"Resistive random-access memory"의 검색결과 입니다.

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PRAM 특허유니버시아드 GMR TMR 응용분야 에너지 대학원 비휘발성 메모리

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"Resistive random-access memory" 검색결과 21-40 / 42건

MRAM 박막공학

M - R A M(Magnetic random access memory 마그네틱 RAM)- index -1. 현재 메모리 사용 현황 및 문제점2. M-RAM 기술(1). M ... 한 수준으로 고속 읽기 / 쓰기가 가능하며 DRAM과 같이 고집적화할 수 있는 새로운 메모리인 MRAM (Magnetic Random Access Memory)의 잠재능력이 시제품 ... -RAM 이란?(2). 자기저항 메카니즘(3). M-RAM의 동작 원리 및 기본적인 구조3. M-RAM의 특징과 전망(1). 장점(2). 단점(3). 다른 메모리와의 차이점(4

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| 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.08

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[논리회로실험] DAC and ADC Conv (예비)

1. 실험목표1) 반도체 memory의 기본적인 동작 원리를 알아본다.2) MSI(TTL) 64-bit 기억 소자의 동작을 실험을 통해 확인한다.3) RAM(Random ... Access Memory)의 명칭의 의미를 확인한다.2. 실험 장비 및 부품1) 저주파 함수 발진기2) DC 전원 : ±15V(2개)3) 논리 소자 : 7490, 7405, 74044 ... 2-1는 자세히 나타낸 WEIGHTED RESISTERS이다. 그림 2의 RL은 2-1에서 OP-AMP의 입력저항을 나타낸다. 즉 IDEAL OP-AMP에서 입력저항 Ri=∞ 이

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| 리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.20

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자성나노의 이용분야

헤드가 이미 개발되었다.이는 Tbit 급 하드디스크가곧 출시될 것을 예언하고있다. GMR 헤드의 구조2. 자기메모리(MRAM, Magnetic Random Access Memory ... *나노 자성소자의 이용분야1. GMR( Giant Magnetoresistance) 및 TMR(Tunneling Magneto-resistance)소자현재 이미 제작되어 사용 ... 되는 자성 나노 소자로서 하드디스크의 읽기 헤드로 사용되는 GMR( Giant Magnetoresistance) 및 TMR(Tunneling Magneto-resistance)소자를들

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| 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.03

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반도체공정기술

의 Cpacitor의 Data를 조합하여 기억함.·RAM:Random Access Memory (DRAM:1Tr + 1Cap, SRAM:4Tr)·절연체:전압이 가해져도 전류가 흐르지 않 ... {반도체 공정 용어1.공통용어·SEMICONDUCTOR:전기적 저항특성이 있어서 도체와 부도체의 중간적성질을 갖는 물질 주기율표상 4족 원소를 말함.·MOS:Metal-Oxide ... ·BIT:Memory의 기본단위(1Byte=8Bit). 4M DRAM은 400만개의 Bit로 구성. 16M DRAM은 1600 만개의 Bit로 구성·CHIP:Wafer상에 소자가공

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| 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.09.12

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[반도체]PRAM

Resistance RESET state = “1”=2. 기본동작원리PRAM (Phase change Random Access Memory )2. Basic Operation Principle상 ... oC3. 특 성 : R-I Characteristics of ChalcogenidePRAM (Phase change Random Access Memory )3 ... )3. Characteristic상변화 메모리 소자의 전류-전압 특성곡선3. 특 성PRAM (Phase change Random Access Memory )3

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| 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.04 | 수정일 2013.11.05

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비휘발성 메모리

디바이electric Random Access Memory)FRAM 혹은 FeRAM은 Ferro-electric RAM의 약자로 강유전체(ferroelectrics)의 잔류분극현상 ... 없어져도 분극을 유지한 것처럼 강자성체는 자기장이 없어져도 자신의 자화 방향을 유지한다. TMR(Tunneling Magneto-Resistance)는 자화된 두 개의 강유전체 ... 된 정보가 지워지지 않는 “비휘발성”을 요구하고 있다. 비휘발성 메모리를 이용하면 입력된 정보가 자동적으로 저장 될 뿐만 아니라 ROM (read only memory)의 내용

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| 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.10.25

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차세대 비휘발성 메모리

휘발성, 빠른 처리 속도, 데이터의 무작위적 접근(random access), 최소 전력 소비, 초소형, 안전성, 저렴한 가격 등 요구되는 장점들을 고루 갖춘 이상적인 메모리를 말 ... ) bistable I-V특성곡선.NFGM (Nano Floating Gate Memory)(1) NFGM의 개요기존 플래쉬 메모리의 플로팅 게이트가 폴리 실리콘으로 만들어져 플로팅게이트의 폭 ... (Polymer RAM: 폴리머 램)NFGM(Nano Floating Gate Memory: 나노 부유 게이트 메모리)산업 동향결론참고 문헌서론비휘발성 차세대 메모리는 데이터의 비

