"단결정 박막"의 검색결과 입니다.

기간
- 전체
- 3개월
- 6개월
- 1년
- 2년
- 3년
- 5년
직접입력

적용
연관순
- 연관순
- 최신순
영역
- 전체
- 제목
- 본문
- 태그
페이지 수
- 전체페이지
- 1 페이지 ~ 5 페이지
- 6 페이지 ~ 10 페이지
- 직접입력 페이지 ~ 페이지 적용
확장자
- 전체
- 한글
- PDF
- MS워드
- MS엑셀
- MS파워포인트
- 압축파일
- 기타
할인자료 보기

연관검색어

태양전지 금오공대 반도체 숭실대 다결정 반도체 공정 dssc 반도체 제조공정 증착 고분자oled박막 재생에너지

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

"단결정 박막" 검색결과 601-620 / 1,630건

고분자유기태양전지

을 통해 필름과 같은 플렉서블 기판에도 박막 형성이 가능해 여타 박막 태양전지 기술에 비해 공정비용을 절감할 수 있다.이번 실험에서는 고분자 유기 태양전지 소자를 제작한다. 먼저 ... Active층 용액을 stirring과 heating 공정을 거쳐 제조하고, ITO glass 기판을 에칭 및 세척과정을 통해 준비한다. 준비된 기판에 활성층 박막을 스핀코팅 ... 하다.태양전지는 구성하는 물질에 따라 실리콘, 화합물반도체와 같은 무기소재로 이루어진 태양전지, 나노결정 산화물 입자 표면에 염료가 흡착된 염료감응형 태양전지, 그리고 유기분자

리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.02

다운로드 장바구니
단결정 성장 공정

1.단결정 성장 공정1) 반도체에 단결정을 사용하는 이유 2) 결정성장이란? 3) 결정 성장법의 종류 및 원리 4) 사용분야단결정단결정 정의: 원자가 규칙적으로 배열하여 하나 ... 의 결정을 이룬 것단결정다결정사용이유 1. 전자가 단결정 내부에서 움직이기 쉽다 2. 특정한 방향으로 특정한 성질을 갖는다. 3. 개개의 원자는 일정한 전위(전압)을 지니고 있 ... . Swimming Crucible czochralski(SCC법)Si 융액아르곤 분위기고주파 가열용 코일석영 도가니흑연 도가니끌어올려진 단결정 Si 인고트회전샤프트종결정자장부상도가니보호막(예:B

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.27

다운로드 장바구니
박막 형성

가 느림 → 조대한 결정 형성(5) 기판 온도와 증착 속도에 따른 핵 생성 속도의 변화: 증착 속도: 기판온도에서 박막 핵의 평형 증발속도Ω : 원자 부피① 기판 온도 의존 ... 있다.※ 결정립이 큰 구조나 단결정을 형성시키려면 - 높은 기판온도, 느린 증착속도결정립이 작은 구조나 비정질 구조를 형성시키려면 - 낮은 기판온도, 높은 증착속도 ... 생성 속도와 온도와의 관계를 분석하면 다결정에서 단결정으로의 천이 온도를 예측할 수 있다. 그리고 epitaxial 성장은 천이온도 이상에서만 가능하다.이것은 표면확산에 바탕

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.23 | 수정일 2022.06.21

다운로드 장바구니
화합물 반도체

다. 이 때 단결정의 품위는 device의 성능에 직접적인 영향을 미친다. 둘째. 기판 위에 박막을 성장시키는 경우이며 박막에 결함이 전파되지 않기 위해서는 결함이 적은 웨이퍼 즉 기판 ... 갈륨비소는 큰 원형의 단면적을 가진 결정을 얻기 어렵다는 문제가 발생한다. 단면적이 작으면 웨이퍼 면적도 작아서 조금밖에 칩을 만들 수 없다는 경제성의 문제도 있다.실리콘과 갈륨비소 ... 단결정 성장Ⅲ-Ⅴ와 ⅡⅥ 화합물 반도체에서 단결ㅈ어 웨이퍼의 품위는 다음의 두 가지 경우에 중요하다. 첫째, 단결정으로부터 가공된 웨이퍼에 직접 device를 만드는 경우이

