"초박막트랜지스터"의 검색결과 입니다.

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"초박막트랜지스터" 검색결과 181-200 / 345건

신소재개론 기말

transistor: 박막 트랜지스터)이 기술로 만들어진 디스플레이 화면은 노트북이나 랩탑 컴퓨터에 보편적으로 사용되는 액정화면으로서, 각 픽셀마다 하나씩 트랜지스터를 가지고 있다. 각 픽셀 ... 가능한 것이라는 것이 존재할까? 현재 기술수준에서 보면 불가능해 보일지 몰라도 그걸 극복해 나가는 것이 공학도가 해야 할 일이라고 생각한다.솔직히 영화를 보면서 초능력자들의 예지 ... 마다 트랜지스터를 가지고 있다는 것은, 픽셀에 빛이 나게 하는데 보다 적은 전류를 소모하며, 매우 빠르게 끄고 켤 수 있다는 것을 의미한다.Color TFT-LCD의 구조=> Col

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| 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.29

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반도체의 역사와 정리

ShoclcleyPearson과 함께 박막형 반도체에서 반도체 표면의 전하량을 조절하여 전기전도도를 변화시키는 증폭소자인 MOS 트랜지스터의 구조에 대하여 연구하였고, 또 1952년에는 다수 ... 학nfeld의 구조를 실제로 구현하기에 더 편한 평면형의 조절 전극을 제안하고 영국에 특허 등록하였다. " 그 구조가 오늘날의 전계효과 트랜지스터의 효시이다. 소수캐리어와 다수 ... . Brattain도 point-contact에 의한 바이폴라 트랜지스터를 발표하였으며", 이들 세 명 노벨상 수상자의 연구가오늘날까지 쓰이는 트랜지스터의 기초를 이룬다. 한편

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| 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.15

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유기발광다이오드(oled)에대해서~

경량, 초박막형 등의 특징이 있다.6. OLED의 종류Stack OLED BLU - Stack OLED BLU는 빛의 삼원색인 RGB를 각각 적층으로 분리하여 빛을 내는 OLED ... . 발광 재료 6. OLED의 종류 7. 응용분야1. OLED 란?OLED는 유기물(단분자/저분자 또는 고분자) 박막에 양극과 음극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자 ... 에서 보아도 화질이 변하지 않음. 빠른 응답속도 텔레비전 화면 수준의 동화상 재생에도 자연스러운 영상을 표현 (LCD의 100배) 간단하고 저렴한 제조공정 초박, 저전력 백라이트

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| 리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.24

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[공학]OLED(발표용)

(단분자/저분자 또는 고분자)박막에 양극과 음극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합(Recombination)하여 여기자(Excition)를 형성하고, 형성된 여기자 ... 의 OLED 소자당 한 개 이상의 트랜지스터를 사용하여 각 소자 별로 On/Off를 조절하며, 저장용량을 이용하여 정보를 저장하기 때문에 수동 구동 방식에 비해 소비전력이 작아진다 ... . 또한 픽셀 형성 공정이 수동 구동에 비해 간단하고, 고해상도의 패널을 제작할 수 있는 장점이 있다. 이 때 사용되는 트랜지스터는 일반적으로 출력전류가 큰 단결정 혹은 다결정 실리콘

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| 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.01.12

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전자종이 (e-paper)

했다. E-Paper는 14.1인치 사이즈에 두께는 300마이크로미터(㎛ㆍ100만분의 1ｍ)로 일반 A4용지와 비슷하지만 초박막 기판에 전자잉크가 흘러 4096가지 색상을 구현한다.이 ... 제품은 금속박(metal foil)으로 된 기판에 TFT(박막 트랜지스터)를 배열하여, 어느 지점에서 구부려도 정면에서 보는 것처럼 또렷하게 화면이 보이도록 했다. 저전력 설계

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.09

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[공학]MRAM

배 이상 빠른 속도를 내는 초고속 메모리다.실리콘으로 만들어진 트랜지스터는 갈수록 크기가 작아져 이제는 하나의 칩에 1억 개가 넘는 트랜지스터를 집적할 정도가 되었다. 칩의 성능 ... 은 얼마나 많은 트랜지스터를 집적하느냐에 달렸다고 해도 과언이 아니다. 그러나 이제 칩과 칩 사이의 통신 속도는 한계에 도달했다. MRAM은 이 같은 문제를 해결하기 위해 칩과 칩 ... 사이를 배선이 아닌 전기장으로 연결한다. 트랜지스터에 전하의 움직임이 나타나면 칩 주변에는 전기장이 형성된다. 전기장은 근접한 다른 칩에 같은 수치를 부여한다. +전하가 1,

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.24

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Epitaxy

EpitaxyEpitaxy Process소자에의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 단결정으로 이루어진 웨이퍼 상에 얇은 박막결정을 성장시키는 것이다. 이 과정에서 기판은 그 ... 에 n형 주입층이 확산에 의해 만들어지고, 그 고저항(高低抗)의 n형층이 에피택시에 의해 만들어지며, 이어서 이 n형층 안에 저항·다이오드·트랜지스터가 만들어져 자리잡게 된다 ... 를 갖다. 아마도 기존의 박막 형성 방법과 너무 다르고 응용 분야가 특수하게 보였기 때문이었을 것이다. 그러나 이 기술을 사용하여 핀란드의 Lohja사가 ZnS:Mn을 사용하여 미국

