
    리포트 | 16페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.03.29 | 수정일 2018.03.21
  • [마케팅]글로벌 환경의 변화와 마케팅
    과 함께 메모리 수요가 계절적 비수기에 접어드는 2007년 말 이후 D램·낸드플래시 모두 공급이 과잉되겠지만 2008년 하반기부터는 설비투자 증가세 둔화, 계절적 수요증가로 수급
    리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.03.11
  • 나노(프리젠테이션
    · 에너지국방 (안보)항공 우주전자,통신분야반도체 (40나노 32기가 낸드플래시 개발)포켓컴퓨터 (ULV 코어솔로 CPU를 탑재)의료분야나노 로봇생명공학분야바이오기술과 나노기술
    리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.05.06
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