리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02

다운로드 장바구니
OTFT의 원리 및 특성

에 따라 전송방식이 달라져 mobility 가 변한다 . phonon 산란등으로 이동도가 현격하게 감소 . 따라서 박막 상태에서 분자 정렬이 양호한 단분자를 사용한다 . 가장대표 ... 으로 제어하는 전압 - 제어형 트랜지스터를 전계효과트랜지스터 (FET) 라고 한다 . Transistor 의 반도체 소재로는 지금까지 비정질 Si 이나 다결정 Si 가 사용되어왔 ... FET 분류 TFT 의 구조 MOSFET 의 구조2. OTFT 의 구조와 원리 증착온도에 대한 펜타센 박막 입계의 크기 및 이동관계 그래프2. OTFT 의 구조와 원리

리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.11.10

다운로드 장바구니
OLED 수율 향상에 관하여

성을 가진 색소로서 PBD가 많이 이용되고 있지만 PBD 자신을 발광층으로 이용하면 청색의 발광을 나타낸다. 단 결정화하기 쉬운 등의 결점이 있지만 전자수송 재료로서 유효하게 이용 ... 지만 절연성 고분자를 이용하여 막 두께가 두껍게 되기 때문에 구동전압이 높은 문제점이 있었다. 본격적으로 실용재료로서 주목된 것은 100nm 정도로 박막화한 PPV를 이용하여 제작 ... 다. 하지만 장비의 대형화가 문제점이 된다.절연층 패터닝< 그림 . 노광 과정 >ITO 패터닝과 마찬가지로 세정, 건조, 도포 차례로 공정을 행한다.glass 기판 위에 진공박막

리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.11.21

다운로드 장바구니
(포토리소그래피) Manufacturing Processes - Photolithography

Materials)실리콘 기반 반도체칩의 경우 실리콘 단결정 웨이퍼를 사용하게 된다. 기존 공정에서는 단결정 표면의 작은 결함이 있어도 회로선폭이 커서 소자 특성에 큰 영향을 미치지 않 ... 하여 같은 모양의 패턴을 반복하여 복사하면 짧은 시간에 소자의 대량 생산이 가능하다. 물론 포토리소그래피 공정만으로 차원 구조가 만들어지는 것이 아니라 박막증착과 식각 등 여타 단위 ... (Photo Exposure) 시 빛을 받는 부분을 결정하는 공정이기 때문에 마스크 정렬시 주의를 기울여야 한다. 그림에서와 같이 떨어져 있는 웨이퍼와 마스크를 정렬하여 하나

리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.11.20

다운로드 장바구니
금속유기화학증착법(MOCVD)

이 일어나는 경계 영역 내의 반응에 의해 성장속도가 조정되어 박막 두께가 결정된다.√ MOCVD를 이용한 GaN의 에피성장은 sapphire기판과의 격자부정합을 해결하기 위해서 s ... 개략도② 기판과의 결정 결함√ 문제점성장과정 중 가장 큰 문제는 격자 정합된 기판의 부재로 인하여 양질의 단결정막을 얻기가 어렵다는 것이다. 대부분 (0001) 사파이어기판을 사용 ... LED용 금속유기화학증착법 (MOCVD, Metal-Organic CVD)1. MOCVD 기술√ MOCVD법은 유기금속화합물과 수소화합물의 가스 열분해 반응에 의하여 반도체 박막

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

다운로드 장바구니
일반물리실험 전류천칭 사전보고서 결과보고서

3. 전류 천칭(last update: 2010.10.18)1. 목 적전류가 흐르는 도선이 자기장 안에 있을 때 받는 자기력을 결정하는 요인들을 실험적으로 확인한다.2. 이 론 ... ` bold{B}(2)인데, 여기서c``는 빛의 속도이다.전류는 전하의 움직임이므로 전류가 흐르는 도선도 자기력을 받는다. 단면적이A``이고 길이L``인 도선 내에 전하q``이고 밀도n ... ``), 자기장 내의 도선의 길이(L``), 자기장의 세기(B``), 그리고 자기장과 도선이 이루는 각(theta``)에 의하여 결정된다.실제 이 실험에서는 자석이 전류가 흐르는 도선

