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[기술경영학] 삼성반도체의 기술혁신 전략!!

1906년 전기적 증폭이 가능한 진공관 개발 1947년 고체트렌지스터 개발 1959년 독자접 집적회로 특허 신청 1971년 1024bit 메모리를가진 1K RAM 개발 1970년 초반에 4K DRAM 소개 1970년대 이후에 16K RAM 소개 1980년대 256K DRAM 출시 이후 1M DRAM 4M DRAM 2001년 4G DRAM 삼성전자에 의해 세계최초 개발 * 집적도에 따른 분류방식 SSI / MSI / LSI / VLSI 기능에 따른 분류방식 Semiconductor IC Analog Digital Logic Microcpmponent Memory RAM ROM DRAM SRAM MASK ROM EPROM EEPROM Flash Memory Graph 전용DRAM MPU MCU MPR DSP 1992 ~ 2002 : 도약기 1974 반도체 사업 시작 1982~1983 메모리 사업 추진 준비 TI의 특허 제소 (정액 특허료 지불) 마이크론의 64KD램 생산 중단 제소 1987~1991 메모리 사업기반 구축 3라인 대규모 투자 (`87) 16MD램 공동 최초 개발 (`90) D램 1위 업체 (`92), 메모리 1위 업체 (`93) 국내 단일 업종 최초로 100억불 달성 (`95) 세계 최초 4GD램 공정 기술 개발 (`01) 반도체 시장 순위 2위 예상 (`02) 1984~1986 사업본격 추진 및 시련기 한국 반도체 인수 (`74) 시계 칩 등 저가품 생산 고부가가치 사업 추진 결정 국내최초 VLSI 양산라인 건설 (`83) 삼성반도체 위기 1984년 세계적인 반도체 공급 과잉으로 인한 불황 일본 기업들의 가격 덤핑 1986년 미국 TI의 특허제호로 인한 9천만달러 배상금 지불 ※ Intel사는 DRAM산업을 철수시켰지만 삼성은 1M DRAM공장 착공 D램 채택이유 시장이 크다 설계기술이 어렵지 않다 소품종 대량 생산이 가능하다 투자 회수기간이 짧아 재투자의 여력이 많다 보다 높은 기술 수준의 반도체 제품을 개발하기 위한 기술확보 비교적 용이
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최초등록일 2008.08.22 최종저작일 2007.10
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[기술경영학] 삼성반도체의 기술혁신 전략!!
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    소개

    1906년 전기적 증폭이 가능한 진공관 개발
    1947년 고체트렌지스터 개발
    1959년 독자접 집적회로 특허 신청
    1971년 1024bit 메모리를가진 1K RAM 개발
    1970년 초반에 4K DRAM 소개
    1970년대 이후에 16K RAM 소개
    1980년대 256K DRAM 출시 이후 1M DRAM 4M DRAM
    2001년 4G DRAM 삼성전자에 의해 세계최초 개발
    *
    집적도에 따른 분류방식
    SSI / MSI / LSI / VLSI
    기능에 따른 분류방식
    Semiconductor
    IC
    Analog
    Digital
    Logic
    Microcpmponent
    Memory
    RAM
    ROM
    DRAM
    SRAM
    MASK
    ROM
    EPROM
    EEPROM
    Flash
    Memory
    Graph
    전용DRAM
    MPU
    MCU
    MPR
    DSP
    1992 ~ 2002 : 도약기
    1974
    반도체 사업 시작
    1982~1983
    메모리 사업 추진 준비
    TI의 특허 제소 (정액 특허료 지불)
    마이크론의 64KD램 생산 중단 제소
    1987~1991
    메모리 사업기반 구축
    3라인 대규모 투자 (`87)
    16MD램 공동 최초 개발 (`90)
    D램 1위 업체 (`92), 메모리 1위 업체 (`93)
    국내 단일 업종 최초로 100억불 달성 (`95)
    세계 최초 4GD램 공정 기술 개발 (`01)
    반도체 시장 순위 2위 예상 (`02)
    1984~1986
    사업본격 추진 및 시련기
    한국 반도체 인수 (`74)
    시계 칩 등 저가품 생산
    고부가가치 사업 추진 결정
    국내최초 VLSI 양산라인 건설 (`83)
    삼성반도체 위기
    1984년 세계적인 반도체 공급 과잉으로 인한 불황
    일본 기업들의 가격 덤핑
    1986년 미국 TI의 특허제호로 인한 9천만달러 배상금 지불
    ※ Intel사는 DRAM산업을 철수시켰지만 삼성은 1M DRAM공장 착공
    D램 채택이유
    시장이 크다
    설계기술이 어렵지 않다
    소품종 대량 생산이 가능하다
    투자 회수기간이 짧아 재투자의 여력이 많다
    보다 높은 기술 수준의 반도체 제품을 개발하기 위한 기술확보 비교적 용이

    목차

    □ 세계 반도체 산업
    □ 삼성전자의 반도체 산업
    □ 비메모리 사업확대와 과제
    □ 계속되는 도전

    본문내용

    1906년 전기적 증폭이 가능한 진공관 개발
    1947년 고체트렌지스터 개발
    1959년 독자접 집적회로 특허 신청
    1971년 1024bit 메모리를가진 1K RAM 개발
    1970년 초반에 4K DRAM 소개
    1970년대 이후에 16K RAM 소개
    1980년대 256K DRAM 출시 이후 1M DRAM 4M DRAM
    2001년 4G DRAM 삼성전자에 의해 세계최초 개발
    *
    집적도에 따른 분류방식
    SSI / MSI / LSI / VLSI
    기능에 따른 분류방식
    Semiconductor
    IC
    Analog
    Digital
    Logic
    Microcpmponent
    Memory
    RAM
    ROM
    DRAM
    SRAM
    MASK
    ROM
    EPROM
    EEPROM
    Flash
    Memory
    Graph
    전용DRAM
    MPU
    MCU
    MPR
    DSP
    1992 ~ 2002 : 도약기
    1974
    반도체 사업 시작
    1982~1983
    메모리 사업 추진 준비
    TI의 특허 제소 (정액 특허료 지불)
    마이크론의 64KD램 생산 중단 제소
    1987~1991
    메모리 사업기반 구축
    3라인 대규모 투자 (`87)
    16MD램 공동 최초 개발 (`90)
    D램 1위 업체 (`92), 메모리 1위 업체 (`93)
    국내 단일 업종 최초로 100억불 달성 (`95)
    세계 최초 4GD램 공정 기술 개발 (`01)
    반도체 시장 순위 2위 예상 (`02)
    1984~1986
    사업본격 추진 및 시련기
    한국 반도체 인수 (`74)
    시계 칩 등 저가품 생산
    고부가가치 사업 추진 결정
    국내최초 VLSI 양산라인 건설 (`83)
    삼성반도체 위기
    1984년 세계적인 반도체 공급 과잉으로 인한 불황
    일본 기업들의 가격 덤핑
    1986년 미국 TI의 특허제호로 인한 9천만달러 배상금 지불
    ※ Intel사는 DRAM산업을 철수시켰지만 삼성은 1M DRAM공장 착공
    D램 채택이유
    시장이 크다
    설계기술이 어렵지 않다
    소품종 대량 생산이 가능하다
    투자 회수기간이 짧아 재투자의 여력이 많다
    보다 높은 기술 수준의 반도체 제품을 개발하기 위한 기술확보 비교적 용이

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