"씨씨엠"의 검색결과 입니다.

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스퍼터링 용해열 측정 중화열 측정 실험 CCM ROCK IGZO CVD zno RIE cs엔지니어 자소서 FeRAM Cell 동작 원리 mems 실험

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"씨씨엠" 검색결과 361-380 / 429건

mbe(molecular beam epitaxy) 원리와 특징

)로 실시. 벤트라인은 유량안정화와 미세 유량의 ON/OFF를 위해 갖춰짐. 압력조정기는 MFC의 정상 작동하도록 감압을 위해 사용하며 MFC유량은 보통 5sccm 이하임.수소화물 가스

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| 리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.11

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[공학]화학적 기상 증착(CVD) 방법을 통한 Co 박막 형성 및 증착 온도에 따른 Co 성장률 거동 분석

℃Substrate 온도50~130 ℃공정 압력0.2 torr캐리어 가스양 (Ar)5 sccm증착 시간2 min(50, 60, 70 ℃는 증착율이 낮아서 증착시간을 4분으로 함)※ 공정

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.10

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[전기적 열의 일달량] 전기적 열의 일달량

은 다음, 비커를 그 위에 올려 놓고 전원을 넣는다 또, 온도계를 비커에 비스듬히 세운다.3. 물올 끊이는 동안 메스실린더로 수도물100cc(m1)를 재어, 또 다른 250cc ... 는 완전히 시계반대 방향으로 돌려 0volt가 되게 한다.2. 메스실린더로 수도물 200cc(m)를 재어 열량계에 붓고 뚜껑을 닫는다.3. 회로를 다시 검토하고 전원을 넣는다. 그

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| 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.03.16

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[재료공학과]반도체 제조공정 실험

℃bubbler 온도35℃substrate 온도50~130℃공정 압력0.2 torr캐리어 가스양(Ar)5 sccm증착시간2 min면저항(ohm/ㅁ)110℃120℃130℃???기타 분석

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| 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.23

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[반도체]CVD

, Bi(C6H5)3 170℃ 130℃ 400 - 800℃ 0.2 Torr 10 – 40 sccm 30 – 60 sccm결정구조 분석 XRD 분석표면 및 단면 분석5. CVD공정

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| 리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2003.04.19

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[물리] 열의 일 해당량 측정 예비보고서

100cc(m1)를 재어, 또 다른 250cc 비커에 붓고 그의 온도θ1을 측정한다.④ 물이 40'C가 되면 전원을 끊는다.⑤ 40'C 물 100'C(m2)를 열량계에 붓고, 온도계 ... . 슬라이닥스 는 완전히 시계반대 방향으로 돌려 0volt가 되게 한다.② 메스실린더로 수도물 200cc(m)를 재어 열량계에 붓고 뚜껑을 닫는다.

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.09

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표면공학 실험레포트

/ λ(cm) ; ν (Hz) = `ν c = c(cm/sec) / λ(cm) (2-1)적외선의 흡수 스펙트럼을 측정하는 장치는 빛을 분광하는 방법에 따라 분산형, 비분산형, 간섭

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| 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.22

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[구조세라믹스] DC Bias가 인가된 ICPHFCVD를 이용한탄소나노튜브의 수직 배향법

시킨 후 챔버 내부의 진공을 10-6torr로 유지시켜 반응부의 온도를 580℃로 유지시킨다. 그 후에 NH₃가스를 100∼150sccm으로 흘려주어 1torr에서 1∼10min 동안 ... Ni촉매층을 에칭 시킨다. 이때 RF 플라즈마를 이용하여 150∼200W의 power를 인가하였다. 에칭공정을 마친 후 C₂H₂를 30∼80sccm과 NH₃를 100∼200sccm ... 다, 사용된 기판은 유리위에 Ni과 Cr이 각각 300Å과 200Å으로 증착된 것을 이용하였으며 RF 150W에서 NH3를 120sccm으로 에칭을 실시하였다. 에칭된 기판의 표면

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| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.05

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[공학]Molecular Basics

potentialeV = C x Vnm (nanometer)E = h = h c /cm-1 (wavenumber)= 1/E = h ckcal/mol1 kcal = 4.184 kJ1 eV = 1.6

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| 리포트 | 70페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.03.20

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[물리학실험] 전기적열의일당량

은 다음, 비커를 그 위에 올려 놓고 전원을 넣는다 또, 온도계를 비커에 비스듬히 세운다.3 물올 끊이는 동안 메스실린더로 수도물100cc(m1)를 재어, 또 다른 250cc 비커 ... 방향으로 돌려 0volt가 되게 한다.2 메스실린더로 수도물 200cc(m)를 재어 열량계에 붓고 뚜껑을 닫는다.3 회로를 다시 검토하고 전원을 넣는다. 그 다음 슬라이닥스의 손

