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"기초전기전자실험 레포트" 검색결과 501-520 / 843건

  • 열전도실험 및 대류실험 예비레포트
    전달로부터 고체의 열전도도를 측정하고 열전도도 현상에 대한 기초 이론과 측정법을 익히며, 열전도도와 열전달 현상을 이해하고자 한다.2. 실험장치열전도에 관한 기초사항을 열전도 실험 ... 열유체 공학실험예비 보고서열전도 실험 및대류 실험에 관한 이론적 배경열유체 공학실험 _ 예비 보고서I. 열전도 실험1. 실험목적고체의 열전도도 측정장치를 사용하여 정상상태의 열 ... 장치의 비교법에 의한 측정으로 열의 전도를 쉽게 이해함을 목적으로 제작되었으며 시편(Test piece)의 두께(Thickness)를 변화하여 실험을 행할 수 있게 설계 제작된 실험
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.06.22 | 수정일 2016.11.14
  • 기초전자전기실험 연산증폭기 기초 예비리포트 입니다.
    실험 24. 연산증폭기 기초제출일 : 2010년 11월 29일분 반학 번조성 명1▣ 예비보고서(1) 영 교차 검출기 실험 회로에서 분압기의 역할영 교차 검출기에서는 비반전 단자
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.15
  • 결과12.(전자회로)(울산대)공통베이스및이미터플로워트랜지스터증폭기
    REPORT전기전자공학기초실험공통 베이스 및 이미터 플로워 트랜지스터 증폭기과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월14일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기 ... 전자정보시스템공학부학 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험 결과1) 공통 베이스 DC 바이어스(계산치)(계산치)(계산치)(계산치)(계산치)계산과정 :(측정치)(측정치)(측정치 ... )(측정치)8) 이미터 폴로우 (EF) 출력저항,(계산치)(측정치)(측정치)(측정치)2. 실험 결과 고찰이번 실험은 공통 베이스와 이미터 플로우, 트랜지스터 증폭기에서의 교류전압증폭
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19
  • 예비12.(전자회로)(울산대)공통베이스및이미터플로워트랜지스터증폭기(멀티심시뮬레이션포함)
    REPORT전기전자공학기초실험공통 베이스 및 이미터 플로워 트랜지스터 증폭기과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월7일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자 ... 정보시스템공학부학 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험목적CB와 EF 트랜지스터 증폭기에서,,를 측정한다.2. 이론CB 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 동작에 사용되며,가 낮 ... 는 약 1의, 높은, 낮은를 제공한다. EF의,,는 다음과 같다.,,.3. 실험 순서1) 공통 베이스 DC 바이어스그림 12-1. 공통 베이스 증폭회로① 그림 12-1의 회로
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19
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    [월오전1조]6주차 테브난&노튼 정리 예비레포트
    기초전자공학실험16주차 예비 레포트실험날짜:조 :조원:1.Title테브난&노튼의 정리2.Name3.Abstract1. 복잡한 회로를 하나의 전원과 하나의 저항으로 구성된 등가회로 ... 는 전류 IL- 노튼의 정리 (회로B)등가 전류(18.333mA)를 만족하는 전압값 = 약 5.5V5.5V에서의 RL의 전류값 = 11mA6.Appendix전기전자기초실험 대한전자공학 ... 회 편 실험8 등가 전원 정리 (pp73~84)기초전자공학실험1 실험6주차 Handout 테브난&노튼의 정리http://sales.happyreport.co.kr/sj10302/*************1/
    리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.10.28
  • 예비7.(전자회로)(울산대)쌍극성접합트랜지스터(BJT)특성(간단한멀티심시뮬레이션포함)
    REPORT전기전자공학기초실험쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년5월10일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템 ... 공학부학 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험목적① 디지털 멀티미터(DMM)을 사용하여 트랜지스터 종류(npn,pnp), 단자, 재료를 결정한다.② 실험적으로 트랜지스터 ... 다. 트랜지스터 특성을 실험적으로 측정하고 규격표와 비교하는 것이 실험목적 중의 하나이다.3. 실험순서1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정다음 실험서는 트랜지스터의 형태
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19
  • 결과7.(회로이론)(울산대)(KVL)키르히호프의전압법칙
    REPORT전기전자공학기초실험키르히호프의 전압법칙(KVL)과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년4월5일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 ... 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험 결과표 7-1. 저항기의 측정 저항값정격 값(Ω)3304708201k1.2k2.2k3.3k4.7k측정 값(Ω)340 ... .13015측정값(그림7-7)150.6830.6352.1441.35310.09414.95계산과정:2. 실험 결과 고찰(1) 실험 B의 결과를 KVL을 써서 회로를 해석하시오.표기값으로 계산
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19
  • 전기전자기초실험 Chapter 7 Basic Logic Circuit DesignReport
    ① Survey power consumption and switching frequency of many kinds of IC (TTL, CMOS, etc.)Digital IC’s are largely divided in two groups, TTL (Transist..