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.02.04

다운로드 장바구니
재료공학기초실험 주사전자현미경(SEM)관찰 실험 A+레포트

에 조심 하도록 한다.①시험편의 절단-세라믹 분말의 경우에는 카본 테잎 위에 분말을 떨어뜨려 준비하며, 소결체의 경우에는 단 면 분석을 위해 시험편을 적절한 크기로 절단하여 3x3의 크 ... 다,③결정립 크기 분석-주사전자현미경으로부터 얻어진 사진을 통해 결정립의 평균크기를 계산하여 측정한다. 주사전자 현미경에서 얻어 진 사진에 대각선 또는 무작위의 직선을 그어 직전의 통과 ... 하는 결정립의 수를 직전의 길이로 나누어 배율을 고려하여 결정립의 평균크기를 얻는 방법을 사용한다.3.이론1) SEM의 정의 및 작동원리①정의시료표면의 입체구조를 직접 관찰하는 기능

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.26

다운로드 장바구니
DSSC pre

: GaAs/Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등㉡ 이용목적 및 구조에 따른 분류ⓐ 지상용 태양전지- 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등- 박막형 : 비 ... 할 수 있다.㉠ 재료에 따른 분류ⓐ 실리콘계 태양전지 ( silicon solar cell )- 단결정 실리콘 태양전지 ( single - crystalline silicon s ... 정질 실리콘, CdS, CdTe, CuInSe2 등- 집광형 : GaAs 계열, 적층형 등ⓑ 위성용 태양전지- IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)- GaAs 계열

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.21

다운로드 장바구니
KNU 기초전기전자실험 스트레인게이지

실리콘이 이용되고, 그 종류에는 단결정 벌크 게이지, 기판 위에 실리콘을 박막화한 박막 스트레인 게이지, 확산형의 게이지, 그리고 p - n 접합 게이지 등이 있다. 많이 사용 ... 되는 벌크 게이지는 아래 그림과 같이 p형 또는 n형 실리콘 단결정으로 제작한다. 이것의 동작원리는 압저항 효과를 이용하고, 반도체의 전도방식에 따라 그 효과가 달라진다. 반도체 ... 영향이 있으므로 3선의 리드선 타입을 권합니다.)⑤ 저항체에 의한 분류저항선게이지(저항 세선), 저항박게이지(저항박), 반도체게이지(반도체 단결정), 증착게이지(금속 또는 반도체

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.11.08

다운로드 장바구니
태양전지 역사 및 종류, 기술현황, 사례

하면서 아래에서 위로 단결정을 형성 시키는 방법 . 19핵심기술 – 박막제조 공정 박막이란 기판상에 절연막 , 실리콘막 , 금속막을 형성 ( 퇴적 ) 시키는 막을 가리킨다 . 박막 제조 ... 전류가 흐름 11태양전지의 종류 12단결정실리콘 태양전지 고순도로 순화된 실리콘을 고온 (1500℃) 으로 가열 두께 약 300㎛ 의 웨이퍼 제조 p-n 접합체 제작 반사방지막 ... 을 형성한다 . 제조공정은 복잡하며 비싸다 . 현재 자동화와 연속화에 의한 비용절감의 연구가 진행되고 있다 . 변환효율은 24 ~ 28% 13다결정실리콘 태양전지 단결정실리콘의 입자

리포트 | 33페이지 | 4,200원 | 등록일 2009.10.06

다운로드 장바구니
반도체 공정의 이해

heater 형성된 박막 이온화된 Ar magnetron 전원장치 evaporation 은 sputtering 대비 높은 증착률을 가지지만 , 기화된 material 은 단방향성을 가지 ... 반도체 공정의 이해 Prepared by ○○○ 2011.11.18( 금 )One chip 을 만들기까지 …. Design spec 결정 Design schematic ... 의 원자로 만들어 증착시키는 방법 .진공 챔버 기판 형성된 박막 E-beam 가열 저항가열 material Evaporation flow Substrate heater Thin

리포트 | 29페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.18

다운로드 장바구니
판매자 표지

[태양전지]태양전지의 모든것 (솔라셀 Solar Energy 솔라에너지, 태양전지의 구조와 종류 및 산업동향)

전지 등으로 크게 분류할 수 있으며, 현재 상용화되어 시판되고 있는 태양전지는 단결정 및 다결정 실리콘 태양전지, 비정질실리콘 태양전지 등으로 태양전지의 에너지변환효율은 단결정 ... 의 형태에 따라 기판형과 박막형으로 나뉜다. 다양한 태양전지 중에서 현재 태양광발전용으로 널리 쓰이고 있는 것은 기판형 결정질 Si 태양전지이며, 나머지 대부분은 인공위성 전원 같 ... )의 개발 등이 추진되고 있다.3.1.2 다결정 실리콘 태양전지다결정 실리콘 태양전지는 단결정에 비해 효율이 떨어진다. 그러나 제조공정이 단결정에 비해 간단하고, 고생산성으로 인해

