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4point probe 신소재프로젝트1 cvd 캐리어의 이동도 광촉매 브리즈만 법 반도체공정실습
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"GaAs시료" 검색결과 41-60 / 92건

  • 자료 표지
    결정 성장 기술
    에 있어 반도체 박막 결정을 형성시키는 매우 중요한 공정기술이다. 특히 GaAs를 포함하는 일부 화합물 반도체는 다른 방법보다는 VPE법을 사용하여 보다 순수하고 결정구조가 완전 ... 들을 자체보다 낮은 온도에서 녹기도 하기 때문에, 이러한 혼합물 용액으로부터 결정을 성장시키는 것이 유리한 경우가 종종 있다. 예를 들어 GaAs의 용융점은 1238 oC이나 금속 ... Ga와 GaAs의 혼합물은(이 혼합물의 조성비에 따르지만) 상당히 낮은 용융점을 갖는다. 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체가 용융되는 온도보다 낮은 온도에서 녹는 Ga+GaAs
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.06
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  • 자료 표지
    나노소재분석기기
    ◎RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction)RHEED는 수(10~50KeV)KeV 정도의 고에너지 전자빔을 시료의 표면에 저각 ... 의 각도에서 스크린상에 관찰된다.다음 그림과 그래프는 15KeV 의 전자beam을 사용했을 때 (100)-GaAs 표면에서 나타난 RHEED pattern이다.◎LEED(Low ... 적인 배열 (Periodic array of atoms)에 의한 전자회절 (Electron- diffraction)로써 시료의 결정구조를 알아내는 장치이다. 전자총에서 전자를 방출
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.23
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  • 자료 표지
    박막 태양광기술에 대해서 전문적인 자료입니다
    (CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3CH4 Al(CH3)3 + AsH3 → AlAs + 3CH4Metal-Organics - 하나의 metal 원자가 Organic ... → 성장박막의 물성을 매우 정밀하게 제어, 재현성이 뛰어남, 대형박막 쉽게 제작 → 동시증착과 스퍼터링법에 비하여 박막성장속도 빠름 → 가열된 기판에만 증착물이 선택적으로 증착되어 시료
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    | 리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.08.26
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  • 자료 표지
    박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거 (반도체 식각)
    하으로 사용되는데 GaAs, InSb, Gap, CdS, PbSnTe 등이 있다. 현대 소자에서는 Si, Ge, GaAs, InP등이 주류를 이룬다.반도체 소자는 반도체의 전기 ... ), 게르마늄(Ge)Ⅵ족셀렌(Se), 테르르(Te)Ⅲ-Ⅳ족화합물반도체갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP),인듐비소(InAs), 인듐인(InP)Ⅱ-Ⅵ족화합물반도체황화아연(ZnS), 셀레화아연 ... dc bias for ion acceleration전자와 이온의 mobility 차이로 인하여 시료가 놓여있는 전극이negative charge (self-bias voltage
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.13
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  • 자료 표지
    [수의 생리학 실험] 세포수의 계산
    , 성별, 운동, 영양상태, 비유, 임신, 흥분, 성주기, 품종, 환경(기압, 온도)등에 따라서 달라지며, 개체에 따라서도 차이가 있고, 동맥혈과 정맥혈의 시료에 따라서도 다를 수 있 ... 사용되는 용액은 Turk solution으로 GAA(glacial acetic acid0 3㎖와 1% gentian violet 1㎖를 100㎖ D.W.에 혼합하여 만든다. 이
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    | 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.04.01
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  • 자료 표지
    발광다이오드 LED 원리 역사 기술동향
    外領域)에 존재할 것, ② 발광효율이 높을 것, ③ p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 ... GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있 ... 의 경우에는 GaAs와 AlAs의 혼합 결정인 GaAlAs, GaAs와 GaP의 혼합 결정인 GaAsP가 주로 사용되어 왔다. GaAsP는 미국의 몬산토사에서 결정성장법의 특허