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.15

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[토질역학] 단위체적 중량 시험

){D_b~: 공시체하단의 직경 ( cm ){단위체적중량공시체 번호#1#2#3공시체중량 W g공시체의 높이 {Lcm공시체상단의 직경 {D_t~cm공시체중앙의 직경 {D_ccm공시체하단

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.09.11

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[섬유공학] 섬유공학 실험 레포트

.4428.9774.57(단위: cc/cm2/sec)3.고찰실험 결과를 살펴보면 노즐의 크기가 작아짐에 따라 각 섬유에서 수직형 압력계의 물의 높이가 증가하고 공기 투과도는 낮아짐

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| 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.03

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[무기공업화학] FT-IR 분광법을 이용한 고체 재료 특성분석 자료

) = `ν c = c(cm/sec) / λ(cm) (2-1)적외선의 흡수 스펙트럼을 측정하는 장치는 빛을 분광하는 방법에 따라 분산형, 비분산형, 간섭형으로 구별된다. 분산형 분광

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.25

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[신소재물리화학] CVD합성과 Aerogel지원 촉매를 통한 Single-walled 탄소 나노튜브의 정제

)를 석영튜브(quartz tube)에 삽입. Ar flow(200sccm)하에서 860°C로 가열. 온도가 860°C에 도달하면서 Ar flow가 차단되고 CO(1000 sccm) 생성 ... 에 비결정 카본이 생성되었음. CO유입률 역시 실험결과에 영향을 미쳤음. 유입률이 1000sccm이상일 경우 최상의 품질을 기록함. 500sccm이하일 경우 SWNTs와 함께

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.18

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FRAM과 Flash Memory

. FRAM 재료 비교PZTSBTProcess temperature(℃)600-700750-800Pr value (μC/cm2)15-305-10Coercive Field (kV/cm)50

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| 리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.28

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온도센서종류

회로를 꾸민다.② 상온의 물 150cc(=m1)를 메스실린더로 재어 열량계에 붓고 뚜껑을 닫는다.(주의: 최소한 150cc정도 부어야 용기내의 히터 코일에 잠김!)③ 디지탈온도계 ... .5A 정도로 물을 서서히 가열하면서 약 50℃ (=Θ1) 가 되면 전원을 끊는다.⑤ 메스실린더에서 눈금을 맞춰 수돗물 100cc(=m2)를 붓고 온도 Θ2를 잰다.⑥ 물 100c ... c(=m2)를 열량계에 붓고 교반기로 저어 전체가 일정한 평형상태가 되었을 때, 온도 Θ3를 측정한다.⑦ 온도 Θ2의 물 m2g을 열량계에 부었을 때 열량계가 방출한 열량은 m1이

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.18

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우리나라의 통화정책 수단

통화** M1에서는 요구불예금, M2에서는 은행총예금, M3에서는 금융기관(은행+비은행)총예금현금통화 C = c?M … ② c = 현금통화비율지준수요 R = r?D … ③ r

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| 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.01 | 수정일 2014.01.08

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[환경] 3공단 지역과 그 주변생활 하수가 갑천하류지역 하천에 미치는 영향

.고찰 및 개선방법PPM오염물질의 양을 100만분의 몇인가를 나타내는 것으로서 수질에서는 1l중에 1mg의 오염물질이 존재할 때 1ppm이며, 대기중에서는 1cc/m3의 오염물질농도를 1ppm으로 나타낸다.{nameOfApplication=Show}

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| 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.27

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[토질시험] 압밀시험

havg[cm]초기치ds최종치df압밀량d[ 10-1cm]d0d901차 압밀량d[ 10-1cm]1차 압밀비rpt90압밀계수 C[cm2/sec]30.20.11.89670.7091 ... [kgf/cm2]평균시료높이 havg[cm]초기치ds최종치df압밀량d[ 10-1cm]d0d901차 압밀량d[ 10-1cm]1차 압밀비rpt90압밀계수 C[cm2/sec]40.40 ... 계수 C[cm2/sec]50.80.41.815751.552.1350.5851.711.940.25560.43686.150.1684시간(min)00.2512.2546.25912.2520.최종치

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| 리포트 | 33페이지 | 3,000원 | 등록일 2003.06.03

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[공학] Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩분포 결정

와 NH3의 혼합가스(DCS:NH3=30sccm:100sccm)를 반응시켜 LPCVD방법으로 터널링 산화막위에 증착시켰다. 900 에서 습식산화 방법으로 블로킹 산화막을 성장

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.11.17

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