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"트랜지스터에대해서.." 검색결과 2,301-2,320 / 4,667건

  • FET특성 및 증폭기
    등이 트랜지스터를 발명한 동기는 FET를 만들기 위해서였는데, 실제로는 프랑스의 S.테츠너가 테크네트론으로서 실현하였다. 그 후 황화카드뮴 박막(薄膜)을 사용하는 것과, 또 실리콘 ... 에 기여하는 캐이어의 차이 뿐이므로 여기에서는 n형에 대해서만 취급한다. MOSFET에서는 게이트와 기판 (영어: substrate) 사이에 구성된 축전기에 의하여 게이트 정전압이 인가 ... 실험 2. FET특성 및 증폭기1. 관련 이론전기장 효과 트랜지스터(FET: field effect transistor): 단극(單極)트랜지스터 또는 FET라고도 한다. 원리
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.23
  • [전자통신 기초실험] 전압 분배 바이어스 공통 에미터 증폭기
    이 가능하다.위의 식들을 이용하면 전력이득은 다음과 같다전력이득전력이득은 대부분의 경우가 dB(decibels)의 단위로 사용되므로 다음과 같이 정리된다.3.시료 및 사용기기① 트랜지스터 : 2N3904 ... 와 교류 전원이 동시에 포함되었기 때문에 입출력을 해석하기 위해서 직류 등가회로와 교류 등가회로에 대해 알아야 한다.1) 직류 바이어스 해석공통 에미터 증폭기의 직류 해석을 위해서 ... 면 아래와 같다.< 그림2. 공통 에미터 증폭기 직류 등가회로 >2) 교류 등가회로 해석< 그림3 >공통 에미터 증폭기의 교류 등가회로를 구하기 위해서는 에서 커패시터는 단락 상태
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.24
  • 반도체산업 분석
    Circuit), 수천 개의 트랜지스터를 집적시킨 대규모 집적회로(LSI: Large Scale Integration), 그리고 초 대규모로 집적시킨VLSI(Very Large ... 다. 반도체는 평상시에는 전기가 통하지 않지만 외부의 압력, 즉 불순물을 투입하면 전기가 통하는 원리를 이용하여 만들어지는데, 반도체의 시초는 트랜지스터로 거슬러 올라간다. 반도체 ... 의 역사는 집적도에 따라 4단계로 분류할 수 있는데, 먼저 진공관 시대에서 트랜지스터 시대, 수천 개의 트랜지스터를 한 개의 반도체로 집적시킨 집적회로(IC: Integrated
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.07
  • 컴퓨터의 발달과정
    한다든지, 손바닥을 아래로 향하면 100을 의미한다고 하는 등 여러 가지 방법이 모색되었다. 이미 수메르인들은 60진법을 사용했는데 신체를 어떻게 이용하여 왔는지에 대해서는 여러 의견 ... 할 수 있게 되었다.1960년대 후반과 70년대에 컴퓨터 하드웨어는 괄목할 만한 진보를 거두었다. 첫번째의 주목할 만한 돌파구는 작은 실리콘 칩 (chip) 위에 수백 개의 트랜지스터 ... 저항기 다이오드를 내장하는 집적회로의 제작이었다.이 마이크로 회로에 의해서 고속도·고용량·신뢰도를 가지는 메인 프레임(대용량)컴퓨터를 비교적 저렴한 가격으로 만들 수 있
    리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.08.30
  • DC 모터의 속도제어
    특성(토크 대 회전수)토크에 대하여 회전수는 직선적으로 반비례한다. 이것에 의하면 무거운 것을 돌릴 때는 천천히 회전시키게 되고, 이것을 빨리 회전시키기 위해서는 전류를 많이 흘리 ... 게 된다. 그리고 인가전압에 대해서도 비례하며, 그림과 같이 평행하게 이동시킨 그래프로 된다.② T-I 특성(토크 대 전류)흘린 전류에 대해 깨끗하게 직선적으로 토크가 비례 ... 하도록 한다.이 기능을 하는 것이 의 다이오드이며, 역방향의 기전력만 단락시키고, 통상적인 전압에 대해서는 매우 큰 저항 값이 되어 전류가 흐르지 않도록 하는 것이다.2) H 브리지 제
