"낸드플레쉬"의 검색결과 입니다.

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"낸드플레쉬" 검색결과 21-40 / 790건

멀티 레벨 낸드 플레쉬 메모리에서 주변 셀 상태에 따른 데이터 유지 특성에 대한 연구 (Study of Data Retention Characteristics with surrounding cell's state in a MLC NAND Flash Memory)

멀티 레벨 낸드 플레쉬 메모리에서 주위 셀의 문턱 전압상태에 따른 데이터 유지 특성을 연구하였다. 열을 가해 셀의 데이터 보전특성을 판정하는 열적 열하 특성에서 주목하는 셀의 문 ... 턱 전압이 변화하는데 문턱전압의 변화는 선택된 셀 주위에 있는 셀들이 가장 낮은 문턱 전압 상태로 있는 셀들의 수가 많을수록 커진다. 그 이유는 전하의 손실이 이루어지는 낸드 ... 플레쉬셀의 본질적인 특성 뿐 아니라, 주위 셀 사이의 측면 전계 때문이다. 전계에 대한 모사 결과로부터 전계의 증가 현상을 발견할수 있고, 이로 인한 전하의 손실이 소자 스케일 다운

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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TLC 낸드 플래시기반 저장 장치에서 페이지 중복쓰기 기법을 이용한 SLC 버퍼 성능향상 연구 (SLC Buffer Performance Improvement using Page Overwriting Method in TLC NAND Flash-based Storage Devices)

다중 셀 기반의 저장장치 특히, TLC 낸드 플래시는 낮은 가격을 무기로 SSD에 채용되고 있다. 그러나 TLC는 기존의 MLC대비 느린 성능과 내구성으로 인해 일부 블록

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.03 | 수정일 2025.06.06

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고집적 낸드 플래시 SSD의 수명 및 쓰기 성능 향상을 위한 BER 기반 하이브리드 파티션 기법 (BER-based Hybrid Partitioning Technique for Improving Lifetime and Write Performance of High-density NAND Flash SSD)

낸드 플래시 기반 SSD (solid-state drive)는 제한된 P/E (program/erase) 사이클 횟수로 인한 내구성 문제로 TLC (triple-level ... 이 사용되고 있다. 하지만 다중 레벨 셀 (MLC, TLC, QLC) 낸드 플래시의 일부를 SLC (single-level cell) 모드로 사용하는 하이브리드 SSD에서는 여전히 ... cell)에서 QLC (quad-level cell)로 전환하는데 어려움이 있다. FTL (flash translation layer) 수준에서 내구성 문제를 해결하기 위해서는 블록

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.03 | 수정일 2025.06.06

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캐시 버퍼와 읽기 요청을 고려한 낸드 플래시 기반 솔리드 스테이트 디스크의 요청 스케줄링 기법 (A Cache buffer and Read Request-aware Request Scheduling Method for NAND flash-based Solid-state Disks)

대한전자공학회 방관후, 박상훈, 이혁준, 정의영

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.02.12 | 수정일 2025.02.15

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멀티레벨셀 낸드 플래시 메모리에서 커플링 제거기의 윈도우 크기에 따른 성능 비교 (Performance of the Coupling Canceller with the Various Window Size on the Multi-Level Cell NAND Flash Memory Channel)

멀티레벨셀 낸드 플래시 메모리는 한 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장 할 수 있는 기술이다. 현재 2비트를 한셀에 저장하는 기술만 상용화 되었다. 이는 3비트 이상을 저장하게 되 ... 하여 성능을 비교하였다. 플래시 메모리에서 데이터를 읽는 가장 기본 방법인 문턱 전압 비교 방법을 구현하여 제안한 방법과 성능을 비교 하였다. Multi-level cell NAND ... flash is a flash memory technology using mulitple levels per cell to allow more bits to be stored

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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경사하강법을 이용한 낸드 플래시 메모리기반 저장 장치의 고효율 수명 예측 및 예외처리 방법 (High Efficiency Life Prediction and Exception Processing Method of NAND Flash Memory-based Storage using Gradient Descent Method.)