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| 리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.20

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[기억장치] 메모리(MEMORY) 프리젠테이션 자료

하는 기억장치 →ROM(Read-Only Memory) →RAM(Random Access Memory)반도체 기억소자의 회로도ROM(Read Only Memory)→ 컴퓨터 판독 ... ) → EPROM (Erasable PROM) → EEPROM (Electrically Erasable PROM)RAM(Random Access Memory)→ 컴퓨터에서 정보나 명령 ... 으면 기억된 내용 소멸 -전력소모 적고 회로 간단함 -집적도 높음 →주기억장치로 많이 사용차세대 MEMORY→ MRAM(Magneto-resistive RAM) - 터널 접합 전극

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| 리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.05.25

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메모리 반도체 소자의 분류와 특성, 경향

다.. 휘발성 메모리휘발성 메모리는 전원이 끊기면 정보가 사라지는 메모리를 말한다.0) DRAM (Dynamic Random Access Memory)DRAM은 동적 램으로 한 개 ... 결과 수 ms 마다 한 번씩 새로운 전하를 가함으로써 메모리 셀을 재생시켜 주어야하는 단점이 있다.1) SRAM (Static Random Access Memory)가장 먼저 개발 ... Memory Device)로 소별된다. 휘발성 메모리 소자란 전원의 공급이 중단되면 기록 상태가 유지가 되지 않는 것으로 동적 임의 접근 메모리(Dynamic Random Access

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| 리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.24

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[정보검색론]SDRAM

Access Memory)과 목 명:정보검색론학 과:전자계산학과학 번:이 름:제 출 일:담당교수:Synchronous Dynamic Random Access Memory▶ 목 차 ... )■ SDRAM의 구조(2)■ SDRAM의 한계SDRAM의 등장배경SDRAM(synchronous dynamic random access memory)system의 발전추세와 CPU의 속도 ... 전자계산학고 0323422 이민경SDRAMSynchronous Dynamic Random Access MemorySDRAM(Synchronous Dynamic Ramdom

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| 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.07.06

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[메모리이론] FeRAM(Ferroelectrics Random Access Memory)

Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM(Dynamic Random Access Memory)과 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자이다. DRAM과 다른 점은 강유전체라는 ... 는 분야는 메모리 분야이다. 메모리 분야는 크게 DRAM(dynamic random access memory)와 FeRAM(ferroelectric random access memory ... ) 한 특정분극 상태에 비해 다른 분극 상태의 선호성이 없는 imprinting resistance가 요구되며, 이것이 낮으면 그림 4의 P-E 곡선이 쓰고 읽기 동작이 반복

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| 리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.01.27

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반도체식각실험 예비보고서(공업화학실험)

(Dynamic Random Access Memory)이나 MPU(Micro Processor Unit)등의 반도체 소자들이 필요로 하는 최소 미세 선폭은 0.2㎛정도이고, 이미 ... (patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)(2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용 ... 하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여식각 실험을 진행한다.(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma

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| 리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.04.01

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Fram & FeRAM & 강자성체

부터 FeRAM에 대해서 자세하게 이야기 하도록 하겠습니다.Ⅱ. 본론1. FeRAM의 정의Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, FRAM이 ... Ⅰ. 서론FRAM은 강유전체의 자발분극과 분극반전을 이용하여, +Pr과 -Pr을 각각 “0”과 “1”에 대응시켜 비휘발성 기억소자를 실현한 것입니다. FRAM을 설명하기에 앞서 ... 을 GND(0V)라고 하면 도면에는 커패시터의 상부가 +, 하부가 -의 분극이 되어 “1”이 써 넣어져, BL을 GND, PL을 Vcc라고 하면 커패시터의 상부가 -, 하부가

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| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.28

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[전자재료] 고분자 메모리

[Polymer RAM]1. RAM(1) RAM이란 무엇인가?Random Access Memory의 약칭이다. 기록과 해독의 두 회로가 있어서 정보의 기록, 해독이 가능 ... 의 비휘발성(3) 차세대 RAM 후보- PRAM(Phase-change RAM)- NFGM(Nano Floating Gate Memory)- ReRAM(Resistive RAM) ... 등※ FLASH Memory의 특징- 소비전력이 작고, 비휘발성 메모리- SRAM, DRAM에 비해 느린 처리 속도(20~110ns)- 디지털텔레비전, 디지털캠코더, 휴대전화