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    | 리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.08.26
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  • 자료 표지
    방사선센서, 방사선센서 종류
    해서 탄소보다 원자번호가 큰 원소분석이 가능한 분산형 X선 분광기로 시료분석에 이용된다.다. 고순도 Ge 방사선 센서: 온도 사이클이 가능하여 측정할 때만 냉각하면 되므로, 소형 ... 의 저온장치를 부착한 가반형 방지 시스템에 이용된다.라. 화합물 반도체 방사선 센서: GaAs, CdTe,HgI _{2}, GaSe, SiC, 다이아몬드, ZnTe,B`i _{2} S
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.11.21
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  • 자료 표지
    양자역학의 역사와 슈레딩거방적식 유도, 반도체소자 적용
    이 되면서 성장을 하게 된다.□ Lattice mismatch가 4% 이하여야 가능하다.□ Heteroepitaxial film의 대표적 예1. GaAs기판위에 AlGaAs ... 소자나 기억 장치, 또는 전파망원경에서 고주파 신호처리에 사용된다.(전자 이동도가 실리콘의 수백 배 정도 빠르다)3. GaAs 등의 기판위에 AlGaAs 등 ... allo.)□ Method1. GaAs 와 InAs를 섞는다.2. x에 변화를 주면가 변화한다.(표-1 참고)3.가 1.55파장을 지니는 곳의 x로 위에 alloy를 만든다.(표-1
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.02
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  • 자료 표지
    2-암페어법칙
    .0195m1차 코일 (작은 코일)N=260회,코일굵기 : 1mm길이 : 130mm코일 내경 : 24mm코일 외경 : 28mm- 시료 케리어(SG-9111-7) 2EA- 링도선 연결 ... mT, 0~200mTAccuracy : ±5%Hall Sensor type : GaAs2 Probes:접선방향(SG-9115-1) 1EA,축방향(SG-9115-2) 1EASize ... .솔레노이드의 길이를, 중심을 원점으로 잡으면 중심(x=0, a=b=l/2)과 끝점(x=l/2)에서 자기장의 세기는 (3)가 된다.실험 기구직선도선 시료, 원형 코일 시료 세트
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.01
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  • 자료 표지
    화합물 반도체
    ---- 목 차 ----◎ 화합물 반도체의 정의◎ Si 반도체와의 차이◎ 화합물 반도체의 종류※ III-V 족 화합물 반도체 (GaAs, GaN)※ II-VI 족 화합물 반도체 ... 이 어렵다.< (a) 화합물 반도체 구조 (b) Si 반도체 E-K 다이어그램 >◎ 화합물 반도체의 종류※ III-V 족 화합물 반도체 (GaAs, GaN)GaAs 화합물 반도체 ... 는 중요한 문제이다. 성장 시 EL2 결함이 흔히 생성된다. 인위적인 불순물을 첨가하지 않은 시료에서 주로 관찰되며 깊은 에너지 준위를 갖는다. 이 깊은 에너지 준위로 인해 기술
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.11
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    화합물 반도체
    이 도체와 절연체의 중간인 10∼100Ω㎝ 범위에 있는 물질이며, 어떤 온도 이상으로 온도가 높아질수록 저항률이 떨어지는 것이다.여기에는 원소 주기율표 3-5족의 비소화갈륨 GaAs ... 의 실상을 증명하고 그 물리적 성질을 밝히면서부터였다.재래의 반도체는 Si, Ge 등의 단일원소의 것이 주류를 이루고 있었으나 그밖에도 GaAs 등 화합물반도체의 한 무리가 특수용도 ... 하여, 합계 8이 되는 경우 반도체가 된다. 예를 들면 다음과 같은 것이다.- III족+V족 : GaAs, GaP, InP- IV족+IV족 : SiC- II족+VI족 : ZnSe
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    | 리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.02
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    JFET과 MESFET에 관한 보고서
    로 교류신호에 대해서만약 이식을 다시 정리하면■ The Metal Semiconduct or FET (MESFET)GaAs는 Si에 비해 전자의 이동도가 몇 배 빠르고 이로 인해 ... Si 보다 낮은 기생 저항, 큰transconductance 및 빠른 transit time을 갖고 있다. 이와 같은 GaAs의 우수성에 의해GaAs MESFET은 디지털 집적회로 ... voltage를 simulation하고 그 결과를 해석해보았다.머릿말1971년 Turner에 의해 게이트 길이가 1μm인 GaAs MESFET가 제작된 이래 GaAsMESFET
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23
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  • 자료 표지
    단결정 성장 방법에 관한 조사 입니다.