중소기업융합학회 이현섭

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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반도체 D램, 낸드플래시 등의 발전 현황에 대한 보고서

1. 서론 D램은 '임의로 접근 가능한 동적 메모리'라는 의미다. 메모리는 크게 휘발성인 D램과 비휘발성인 낸드플래시로 구분된다. D램은 빠른 속도로 읽고 쓸 수 있지만, 전원

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.14

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3차원 SONOS 낸드 플래쉬 메모리 셀 적용을 위한 String 형태의 폴리실리콘 박막형 트랜지스터의 특성 연구 (A Study on Poly-Si TFT characteristics with string structure for 3D SONOS NAND Flash Memory Cell)

본 논문은 3차원 낸드 플래쉬 기억 소자에 적용을 위해 소노스(SONOS) 형태로 기억 저장 절연막을 채용하고채널로 폴리실리콘을 사용한 박막형 트랜지스터에 대해 연구하였다. 셀 ... 성 항목인 bake 결과가 개선됨을 확인하였다. In this paper, we have studied the characteristics of NAND Flash memory in

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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다중셀 낸드 플래시 메모리의 3셀 CCI 모델과 이를 이용한 에러 정정 알고리듬 (A 3-cell CCI(Cell-to-Cell Interference) model and error correction algorithm for Multi-level cell NAND Flash Memories)

MLC NAND flash memory에서 cell간의 기생 커패시턴스 커플링으로 인해 발생하는 CCI에 의한 data error를 개선하기 위한 알고리듬을 제안하였다. 종래 ... 30nm와 20nm급 공정의 MLC NAND flash memory의 data분포를 분석하여, 주변 cell의 data pattern에 의한 victim cell의 Vth s ... 3-adjacent-cell model to 20nm-class 2-bit MLC NAND flash memories. 대한전자공학회 전자공학회논문지 - SD 정진호, 김시호

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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16레벨셀 낸드 플래시 메모리에서 트렐리스 정답 추정 기법을 이용한 최대 유사도 검출기의 성능 (Performance of the Maximum-Likelihood Detector by Estimation of the Trellis Targets on the Sixteen-Level Cell NAND Flash Memory)

본 논문에서는 16레벨셀 낸드 플래시 메모리 채널에 최대 유사도 검출 방법을 이용하여 데이터를 검출하기 위해 트렐리스의 정답 값을 추정하는 기법에 대해 연구 하였다. 이 기법 ... 은 최대유사도 검출기를 사용할 수 있게 되어 성능향상에 도움을 준다. 플래시 메모리는 커플링 효과 때문에 메모리가 있는 채널 모델링이므로, 이미 알고 있는 데이터 열을 훈련 과정 ... targets on the 16-level cell NAND flash memory. This mechanism has a performance gain by using a

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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SSD 신뢰성 향상을 위한 3D 낸드 플래시 메모리 오류율에 따른 K-means 클러스터링 분석 및 차별화된 보호 정책 (K-means clustering analysis and differential protection policy according to 3D NAND flash memory error rate to improve SSD reliability)

한국컴퓨터정보학회 손승우, 김재호

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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멀티레벨 낸드 플래쉬 메모리 프로그램 포화 영역에서의 IPD 층에 트랩된 전하의 손실 효과에 의한 문턱 전압 저하 특성에 대한 연구 (A Study on Threshold Voltage Degradation by Loss Effect of Trapped Charge in IPD Layer for Program Saturation in a MLC NAND Flash Memory)

한국마이크로전자및패키징학회 최채형, 최득성, 정승현

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.04 | 수정일 2025.05.16

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최근 발생한 인수합병을 하나 선택하여 거래비용이론, 실물옵션이론, 자원기본이론을 활용하여 분석하시오(SK하이닉스의 낸드플래시 인수를 대상으로).

최근 발생한 인수합병을 하나 선택하여 다음의 방식으로 각각 분석하시오(SK하이닉스의 낸드플래시 인수를 대상으로)본 글에서는 최근 SK하이닉스가 인텔의 낸드플래시 사업을 10조원대 ... 생각하는 이론으로서 거래비용이 가장 낮은 거래형태를 선택하는 이론인 것이다. 그러면 SK하이닉스의 낸드플래시 사업을 합병한 이유에 대해서 살펴보면, 다음과 같다.SK하이닉스가 인텔 ... 의 낸드플래시 사업을 합병한 이유는 거래비용이론 중에서도 자산 특유성에 따른 경쟁우위에 있다고 할 수 있다. 자산 특유성이라는 것은 거래 특유의 투자 가치를 의미하는 것으로서 자산

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.05.03

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투자의사결정(중국 시안 낸드플래시 공장)

234억 달러, 세계 전체 기업 중 17위 선정, 2010년 대비 20% 상승 장기적인 안목과 투자 2011년 이후로 낸드플래시 고정거래가가 6.8달러에서 약 63.9 ... % 하락- 2010년부터 2015까지 낸드플래시가 사용되는 SSD의 세계시장 규모가 매년 50% 이상 성장이 예상됨- 시안 낸드플래시 공장에 대한 투자는 향후 2~3년 이후의 세계시장

리포트 | 31페이지 | 4,000원 | 등록일 2013.10.14

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이공계기술PT면접(2016하반기)-[404]3차원 수직구조 낸드(3DV-NAND)플래시 메모리

I. 미세 공정의 한계인텔이 주도하던 반도체 미세공정 기술이 10나노 시대에 접어들면서 삼성전자등이 인텔을 따라잡을 수 있는 기회가 생겼다. 바로 핀펫(FinFET) 기술 덕분이다.기기가 작동하지 않을 때도 반도체에서는 누설 전류가 발생한다. 문제는 TR 선폭이 미..