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.18
  • 전기전자기초실험 Chapter 8 Combination Logic Circuit DesignReport
    Combination logic circuit design① Using 2×1 multiplexer and 4×1 multiplexer, design 8×1 multiplexer and verify its behaviorThere are two ways to desig..
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.18
  • 예비10.(전자회로)(울산대)BJT바이어스회로설계
    REPORT전기전자공학기초실험BJT 바이어스 회로 설계과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년5월17일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 번 ... :조 명 :이 름 :조 원 :BJT 바이어스 회로 설계1. 실험목적콜렉터 궤환회로, 에미터 바이어스, 전압 분배기 바이어스회로를 설계한다.2. 이론회로설계에 있어서 원하는 회로 ... ? 전압분배기 바이어스 :가 증가하면 안정성 감소3. 실험 과정1) 콜렉터 궤환 회로①,=,=로 하고 그림 10-1 콜렉터 궤환회로에 대해 요구되는값을 결정하라.그림 10-1. 콜렉터
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.03.19
  • 예비6.(전자회로)(울산대)발광다이오드및제너다이오드
    REPORT전기전자공학기초실험발광 다이오드 및 제너 다이오드과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년5월10일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학 ... 부학 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험 목적발광 다이오드(LED)와 제너 다이오드의 사용법과 특성을 익힌다.2. 이론개요발광다이오드는 이름이 함축하는 바와 같이 에너지를 받 ... 았을 때 가시광선을 내는 다이오드이다. 순방향으로 바이어스 된 p-n접합부에서는 정공과 전자의 재결합이 일어난다. 재결합 과정이 일어나려면 결합 전에 자유전자가 가지고 있는 에너지
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.03.19
  • 결과8.(전자회로)(울산대)BJT의고정바이어스및전압분배기회로
    REPORT전기전자공학기초실험쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년5월24일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템 ... 공학부학 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험 결과1) β의 결정전압와를 측정(측정치)(측정치)베이스전류 계산컬렉터전류 계산값 결정계산과정 :2) 고정 바이어스 회로2N ... .824표 8-5.의 백분율 변환31.33%37.43%0.38%6.96%계산과정 :2. 실험 결과 고찰이번 실험은 고정 바이어스와 전압분배기 바이어스 회로에서의 직류 동작점을 결정
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19
  • 결과15.(전자회로)(울산대)전류원 및 전류 미러 회로
    REPORT전기전자공학기초실험전류원 및 전류 미러 회로과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월21일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 번 ... :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험결과1) JFET 전류원(측정치)= 5.96V= 79.2mA표 15-1. FET 전류원회로 값20Ω51Ω82Ω100Ω150Ω[V]0.0255 ... (측정치)= 0.668V(측정치)= 0.068V= 2.39mA= 0.933mA= 2.11mA2. 실험 결과 고찰이번 실험은 전류원과 전류 미러 회로에서 DC 전압을 측정하고, 그
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19
  • 결과15.(회로이론)(울산대)최대전력전송
    REPORT전기전자공학기초실험최대 전력 전송과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년6월7일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 번 :조 명 ... :이 름 :조 원 :1. 실험 결과저항값정격값0.3300.4701.22.23.94.711측정값0.3220.4621.1892.1783.8494.7230.9740.994표 15-1 ... 전송을 결정하기 위한 실험(계산값)정격값1.22.23.94.7측정값1.1892.1783.8474.7237.3031007.4030.1170.13713.5084007.7030
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19
