"전자회로1"의 검색결과 입니다.

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클리퍼 회로 전자회로 반도체 용어집 전자회로설계실습 모듈형 요약 전자회로실험 다이오드2 전자공학과

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"전자회로1" 검색결과 441-460 / 27,928건

기초전자회로실험1 04 옴의법칙 / 05 직렬과 병렬 / 06 키르히호프의 법칙 결과보고서

1Result report Electronic Engineering기초전자회로실험104 옴의 법칙 / 05 직렬과 병렬06 키르히호프의 법칙자료는 실제 실험을 바탕으로 작성 ... 되었으며,보고서 평가 A+기초전자회로실험1 과목 A+받은 자료입니다.1. 실험제목옴의 법칙 R=I/V 실험2. 실험사진[사진 1] 200Ω에 3V를 인가 후 전류를 측정[사진 2 ... 있다.위 실험을 통해 옴의 법칙에 따라 회로에서 전류는 전압에 비례하고 저항에는 반비례한다는 것을 알 수 있었다.1. 실험제목직렬과 병렬연결2. 실험사진[사진 3] 200

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| 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.03.17 | 수정일 2019.03.29

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인하대학교 전자공학과 기초실험1 예비보고서 RLC회로

기초실험1 예비보고서학과학년학번조성명전자공학과2학년121312823조김영호실험 제목RLC 회로?실험 목적전자 회로는 기본적으로 저항(R)과 인덕터(L), 캐패시터(축전기,C ... )로 구성되어 있다. 이번 실험을 통해 위 소자의 특성에 대해 알아보고 이를 이용하여 회로를 구성해 본다.?기본 이론1.저항(Resistance, R)1) 저항이란?저항(전기 저항 ... , G)라고 한다. 국제단위로는 지멘스를 사용하나 ‘mho’를 사용하는 경우도 많다.저항은 온도에도 영향을 받는다. 일반적인 금속의 경우 저항값은 온도에 비례한다.R=R _{0} (1

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| 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.10.15

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전자회로실험2 주제 1 함수 발생기 결과 보고서 전자공학

전자회로실험Ⅱ결과 보고서주제 1 . 함수 발생기◆ 설계 사항의 회로를 참고하여 다음 규격을 만족하는 함수 발생기를 만드시오.(1) 규격(제한조건)- 발진주파수 : 1㎑ ~ 10㎑ ... kHz149.154k5.915k5kHz21.83k3.18k(R3제외하고)10kHz5.915k1.591k(R3제외하고)설명 : 위에 펴에서 보다시피 모든 조건에서 회로를 설계 할 수 ... 었다.결론은 이번 설계에서 우리가 만든 회로는 10nF, 1kHz에 해당하는 가변저항 VR1이 5.915K 옴일 때때의 회로를 만들었다. 다음 장의 그림은 실제로 기판에 회로를 만들

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.08.28

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2019학년도 3학년 1학기 중앙대 전자회로설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 예비

Current Mirror 설계* 모든 계산결과는 반올림하여 유효숫자 세 자리까지만 사용한다.그림 1의 회로와 같이 Current Source에서 M1, M2로는 2N7000 ... 1. 목적N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 ... 측정하여, Current Mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해한다.2. 준비물 및 유의사항DC Power Supply(2channel): 1대Digital

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.21

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전자회로실험 설계1 예비

C 측정회로1. 목적- 공학 기초지식과 전문지식을 활용하여 전자공학의 시스템, 부품, 공정, 방법을 분석하고 설계하는 능 력을 기른다.- 커패시터 용량 측정 회로를 설계한다. ... - 교류를 사용하여 커패시터를 측정한다.2. 이론C를 사용한 반전 증폭기위 회로의 적분기 입출력 특징1) 사인파 입력에 대한 출력 전압2) 윗식을 시간 t에 대하여 적분하면따라서이고 ... ) 주파수와 커페시터 값을 f=1kHz, C=0.1uF로 고정 후, 회로를 구성한다.f=1kHz, C=0.1uF, R=500~2k(구성2) 주어진 값을 이용해 커패시터 용량을 계산

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| 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.11

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실험3 1주차 예비보고서(반도체 다이오드) - 전자회로 실험 및 설계

전자 회로 실험 및 설계예비 보고서-1(반도체 다이오드)1. 실험 목적반도체 다이오드의 직류 특성을 조사한다.2. 실험 이론- 이상적인 반도체 다이오드다이오드는 한 방향 ... 으로만 전류를 흐르게 하는 반도체 소자로서 전원장치의 정류기, 통신용 수신기 회로의 검파기 및 컴퓨터 기기에서 스위치로 사용된다.오늘날 일반적으로 사용되는 다이오드는 실리콘 물질로 만들 ... 의 단자는 양극과 음극으로 불린다. 화살표 기호는 소자에 흐르는 일반적인 전류의 방향을 나타낸다.-다이오드의 형명대부분 다이오드들은 1N914, 1N1244, 또는 1N4001