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.21

다운로드 장바구니
박막트랜지스터

1. 박막트랜지스터?박막트랜지스터는 TFT라고도 한다.제작을 위해서는 반도체와 절연체, 그리고 금속의 박막을 차례로 증착하여 만든다. 전압 대 전류 비의 특성곡선 모양은 단결정 ... 전기장 효과 트랜지스터(MOSFET)의 것과 유사한 형태를 하고 있다. 그러나 반도체 막을 증착에 의하여 만들기 때문에 단결정 반도체 막에 비해서 더 많은 전기적인 결함과 격자구조 ... 의 불완전함을 제작 공정에서 동반하게 된다.그것이 단결정트랜지스터에 비해서 복잡한 전류 전달 모델을 갖게 하여서 특성의 완전한 수치적인 해석은 컴퓨터의 도움을 받아서만 가능

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.01.07

다운로드 장바구니
압력 감지를 위한 로봇 피부의 설계

대규모 시스템 제어에 이르기까지 광범위한 분야에 응용되고 있다.실리콘 단결정체의 표면층에 변형게이지 저항체를 확산형성하여 휘스톤 브리지를 형성시키고, 압력이 가해졌을 경우에 피에조 ... 한 것이 정전용량식 반도체 압력센서이다. 정전용량식의 경우는 반도체 특유의 특성을 응용하고 있지 않기 때문에 반드시 반도체에 한정되지 않으며, 전술한 것과 같이 단결정 실리콘이 다 ... 적으로는, 실리콘 단결정체의 표면층에 변형게이지 저항체를 확산형성하고, 이 변형게이지 저항체 4개로 휘스톤 브리지를 형성시키고, 에칭에 의해 실리콘단결정체의 이면에 오목부를 형성하고, 얇

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.20

다운로드 장바구니
화합물 반도체(Compound Semiconductor)

형, N형 반도체가 되기 때문에 고집적화도 가능하다.화합물반도체의 단결정은 Si의 인상법과 거의 동일한 요령으로 제조할 수 있으나, 2종류 이상의 원소의 혼정이기 때문에 앞으로 많 ... 은 연구를 필요로 한다. 이 단결정은 대구경화가 어렵다.화합물반도체는 화합물 원소의 융점 등, 그 특성에 차이가 있기 때문에 결정성장에는 특별한 연구가 필요하다.화합물 반도체는 원소 ... 갈륨비소는 큰 원형의 단면적을 가진 결정을 얻기 어렵다는 문제가 발생한다. 단면적이 작으면 웨이퍼 면적도 작아서 조금밖에 칩을 만들 수 없다는 경제성의 문제도 있다.현재는 화합물

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29

다운로드 장바구니
ZnO 나노 분말 합성

등 여러 특성이 측정되었다. GaAs 단결정 기판상의 N-In 공도핑된 p형 ZnO와 n형 ZnO 박막의 동종 접합에 의한 LED와 n형의 ZnO 나노막대와 p형의 poly-2,4

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.15

다운로드 장바구니
환경과대체에너지1A)최근2008년 이후 태양광에너지의 국내외현황및발전동향기술하시오ok

(기판형)는 시스템화 연구를 통해 상품화 단계를 거친다. 다결정질 실리콘 박막형태양전지는 기초연구단계로 요소기술을 확보하였으나 상품화를 위한 제조설비의 투자비 과다로 사업화가 중단 ... 동향을 기술하시오(단, 참고문헌을 본문에 표시해야 함).Ⅰ. 서 론에너지는 우리인간이 생존하고 있는 곳에 많은 편리함과 이로움을 주고 있다. 만약에 에너지 고갈 사태가 지속 ... 열으로 사용할 수 있으며, 필요한 장소에서 필요량 발전가능하다. 그리고 유지보수가 용이, 무인화 가능하며, 긴수명(20년 이상)으로 반영구적이다.(2) 단 점전력생산량이 지역

리포트 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.09.10

다운로드 장바구니

이전10개 26 27 28 29 303132 33 34 35 다음10개

파워링크

신청하기