  • 전자기학정와 실생활의 사례 레포트 A+
    REPORT과 목:학 과:학 번:이 름:제출날짜:담당교수:전자기학의 정의와 실생활의 사례.저는 개인적으로 산업경영공학부에서 전기전자정보시스템공학부로 전과를 하게 되었는데 전기전자 ... 정보시스템공학부 내 여러전공들을 처음 듣게 되었습니다. 여러 전공과목들이 있지만 그중에서 가장 전기전자공학부의 기초가 된다는 전자기학을 정의와 역사, 실생활에서 어디에 응용되고 있 ... 는지 알고싶어서 정의와 실생활의 사례에 대해 조사하였습니다.전자기학(Electromagnetics)전자기학은 전기현상과 자기현상 및 전기와 자기의 상호작용 등 전자기현상 전반
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.03.29
  • 결과9.(전자회로)(울산대)BJT의 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스
    REPORT전기전자공학기초실험BJT의 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년5월24일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기 ... 전자정보시스템공학부학 번 :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험 결과1) β의 결정전압와를 측정한다(측정치)(측정치)와를 계산(측정치로부터)(측정치로부터)값 결정(계산치)계산과정 ... .7223.263.431계산과정 :2N39042N4401표 9-6.의 백분율 변환39.83%9.18%20.99%21.93%계산과정 :2. 실험 결과 고찰에미터 바이어스와 콜렉터 궤환
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19
  • 결과7.(전자회로)(울산대)쌍극성접합트랜지스터(BJT)특성
    REPORT전기전자공학기초실험쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년5월17일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템 ... 층이 생기고 결과로 공핍층 전기장이 생겨 더 이상의 전자의 확산을 막게 된다. 베이스와 에미터 간에 전원이 없이 연결된 상태에서는 베이스와 에미터가 같은 전위이므로 전류가 흐르지 않 ... 에 반대방향의 순방향 전원을 연결하면 전자가 움직이게 된다. 한편, 베이스와 컬렉터 사이에는 공핍층과 같은 방향의 역방향 전기장이 형성되어 컬렉터 부분의 N형반도체의 다수 캐리어인
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19
  • 결과8.(회로이론)(울산대)직렬회로의소비전력
    REPORT전기전자공학기초실험직렬 회로의 소비 전력과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년4월12일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 번 ... :조 명 :이 름 :조 원 :1. 실험 결과표 8-1. 직렬저항회로의 소비전력 계산정격 값계산 값측정 값2.22.1773.33.2502.0061.992.9942.989210 ... 므로oror직렬 연결에서는 각 소자에 같은 전류가 흐르므로2. 실험 결과 고찰(1) 실험결과로 구한 전력과 계산으로 구한 전력은 같은가? 아니면 다른가? 다르다면 왜 그런가?비슷
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19
  • 공통 소오스 트렌지스터 증폭기 결과레포트(19장)
    REPORT전기전자공학 기초실험Ⅱ 결과(전자 19장) 》과목명:전기전자공학기초실험Ⅱ학부:학번:이름:담당교수:담당조교:제출일:2010년 10월 05일 화요일전기전자공학 기초실험 ... Ⅱ 결과 레포트- 공통 소오스 트렌지스터 증폭기(실험19) -학 번이 름? 실험 결과값? IDSS와 VP의 측정- (측정치)VD=19.6V- (계산치)ID=0.747mA- IDSS
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.07
  • 결과9.(회로이론)(울산대)전류분배회로
    REPORT전기전자공학기초실험전류 분배 회로과 목 :전기전자공학기초실험제출일 :2010년4월12일교 수 :이양범교수님조 교 :조교님학 과 :전기전자정보시스템공학부학 번 :조 명 ... :이 름 :조 원 :1. 실험 결과표9-1. 전류 분배기 I정격값계산값측정값2.22.1772.22.1914.74.720(2.2)0.9790.975(2.2)0.9730.969(4.7 ... (1.2k)8.3828.271(2.2k)4.5644.528(4.7k)2.1192.112(3.3k)3.0773.06018.14217.820계산과정 :계산치 :측정치 :2. 실험 결과
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.19
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2025년 06월 10일 화요일
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