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| 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.07.01

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[반도체]ic 칩의 제조공정과 반도체산업의 미래와 현재

해 복잡한 연산을 기계적으로 처리할 수 있는 계산기를 만들 수 있게 되었다. 하지만 이런 방식으로 컴퓨터를 만들기에는 필요한 트랜지스터의 수가 너무 많았다. 그래서 1950년대 초 ... 사이를 막으로 접속시켜 회로를 이루게 한 것이다. 때로는 박막 트랜지스터(기판 위에 진공증착 등의 방법으로 형성된 박막을 이용하여 만들어진 트랜지스터)와 같은 능동소자(能動素子 ... 었다. p형 과 n형 반도체, 축전기, 저항 등을 초소형으로 기판에 설치하여 트랜지스터 20∼300개 를 한 개의 부품으로 만든 것이다. 논리 회로나 신호의 증폭에 쓰인다.6

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| 리포트 | 17페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.03.11

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Nanowire 기술의 적용사례 분석 -디스플레이 기술을 중심으로

차원에 따라 0차원 나노입자(거대분자, 양자점), 나노와이어, 나노리본과 같은 1차원 구조의 나노물질, 그리고 나노 박막과 같은 나노구조물로 구분된다.이중에서도 연구자들은 일차원 ... 를 위시하여 전계효과 트랜지스터, 발광 다이오드,논리회로 등과 같은 다양한 종류의 나노디바이스들의 기초 빌딩블럭이 될 수 있기 때문이었다.최초에 연구자들의 관심을 끌었던 것은 0차원 ... ratio)가 크고 가벼운 물질로 만든 보(beam)는 엄청난 감도를 가지게 되므로 1GHZ와 같은 초고주파도 감지할 수 있게 된다. 이러한 성질을 이용하여 공명자, 원자력간현미경

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| 리포트 | 27페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.09.29

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습식에칭(Wet Etching)

다 . ● 습식 에칭장비 분야에서 국내 중소기업이 많은 출원 건수를 나타내는 이유는 선폭이 비교적 큰 박막트랜지스터 및 미세전자기계시스템의 제조 분야나 웨이퍼 전면의 박막을 제거 ... 공정의 개발에 있어서는 신물질의 도입에 대응하고 연구와 환경 친화적인 공정을 개발하는 것이 급선무의 과제 장래에는 현재 사용되고 있는 SiO 2 또는 SiOF 박막을 대신하여 유전 ... 상수가 낮은 유전박막이 사용될 것이기 때문에 이에 대한 에칭공정을 새롭게 개발 13/203. 기술 개발 추이 3.4 모델링 및 전산 모사 ● 웨이퍼의 크기가 증가함에 따라 플라스마

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| 리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.22

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박막 재료의 표면처리 및 PR 제거

이나 환경을 이용하기 위한 응용분야가 점점 더 확대되고 있다.? 신소재 합성 : 종래의 초고압, 고온에서 얻어지던 인조 다이아몬드가 플라즈마를 이용한 기상 증착법에 의해, 특히 박막 ... 1. 실험제목 : 박막 재료의 표면처리 및 PR 제거2. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠지는데 첫째 ... 로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다.이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이

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| 리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.27

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FRAM과 Flash Memory

하다. 강유전체 캐패시터와 트랜지스터가 워드선,플레이트선에 접속되어 있고 DRAM 과의 차이는 캐패시터가 강유전체 박막을 갖는 점과 강유전체 캐패시터의 plate 전극이 셀마다 전압 ... ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 9박막의 필요성과 방법 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 9결론 ... 라, 마음대로 내용을 기록, 수정, 보관할 수 있는 장점이 있다. 현재 256 kb 정도의 용량을 가지는 제품이 개발된 수준이며, 앞으로 박막기술의 발전과 함께 고용량의 비휘발성 기억

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| 리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.28

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# IC칩의 분류와 특징

을 나타내는 것을 발견하여 이를 트랜지스터라고 명명하였다. 이것이 그 동안 신호증폭의 구실을 해 오던 진공관(眞空管)과 대치되는 트랜지스터의 시초가 된 것이다. 트랜지스터 그 자체 ... 였으나, 그 후 많이 개량되어 아주 대전력을 다룰 수 있는 등 특수한 경우를 제외하고는 진공관에 대치되었다.- Transistor의 종류트랜지스터는 동작시의 전류방향으로 보아 크 ... 이서는 pnp 트랜지스터나 점 접촉형 트랜지스터에 상당하는 것이며, 단지 빛의 에너지를 전기에너지로 변환하는 것뿐만 아니고 변환된 에너지를 트랜지스터 작용에 의해서 증폭을 하

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| 리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.03.26