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.04.01

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[공학]FeRAM

부터 FeRAM에 대해서 자세하게 이야기 하도록 하겠습니다.Ⅱ. 본론1. FeRAM의 정의Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, FRAM이 ... Ⅰ. 서론FRAM은 강유전체의 자발분극과 분극반전을 이용하여, +Pr과 -Pr을 각각 “0”과 “1”에 대응시켜 비휘발성 기억소자를 실현한 것입니다. FRAM을 설명하기에 앞서 ... 을 GND(0V)라고 하면 도면에는 커패시터의 상부가 +, 하부가 -의 분극이 되어 “1”이 써 넣어져, BL을 GND, PL을 Vcc라고 하면 커패시터의 상부가 -, 하부가

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| 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.22

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차세대 메모리

래 FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)FRAM 혹은 FeRAM은 Ferro-electric RAM의 약자로 강유전체 ... 가 전기장이 없어져도 분극을 유지한 것처럼 강자성체는 자기장이 없어져도 자신의 자화 방향을 유지한다. TMR(Tunneling Magneto-Resistance)는 자화된 두 개의 강 ... only memory)의 내용을 바꾸어 쓸 수 있고, 전원을 끊더라도 정보가 지워지지 않으며 또한 전원을 넣었을 때 즉시 작동하는 TV 감각의 PC등을 구현할 수 있기 때문에 멀티

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| 리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.06.15

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[과학] 나노 테크놀리지

된다.나노 공정 및 제조 기술Top-down 접근 방법 - 리소그래피는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)를 기준으로, 2005년에는 16Gbit-0.1㎛ 즉 ... 나노테크놀리지나노 기술에 사용되는 핵심 도구1. 소재 및 구조 기술 - 세라믹, 유리, 금속, 폴리머, 반도체 등의 합성 물질 - 나노 결정, 막대, 박막, 섬유, 입자, 층 ... , 튜브 2. 공정 및 제조기술, - Bottom up 접근 방법 : 중합이나 합성, 조립 및 조작 - Top-down 접근 방법 : 소그래피 와 정밀 가공 3. 소자 및 시스템 기술

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| 리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.01

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[정보저장공학, 재료공학 MRAM]스핀트로닉스 연구현황 및 전망에 관한 고찰

의 한계를 훨씬 능가하는 자기메 모리(MRAM:Magnetic Random Access Memory), 스핀트랜지스터 등 스핀트로닉 스라는 새로운 기술혁명을 가져올 가능성이 높 ... (Giant Magneto-Resistance)등 흥미로운 물리적 현상들이 발견되면서 이들 현상을 이용 다 양한 응용 가능성이 대두되기 때문이다. 특히 정보기술과 관련 1 Tb ... 으로 정렬시킴에 따라 4.2 K에서 44% 이상 저항이 크게 변화하는 현상을 최초로 발견하고 거대자기저항(GMR：Giant Magneto- Resistance)이라고 명명하였다(그림2

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| 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.06

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[재료금속] Spintronics (스핀트로닉스)

InteractioSi 반도체에 기초한 electronicdevices의 속도및집적도의 한계를 훨씬능가하는 MRAM(Magnetic Random Access Memory), 스핀트랜지스터 등 소위 ... )를활발히 연구하고 있는데, 이구조는 자기기억소자(MRAM; Magnetic Random Access Memory)에 응용을 목적으로 하고있다. 이자기 기억소자는(그림 3 참조 ... 을 한쪽방향으로 정렬시킴에따라 4.2K에서44%이상 저항이크게 변화하는 현상을 최초로 발견하고 거대자기저항현상(GMR;GiantMagneto- Resistance)이라고 명명

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.22 | 수정일 2017.07.17

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[전자재료실험]열증발증착(Thermal evaporator)에 대하여

을 가지므로 기록 밀도기술에 새로운 MR 자기헤드재료 및 MRAM ( magnetoresistive random access memory)등에의 응용을 위한 연구가 활발히 이루어지 ... {진공증착의 기본 개념Langmuir-Knudsen에 의하면, 증착률은 증기압에 비례하므로 실제 VLSI 공정에 사용하기 위해서는 충분히 큰 증기압을 갖는 상태에서 증착 ... (Pa) }[㎝]의 평균 자유 행정을 갖게 된다.일반 증착에서는 잔류 기체압을 {10 ^{ -4}Pa이하로 낮추어 평균 자유 행정이 {1.5 BULLET10 ^{ 2}m 이상 되게 함

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.10.22

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