자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.09.27 | 수정일 2016.09.29

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낸드 플래시 메모리 관련기술 및 동향

FLASH MEMORY 선정 이유- 플래시메모리 시장은 해를 거듭 할수록 엄청나게 성장하고 있다. 플래시는 전원이 없는 상태에서도 데이터가 보존되는 메모리로서 데이터의 저장과 삭제 ... NAND FLASH MEMORY관련 기술 및 동향Outline1. 서론 - NAND FLASH MEMORY의 개요1.1 NAND FLASH MEMORY 선정 이유1.2 NAND ... FLASH MEMORY History1.3 NAND FLASH MEMORY Characteristic1.3.1 NAND FLASH MEMORY 특징1.3.2 NAND FLASH

리포트 | 23페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.11.22

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낸드플래시메모리 환경 분석

플래시메모리에 대한 Porter's five forces model1. 경쟁자(the competitors)2007년 기준으로 낸드플래시 시장은 삼성이 40%로 1위, 도시바 ... 가 25,7%로 2위, 하이닉스가 20.5%로 3위이며 이렇게 3사 독주 체제로 시장의 거의 90%를 잠식하고 있다. 도시바가 1998년에 낸드플래시메모리를 처음 개발하고 2003년 ... 차이가 나는 것이 아니기 때문에 구매자는 가격이 더 낮은 제품을 구입할 유인이 있다. 때문에 구매자의 가격 결정력이 큰 편이다. 특히 낸드 플래시메모리의 경우 2008년 발생

리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.05

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[반도체공학] 낸드플래시메모리 NAND flash memory

낸드플래시메모리NAND flash memory서론애플사(社)의 신제품 아이팟나노의 메모리칩으로 삼성전자의 낸드플래시(NAND flash)가 제공된다는 뉴스가 이슈가 된 적이 있 ... 었다.2005년 11월 22일 (화) 17:10 mbn삼성전자·하이닉스, 애플에 낸드플래시 공급삼성전자와 하이닉스반도체가 미국의 애플컴퓨터에 낸드플래시를 공급하는 장기 계약을 체결 ... 했습니다.애플의 수요가 확대되면서 전세계 낸드플래시 공급부족 현상은 더욱 심화될 것으로 보입니다.이성수 기자의 보도입니다.삼성전자와 하이닉스반도체가 앞으로 5년간 애플에 낸드플래시

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.02.05

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중국 반도체 시장과 칭화그룹 전략 (칭화유니,칭화,반도체,반도체 시장,낸드플래시,마이크론,스프레드트럼,샌디스크)

4위 낸드플래시 업체인 샌디스크를 우회인수 하였다. 웨스턴디지털은 주당 86.50달러, 총 190억달러(약21조6500억원)에 샌디스크를 인수키로 했다. 이번 딜은 두 가지 큰 ... 다. 또 메모리 반도체 생산에 필요한 지식재산권을 획득하기 위해 세계 수준의 메모리 반도체 기업과 함께 중국에서 새로운 칩 공장을 세우기 위한 협상을 진행하고 있다.2) 낸드플래시 ... 기업인수를 통한 시장점유율 확대낸드플래시를 기반으로 생산되는 제품은 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)와 eMMC(임베디드 메모리 카드), USB, SD카드 등이 있다. 특히 중국

리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.12.06

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낸드 플래시 반도체 기존 기업간의 경쟁 [Five Forces Model Part 3]

NAND Flash 의 기술경쟁삼성 vs 도시바- 목 차 -(1) NAND Flash 시장 동향?NAND 플래시 시장의 주도자 삼성과 도시바? 업체간 기술경쟁의 한계(2) 향후 ... 기존시장에 신규 사업자의 진출이 이어져 삼성의 횡보에 영향을 끼칠 염려가 확대되고 있다.시잠점유율 현황은 2010년 1분기를 기준으로 삼성전자(주)가 세계 낸드플래시메모리 시장 ... 들의 관심이 확대되는 추세이다. 특히 노어플래시메모리 시장에서 1위를 지키고 있는 INTEL을 비롯하여 AMD 등이 NAND Flash Memory 사업에 뛰어드는 등 경쟁이 치열

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.27 | 수정일 2015.06.29

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