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SMPS에 대한 레포트

를 기판으로하여 박막기술을 이용한 초박형 트랜스포머의 실현은 향후 매우 흥미로운 과제가 될 것이다.3 SMPS의 종류 및 특징SMPS는 전력용 트랜지스터등 반도체 소자를 스위치 ... 를 동인한 chip속에 구성하는 것은 전기적·열적 절연 문제가 남게 된다. 한편 박막 기술에 의한 트랜스포머, 인덕터의 마이크로화에 대해서도 많은 연구가 진행되고 있으며 특히, 페라이트

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| 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.27

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Hall Effect에 의한 전기적 특성 분석

효과 트랜지스터(Si-MOSFETs)의 반전층 등이 고전적인 예이다. 갈비/알갈비 이질구조(GaAs/AlGaAs Heterostruc- tures), 양자 우물, 초격자 등 ... 4. Hall Effect에 의한 전기적 특성분석1. 목적박막의 Hall Effect를 측정하여 전기적 특성을 파악한다.2. 이론① 홀 효과 역사양자 홀효과는 2차원 전자기체 ... 과 반도체 양단에 전압을 걸어주어 반도체 표면의 전자들을 제어하는 것으로 전계효과 트랜지스터의 개발과 연계되어 연구되었다.1950년대 초기 및 중기에 미국 일리노이대학교 바딘 교수

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| 리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.28

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[과제물]MEMS - 파인만 강의 요약 및 논문 요약 1

를 10~100개의 원자직경으로 만들고, 회로가 수천 A이 될 것이다. 그러나 이것은 너무 많은 물질을 요구하게 되고, 트랜지스터를 위한 제라늄이 충분하지 않다. 더 실제적인 어려움 ... 는 것처럼 미소한 수준에서 구멍을 뚫고, 자르고, 납땜하고, 찍어내고, 다른 형태로 주조는 못하는 것일까?예를 들어 자동차와 같은 기계를 초미세 기계로 만든다고 해보자. 다소 정밀도 ... 한 micromachining의 새로운 재료들이 소개되고 있다. 예를 들면 복합체, 고분자, 광재료, 윤활유, 자기 박막 등이다. 또한 리소그라피 공정과 마스크 제작, 에칭 공정의 개발에 대한

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.05

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[공학기술]박막 공정,PVD,증착,진공증착,스퍼터링 보고서

p5.3. APCVD50p6. 분자빔 결정법(MBE)51p7. 박막 증착의 예53p7.1. 실리콘 박막 트랜지스터(TFT)53p8. PVD와 CVD의 차이 비교55p9. 증착법 ... 박막 공정THIN-FILM PROCESS목 차1.박막공정6p1.1. 박막공정의 정의7p1.2. 박막공정의 과정7p2. 세척7p3. 증착8p3.1. 증착의 정의9p3.2. 증착 ... . 웨이퍼tep coverage, 그리고 불순물의 영향 등이 있다. thermal evaporation은 성막 속도는 크나 박막의 밀착 강도가 작고 균일한 박막제조에는 불리하다. 특히

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| 리포트 | 70페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.08.16

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화학공학과 IT

IT미래에도 화학공학의 신소재 분야는 IT산업발전의 큰 추진력이 될 것이다. 이외에도 전통적인 화학공학 산업에 IT가 접목되는 경우를 생각해 볼 수도 있다.? 유기박막트랜지스터 ... 은 1970년에 들어서면서 본격적으로 시작되었다. 1970년대 초 정부는 중화학공업을 실시하고 한국경제는 급진적으로 공업화, 산업화함에 따라 70∼80년대의 급속한 발전을 이루 ... 은 전파보다 주파수가 더 크기 때문에 통신에 빛을 사용하면 전파를 사용하는 것보다 같은 시간에 더 많은 정보를 보낼 수 있다. 광섬유 속에서는 빛이 1초 동안에 수억~수십 억 회

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| 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.11

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OLED

를 하자면 OLED는 유기물(단분자/저분자 또는 고분자) 박막에 양극과 음극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자를 형성하고 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장 ... 은 스위칭 속도를, 얇 필름 트랜지스터 (TFT)를 제공하는 polysilicon 기술의 발달에 의해 가능하게 한다.활동 모체 OLED 전시에서는, 각 개인적인 화소는 전자 뒤 비행기 ... 같이다.(LCD 1000배)?4.초박, 저전력백라이트가 필요 없기 때문에 저소비전력(LCD 반 수준)과 초박형(LCD 1/3)이 가능하다.?5.수명(휘도가 떨어질 때가지의 시간

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| 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.27

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반도체 용어 정리

을 가지는 광대역반도체(wide bandgap semiconductor)로서 70년대 초부터 청색 발광 소자를 비롯한 다양한 광전소자와 보호박막 등의 응용을 목적으로 연구되어왔 ... 시키고, 이것을 재료 표면에서 이탈시켜 에칭하는 기술이다. 이 기술은 반도체 소자 초미세 가공과정의 기본기술로 확립되어 있다. RIE 기술은 보통 크리닝, 디스컴등에 사용을 하 ... 반도체 소자를 제조하는 공정에서 반도체 단결정 웨이퍼에 박막 형성, 포토리소그래피(photolithography), 에칭, 이온 주입 등의 기술이 가해지는 요소 프로세스 중의 한 공정

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23

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