    논문 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.03.22
  • 공통이미터 증폭기
    공통 이미터 증폭기란 트랜지스터의 이미터(E)가 접기에 바이패스되는 증폭기를 의미하며 또는 이미터 접지 증폭기라도 한다. 이것은 이미터(E)가 직류접지가 아니라 교류접지를 의미 ... 한다. 공통 이미터 증폭기의 트랜지스터 베이스(B)에 신호가 입력되면 베이스전류IB의 변화를 가져오게 되어 컬렉터 전류IC가 컬렉터 저항 RC를 통하여 흐르게 되어 증폭기의 출력전압 ... 으로 나타나게 된다.트랜지스터의 베이스로 입력되는 입력전압의 (+)반주기동안 베이스에 흐르는 전류 IB는 증가하여 컬렉터에 흐르는 전류 IC의 증가원인이 된 것이다. 따라서 저항
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.14
  • FRAM의 특성과 응용
    ) 마스크 ROM 마스크를 이용하여 데이터를 저장함. 입력하는데 수주(Week) 소요. 1개의 트랜지스터로 메모리를 구성함. 1개 TR을 이용하므로 대용량에 용이함. EPROM ... ) Capacitor 의 입구를 열었다 닫았다 하는 역할 Refresh Capacitor 에 저장되어 있는 전하에 손실이 생겨 계속해서 전하를 보충 해야함. 제조 공정이 간단해서 대용량화에 유리 ... .Memory 의 종류EEPROM (Electrically Erasable Pro ROM) 전기적으로 입력 및 소거가 가능함. 2개 트랜지스터로 메모리를 구성. 바이트(Byte) 단위
    리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.08.29
  • 판매자 표지 자료 표지
    이미터 공통 증폭기의 특성
    을 얻기 위해서는, 입력 신호가 트랜지스터의 선형 영역에서 동작하도록 베이스가 바이어스되어야 한다. - 이미터 바이패스 커패시터° Ce는 이미터 저항 Re와 병렬로 접속되어있 ... 의 입력 및 출력 임피던스를 측정한다. - CE 증폭기의 전력 이득을 결정한다. - 오실로스코프를 사용해서 CE 증폭기의 입력과 출력 신호 전압의 위상을 관측한다.2. 관련 ... 이론 - 교류 증폭기로서의 트랜지스터° CE회로에 접속된 트랜지스터의 베이스 전류는 컬렉터 전류를 제어한다.° 컬레터-베이스간 전압 상승에 대한 컬렉터 전류의 증가는 베이스
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.18 | 수정일 2015.02.04
  • 반전 증폭기
    을 출력한다.(3) Inverting amplifier의 전압이득을 구한다.2. 이론반전 증폭기 회로는 대부분 연산증폭기 회로의 기본이며 그림을 이용해 반전 증폭기의 동작 원리를 회로 ... 기 때문에 전류는 저항 R2를 통해서 연산증폭기의 출력 단자로 흐르게 된다. 연산증폭기의 출력 단자는 약간의 전류가 흐를 수 있기 때문이다. 저항에 전류가 흐르면 반드시 전압강하 현상 ... 에서는 처음 설명한 전압 관계식으로부터 풀 수 밖에 없다.이 회로의 궤환 저항에 저항외에도 콘덴서나 다이오드 트랜지스터를 넣어 보는 것으로 여러가지 회로로 변형되거나 발전
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.12.12 | 수정일 2020.11.25
  • 보이지 않는 세계가 여는 미래 , 나노 테크놀로지