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.12.20

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전자회로실험 - Digital Stop Watch1

다이오드였으면 5V가 다걸렸겠지만 다이오드의 순방향전압(2.25V)가 있기 때문에 KVL에의해 전압강하가 일어나서 2.75V정도만 걸리게된다.(4) 실험 4 : 정류회로STEP1 ... : 5월 24일(월)1. 실험목적? 74390카운터를 이용해서 0.1단위는 10까지세는카운터와 1초단위는 6까지세는 세는 카운 터를 만들어보자? J-L FlipFlop과 And ... . 실험결과(1) 실험 1 : Fixed-Bias인가전압VdId=Vr/RVrId00000.05211.00162.07E-090.0000003310.04766722.00176.53E-090

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| 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.16

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2019학년도 3학년 1학기 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 예비

MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라.(2N7000/FAI 이용, RG=1 MΩ으로 설정)(B ... (Data Sheet 에서의 VGS=4.5V, ID=75mA인 condition) RDS의 값이 1.8 Ω임을 파악하였고, 회로도에 적용하였다.iD-vGS특성곡선을 통해 도출해 낸 ... 1. 목적MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.21

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2019학년도 3학년 1학기 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 결과

4. 설계실습 내용 및 분석4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, RG=1㏁으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로 ... 에 연결 전에 VG=0V, VD=5V로 조정 후 Output OFF 후에 연결한다.(B) VG를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 VD를 인가하는 Port ... 의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA 이상이 되면 측정을 중지한다(낮은 전압부터 올리면서 측정한다).VDS=5VVGS (V)ID (mA)VGS (V)ID (mA)1.002

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.21

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2019학년도 3학년 1학기 중앙대 전자회로설계실습 6. Common Emitter Amplifier 설계 예비

계획서3.1 Emitter 저항을 삽입한 Common Emitter Amplifier 설계A* 모든 계산결과는 반올림하여 유효숫자 세 자리까지만 사용한다.위 회로와 같이 ... 1. 목적Rsig = 50 Ω, RL = 5 ㏀, VCC = 12 V인 경우, β=100인 NPN BJT를 사용하여 Rin이 ㏀단위이고 amplifier gain(vo/vin ... Generator: 1대Oscilloscope(2channel): 1대DC Power Supply(2channel): 1대DMM: 1대NPN Transistor2N3904 TO-92

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.21

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전자회로실험 설계1 결과

1. 목 적- 공학 기초지식과 전문지식을 활용하여 전자공학의 시스템, 부품, 공정, 방법을 분 석하고 설계하는 능력을 기른다.- 커패시터 용량 측정 회로를 설계한다.- 교류 ... 를 사용하여 커패시터를 측정한다. 주파수를 변화하며 측정(구성1) 저항값과 커패시터 값은 R=1kΩ, C=1uF로 고정 후, 회로를 구성한다.주파수를 변경하며 측정한다.500Hz1.5 ... , 회로를 구성한다.5101k1.51k2kRAvC값오차5100.311.03uF-2.73%1k0.151.06uF-6.15%1.5k0.11.06uF-6.15%2k0.080.995uF0.47

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.11

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아주대 전자회로1 과제2 PSPICE를 이용한 전자회로 증폭기 설계 및 시뮬레이션2

과제 2. PSPICE를 이용한 전자회로 증폭기 설계 및 시뮬레이션2< ro 값이 1KOMEGA 일때의 Simulation >< ro 값이 10KOMEGA 일때

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.10.04 | 수정일 2016.11.09

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전자회로1-PUSH-PULL 회로

Follow)대해서 알아본다.PUSH-PULL 기초 회로도TR : 2SC1815TR : 2SC1815?출처 : www.alldatasheet.com실험 방법 : 1. 일반 다이오드를 끼우 ... 지 않았을 때의 회로구성 및 결과① 위의 회로와 같이 Berad Bord에 저항 (10KΩ 3개 , 1KΩ 1개) ,일반다이오드 (2개) , Power Supply , TR (2 ... 의 회로구성 및 결과① Berad Bord에 저항 (10KΩ 3개 , 1KΩ 1개) , 일반다이오드 (2개) ,Power Supply (+5V , -5V) , TR (2SC1815

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| 리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.04.17

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아주대학교 전자회로 퀴즈자료, Quiz #1 (Ch.2 Basic Physics of Semiconductors)

외곽전자인 valance electron을 치게되며 결과로써 새로운 electron-hole pair를 생성시킨다.새롭게 생성된 electron은 또한 가속을 받으며 silicon ... 의 최외곽전자인 valance electron을 치게되고 새로운 electron-hole pair가 생성된다.n type에서의 minority carrier인 hole의 경우

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| 시험자료 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.10.31

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아주대학교 전자회로 퀴즈자료, Quiz #1 (Ch.2 Basic Physics of Semiconductors)

① (6점) pn junction 한 가운데에서 charge극성 및 E field가 발생하는 이유는 무엇인가?P type의 majority carrier인 hole이 n type으로 넘어가면서 그 자리에 – charge를 남긴다N type의 majority carrie..