    diagram and Photograph of Verneuil apparatus6. HB(Horizontal Bridgeman)- HB법은 GaAs 용융액의 한 끝을 종자와 접촉 ... 과 크 조절할 수 있다. LEC법은 결정성장 시 GaAs의 용융 액을 액상의를 사용하여 외부에서 압력을 가해 As가 날아가는 것을 막는 것이다. 그러나,로 눌러줄 때 GaAs와의 밀도 ... 되면서 시료가 적정 온도 구배지역 을 지나는 과정에서 고,액 계면으로부터 결정이 성장되어지는 방법이다. VGF법은 그와 반대로 시료는 고정된 위치에 있으면서 발열체에 의한 온도조절에 의해
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.09
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  • 자료 표지
    [레이저광][레이저광 특성][레이저광 이용][레이저광 도플러효과][표면광레이저][레이저]레이저광의 특성, 레이저광의 이용, 레이저광의 도플러효과, 레이저광과 표면광레이저 분석
    온도와 함께 크게 변하는 성질이 있다.-발진파장은 0.5～0.8㎚/2～3℃ 정도이고 전체로는 0.3㎚/℃(GaAs)～0.5㎚/℃이다.-직접변조를 하면 파장은 0.2～0.3 ... 시료를 포획된 상태에서 미세수술까지 할 수 있는 광포획-미세수술(optical trapping- microsurgery)기술로 이어질 전망이다.7. 근접장 주사현미경에 이용주사현미경
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    | 리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.27
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  • 자료 표지
    ZnO 단결정 박막 분석
    를 만들 수 있다.ZnO박막 성장용 기판은 주로 사파이어(Al2O3) 기판을 사용하는데 그 이유는 Si, GaP, GaAs 기판등에 비해 결정도가 5배이상 높게 나오는 것이 실험 ... 한 ZnO의 격자 부정합(mismatch)를 크게 줄일 수 있는 기판이다. 사파이어 이외의 기판(GaAs, GaP)에서는 초기 박막이 단결정으로 성장하지 않았으며 어느 정도의 두께 ... 으로 성장하게 된다. 이번실험에서 재료의 선택은 이미 (타인들의) 실행된 실험의 결과가 상당히 반영되었다고 볼 수 있다.fig.3 각 기판에 성장한 ZnO박막의 단면. GaAs, GaP
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.31
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  • 자료 표지
    CBD실험 예비레포트
    는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 증착 ... 시료용기를 빛이 지나는 길에 놓을 때 지시계의 눈금이 %T또는 -logT가 된다.ii). 스펙트럼 측정 : 흡수분광법으로 정량분석할 때에 전체범위의 흡수 스펙트럼을 매번 측정 ... 하고자 하는 농도 범위에서 일련의 표준 용액을 만든다. 표준 용액의 조성은 가급적 시료용액과 비슷해야 하며, 흡광도가 농도 오차 곡선에서 밑부분에 들도록 해야 한다.ii). 바탕액
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.16
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  • 자료 표지
    Hall Effect에 의한 전기적 특성 분석
    효과 트랜지스터(Si-MOSFETs)의 반전층 등이 고전적인 예이다. 갈비/알갈비 이질구조(GaAs/AlGaAs Heterostruc- tures), 양자 우물, 초격자 등 ... 들은 07 cm2/V.sec (∼4.2 K)를 넘는 GaAs/AlGaAs 전자이동도에 관한 연구결과가 발표된 바 있다.양자 홀효과는 MOS소자나 반도체 이종접합(hetero ... 의 환전한 2차원전자계로 볼 수 있다. 이 계에서는 전기장을 제어함으로서 계면상의 전자밀도를 넓은 범위에 걸쳐 변화시킬 수 있으므로 양자효과를 보는데는 좋다. 이종접합은 GaAs
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    | 리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.28
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    JFET과 MESFET에 관한 보고서 내용보충 완결편
    의 단순성으로 말미암아 정밀한 공차(tolerance)의 기하학적 구조로 제작할 수 있게 된다. Si보다도 큰 이동도와 캐리어 표동속도를 갖는 GaAs나 InP와 같은 3-4족 화합물 ... 의 MESFET 소자에 대해서는 특히 속도상의 이점이 있다.GaAs MESFETGaAs는 Si에 비해 전자의 이동도가 몇 배 빠르고 이로 인해 Si 보다 낮은 기생 저항, 큰 ... transconductance 및 빠른 transit time을 갖고 있다. 이와 같은 GaAs의 우수성에 의해 GaAs MESFET은 디지털 집적회로의 고속 스위칭 element, 낮
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.29
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    Magnetic Hysteresis 자기이력선 측정
    자기이력(Magnetic Hysteresis)곡선1. 목 적강자성체 시료에 외부 자기장의 변화를 줄 때, 물질 내부의 자기장이 외부자기장의 변화에 뒤처져 따라가는 자기이력 현상 ... 을 관찰한다.2. 기본 원리 ( 참고문헌 : 대학물리학 P521~523, 대학물리학(청문각) P761~763 )처음에 자화되지 않았던 강자성체 시료의 경우에 외부 자기장를 0 에서 ... 부터 증가시키면 시료 내부의 자기장는 그림 1처럼 곡선 ab를 따라 처음의 급격한 증가에 의해 기울기가 완만해지면서 포화자기장의 값에 접근하게 된다. 이때의 곡선 ab를 자기화 곡선
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.01.31
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  • 자료 표지
    중간고사_물리전자
    tructure이고 이종의 원소로 구성되면 Zinc blende structure 이다 Diamond structure : Si, Ge Zinc blende : GaAs (d). B ... 한 원자와 원자 간의 힘을 이용하여 원자 레벨로 표면의 형상을 측정하는 장비로서 cantilever 끝에 있는 원자와 시료 표면의 원자간의 힘의 변화를 cantilever의 기울어짐
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.28
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2025년 11월 16일 일요일
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