    , 비행기, 고속선 등과 같은 다양한 실용화물을 탄생시켰다. 산업의 변천사를 살펴보면, 20세기초반에는 제련, 제철 기술을 기반으로 철강산업이, 20세기 중반 이후에는 트랜지스터의 개발 ... 에서 이루어졌는데, -270도인 이유는 쉼없이 빠르게 움직이는 원자를 잡아두기 위해서 절대 영도에 가까운 온도로 얼려야 하기 때문이었다. 글자이외에도, 여러 가지 조형물이 만들어졌 ... 다. 세계에서 가장 작은 조형물인 10nm의 황소조각, 2750nm인 술잔, 그리고 코넬대 연구팀이 실리콘을 깍아 만든 기타 같은 것들이 만들어졌는데, 기타의 길이는 0,01nm이
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.02
  • 계측 및 신호처리 공학리포트 미분기 적분기
    을 사용한다.* 입력 오프셋 전류의 방향은 출력 전압 변화를 크게 하는 방향으로 가정하여 최대의 오차를 고려한다.* 적분 시간 상수에 대해서 적분 커패시터의 크기를 크게 설계하는 것 ... 이 회로의 주파수 이득을 제한하기 때문에 적분은 fc 이상에서만 된다.또한 fc이하의 입력 주파수에 대해서는 반전증폭기로 작동하게 되고 그때의 출력전압은 다음과 같다.실제로 Ri ... 유형은 아날로그 신호이다. 이러한 계측된 신호는 Op-Amp를 통해서 전기적으로 사칙 연산이 가능하며 이를 통해 기계를 제어할 수 있는 기본이 된다. 여기서 미분기와 적분기의 원리
    리포트 | 15페이지 | 10,000원 | 등록일 2009.04.12
  • 부울대수와 논리식
    ·z)x+(y·z)=(x+y)·(x+z)5항등원(identity element): 2진 연산표로부터 +연산자에 대해서는 0, 연산자에 대해서는 1인 항등원이 존재한다.x+0 = 0 ... 의 암(arm)을 한쪽에서 다른 쪽으로 옮긴다. 이는 코일과 릴레이 암사이 그려진 점선으로 표시되어 있다. 이와 같은 특정 릴레이에 대하여 {V_i = 0Vdc일 대 {V_0 ... 도 사용된다.반면 현대 컴퓨터는 아마도 초당 5천만({5×10^7)스위칭 동작을 수핼할 수 있다. 스위치와 릴레이는 이와 같은 성능을 낼 수가 없기 때문에 트랜지스터(bipolar
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.02
  • 휴머노이드 로봇에 쓰이는 센서 3가지 이상 조사한 리포트
    첫 번째 교차점에서 3군데 갈라져서 흐르게 된다. b 방출된 적외선이 포토 트랜지스터의 베이스에 입력되어 컬렉터의 전류가 이미 터를 지나 흐르게 된다. 이 전류는 교차점에서 2 ... 군데로 갈라지는 데 하나는 R2를 통해(-)로 흐르며 다른 하나는 좌측의 트랜지스터의 베이스로 흐르게된다. C 베이스에 전류가 공급되므로 전류는 트랜지스터의 컬렉터 를 통해 이미터 ... 에 수평으로 닿게 하기 위해서 사용할 수 있으며, 더 나아가 몸체의 균형점을 구하여 피드백 된 신호를 받음으로서 고르지 못한 지면에 서도 안정적인 보행 능력을 기대할 수 있다.기본적인
    리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.24
  • RAM의 종류와 그 의미
    ▷ DRAM D램DRAM은 DYNAMIC RAM의 약자다. 하나의 기억소자는 1개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터롤 구성되어 있다. 이처럼 간단한 구성의 메모리이기 때문에 높 ... 은 직접도로 메모리를 제작할 수 있고 저비용으로 대용량 메모리를 제작하는데 유리한 점이 많다.하지만 기억소자로 사용되는 캐패시터롤의 특성상 전원이 공급되고 있는 동안에도 일정한 주기 ... 로 다시 기록해주지 않으면 자연히 사라지는 특징을 가지고 있다. 그래서 DRAM은 전력소모가 많은 단점을 가지고 있다. 그러나 플래시 롬에 비해 속도가 매우 빠르고 SRAM에 비해 대
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.18
  • 논리회로 실험(차동증폭기와 능동 부하) 각종 실험 사진 및 PSPICE를 첨부한 만점 레포트입니다.