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| 시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.10.31

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전자회로실험 전파정류회로의 리플을 1/2로 줄이는 회로 설계

설계보고서설계1. 전파정류회로의리플을 1/2로 줄이는 회로 설계20080653212조권태영위 그림은 전파 정류 회로의 대략적인 이론을 그림으로 나타낸 것입니다.리플의 크기는 전압 ... 전압이 변하는 원인은주파수 에 대하여 반비례 하기 때문입니다.따라서 원래 제 생각에는 리플이 1/2로 줄어들려면 C의 값이 2배가 되어야 하는 줄 알았지만, C를 원래 회로보다 약배 하였더니 위와 같은 그래프 파형이 나오게 되었습니다. ... 맥동율(전압의 최대치에서 최소치를 뺀 맥동폭을 평균전압으로나눈 백분율)로 표시하는 것이고,=가 전파 정류 회로에서의 리플 전압을 구하는 공식입니다.C를 크게 조정했을 때, 리플

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| 리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24

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고급전자회로실험_ 1주차

1주차 결과 보고서실험일2008.09.19제출일2008.09.19학과학년번호조성명전자공학과3- 목적 -(1) JFET의 드레인 전류 ID에 대한 VDS, VGS의 효과를 결정 ... 한다.(2) JFET의 드레인 특성을 실험으로 측정한다.(3) JFET의 특성상의 차이점을 알아본다.(4) 공통 - 소스 JFET 증폭기의 이득을 측정한다.- 이론 -1) JFET ... 겠다. 전원 VDD를 N채널에 연결하면, N채널의 전자는 전원의 (+)극을 향해 이동하고, (-)극에서는 전자가 발생한 Hall을 채우기 위해 N채널로 주입된다. 이런 원리로, JFET

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| 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.04.08

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아주대 전자회로실험 실험 1 부궤환 회로 예비

실험 1. 부궤환 회로1. 실험의 목적1) 연산증폭기의 이득에 영향을 미치는 부궤환 루프의 영향을 실험적으로 이해한다.2) 반전 증폭기와 비반전 증폭기의 사용을 익힌다.2. 실험 ... 되어 나타난다는 것은 입력의 위상과 출력의 위상이 서로 180도 차이가 나타남을 말하는 것이다.- 비반전 증폭기이득 = (1+RF/RR)위 회로는 비반전 증폭기를 나타낸 것이다. 즉 ... 이론1) 연산증폭기(OP AMP)연산증폭기는 출력단으로부터 입력단에 부궤환을 결어 응답특성을 외부에서 조절 가능케한 직결합된 차동선형 증폭기로서 매우 높은 이득을 갖는다.보통

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| 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.05

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예비1.(전자회로)(울산대)다이오드

)를 기술하라.(2) 순방향바이어스 다이오드 특성 실험그림 1-1의 다이오드 특성곡선에서 순방향 바이어스 영역에서의 특성곡선을 그리기 위한 회로는 그림 1-4와 같다. 이 회로 ... 순서는 다음과 같다.1) 직류 전원 공급기()를 0에 맞추고 그림 1-4의 회로를 구성하라. 측정한 저항값을 기록하라.2)이 0.1V가 될 때까지 전압을 증가. 그 때를 측정해서 표 ... 를 나타낸 회로도이다. 역포화 전류가 상당히 적은 값이므로 R에 걸리는 전압을 측정하여 역포화 전류를 계산 시,의 큰 저항이 필요하다. 그림 1-6의 회로를 구성하고, 회로도

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.03.19

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2019학년도 3학년 1학기 중앙대 전자회로설계실습 9. 피드백 증폭기 (Feedback Amplifier) 결과

4. 설계실습 내용 및 분석4.1 Series-Shunt 피드백 증폭기의 구현 및 측정(A) 3.1(A)에서 설계한 Series-Shunt 피드백 증폭기 회로를 구성한다. 입력 ... (V)0123456출력전압 (V)02.1634.1275.9517.6679.80511.996- Series-Shunt 피드백 회로의 출력전압은V _{O} = {R _{1} +R ... V까지의 변화 동안 매 입력전압 값에 대한 출력전압 값이 거의 일치함을 볼 수 있다. 이는 Series-Shunt 피드백 회로의 출력전압이V _{O} = {R _{1} +R

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.21

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