    되고, 시뮬레이션값, 이론값에 대해서는 0.98정도 된다. 이것은이론값을 구하기 위한 식을 바탕으로 보면 전류 미러에서는 전류에 대한 오차가 약 2%정도 생긴다는 것을 알 수 있 ... 기 때문이다. 이증폭기는 차동입력신호에 대해서는 민감하게 출력신호가 바뀌며, 공통입력신호에 대해서는매우 둔감하게 출력신호가 바뀐다. 즉, 회로가 두 입력신호의 차이에 대해서 출력 ... 시오.◇ 이 문제에 답하기 전에 먼저 비교기가 무엇인지 살펴보도록 하자.- 비교기는 기준신호전압과 입력 신호, 두 신호 전압의 크기를 비교하여 입력신호가 기준전압에 대해서 큰냐 작
    리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.02.28
  • 전기가 집에 오기까지
    진다. (전봇대)⑥ 일반가정의 경우에는 전주 위에 밥통같이 생긴 변압기에서 가정에서 쓰이는 220V로 강압을 해서 가정으로 인입이 되고, 빌딩이나 공장 등의 경우에는 22.9kV 전압 ... 를 이룬다)② 송전 효율을 높이기 위해서 1차 변전소에서 발전된 전압(약 66kV, 여기서 1kV=1000V)을 초고압(765kV or 345kV or 154kV)으로 승압(전압 ... 하는 교류(AC)전압을 전자제품에 필요한 (시간에 따라 변하지 않고 건전지 전압과 같이 일정한) 직류(DC)전압으로 바꾸는데 필요합니다.⑤ 트랜지스터 류 : 전자제품에서 스위칭 역할을 하
    리포트 | 4페이지 | 10,000원 | 등록일 2010.08.14
  • 2 Stage BJT Amp. Design BJT
    을 맞추기 시작했다. high 3dB 주파수는 트랜지스터의C _{pi } 와`C _{u}, gain에 의해 정해지므로 별론으로 하고, low 3dB 주파수를 맞추기 위해서 그림 1 ... 분석 및 결론이론을 통해서 구한 gain 값과 3dB주파수 값들과, PSPICE분석을 통해 구한 값들이 대부분 3~7%의 오차를 보였으므로 거의 simulation과 이론이 일치한다고 말할 수 있겠다. ... 므로 두 트랜지스터의 base에는 2V의 DC 전압이 걸리게 된다.다이오드의 전압강하가 0.6V라고 가정하고I _{C} 를`구하면`1.4/(5k)=0.28mA(두 트랜지스터의 콜랙터
    리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.05
  • 차동 증폭기 실험 예비보고서 넷리스트 및 피스파이스 시뮬레이션 파형 포함
    톤 모드에서 부귀환 전압은 더 높아지고, 공통 모드 신호를 제거한다.차동 모드에서 RE는 마치 바이패스된 것처럼 작용하므로 차동 모드 신호에 대해서는 증폭기의 이득을 감소시키지 않 ... 에 가장 많이 응용된다. 그림 1은 기본적인 차동 증폭기의 구조이다. 이것은 두 개의 입력과 하나의 출력을 가지며, 두개의 트랜지스터로 구성된다. 입력 회로는 대칭적이며, 두 개 ... 의 트랜지스터 Q1과 Q2는 동일한 특성을 지닌다. 이미터 저항 RE는 두 트랜지스터에 공통으로 걸리며, 컬렉터 부하 저항 RL1=RL2이다. 또한 두 입력 회로도 동일하다. 즉 v
    리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.24
  • 전자회로실험) cascaded amplifier 예비레포트
    므로, 온도에 대해서 불안정하게 되기 때문에 (b)와 같이,,를 연결하여 온도에 대해서 안정되도록 할 수 있다. 트랜지스터,에 대한 입력저항을 각각,라 하면(식8)(식9)인 관계 ... 높은 증폭도를 얻기 위해서 여러 단의 증폭기를 연결한 증폭기를 cascaded amplifier라고 한다. 그 중의 하나가 direct-coupled amplifier로서 증폭단 ... 다. 여기서는 direct-coupled amplifier의 하나인 Darlington amplifier를 중심으로 살펴본다. 그림 2(a)와 같이 두 개의 트랜지스터를 직접 연결
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.26
  • 위상천이, 빈브리지 회로
    트랜지스터를 이용해서도 사인파형을 얻으려는 설계를 해보았습니다. 커패시터의 같은 값을 주고 저항 또한 같은 값을 같게 해서 발진 주파수를 구하고 또한 이 값을 변화시켜서 사인파형을 구해 ... 트랜지스터변화 -OPAMP ☞ Transister2N2222 ☞ BCX70GV1 = 10VR12=R13=100KC2 = C3=0.01U▶이론값 대입★ 위상천이 변화 - Phase ... 이 252u 주파수 값은▣ 고 찰 ▣- 빈브리지 회로로 사인파형을 만드는데 너무나 많은 실험을 해보았지만 대부분 사인파형보다는 사인파형의 위쪽이 약간 클리핑 되는 회로가 나타나게 되
    리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.01.31 | 수정일 2016.01.11
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2025년 08월 14일 목요일
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