Lithography 및 PR, etchant

소개

식각에 관해 전반적으로 조사하였습니다.
재료에서 부터 원리까지 조사하였습니다.

목차

1-1. Optical Lithography
1-2. Electron Beam Lithography
1-3. X-Ray Lithography
1-4. Ion Beam Lithography
2.1.용해억제형 포토레지스트
2.2 화학증폭형 포토레지스트
2.3주쇄절단형 포토레지스트
3.포토마스크(Photomask)
4.Developer
5.노광기
6. Etchant
6.1 Alkali Etchant
6.3 ITO etchant
7. Stripper

본문내용

1-1. Optical Lithography
초기의 노광장비는 Contact Printer로서 Wafer위에 바로 Mask를 대고 Visual로 Align한 후 노광하는 방식이였다. 이 기술이 조금 더 발전하여 Mask와 Wafer간의 Gap을 줄여 해상력을 높였는데 Gap의 차이에 따라 Soft Contact, Hard Contact(10∼20㎛ 이하) 그리고 Vacuum Contact 등의 종류를 갖는 Proximity Printer로 노광하게 된다. 그후 1970년대 초반에는 반사나 굴절을 이용한 Optical System을 적용한 Projection Type의 노광장비의 개발로 해상력은 물론이고 Mask의 수명연장과 Wafer의 Size 대구경화의 제품개발에의 적용이 본격적으로 시작될 수 있었다. 그후 1970년대 중반에는 반도체 대량생산에 획기적인 기여를 하면서 Photo Lithography의 기술개발에 전기를 마련한 Stepper의 시대가 시작되었다. Stepper란 Step and Repeater의 줄임말로 이방식의 노광장비를 사용하여 해상력은 물론이고 Alignment Accuracy의 향상이 이루어졌다. 초기 Stepper는 Mask Pattern대 Wafer상에서의 Pattern 비율이 1:1이나 5:1 또는 10:1의 축소투영노광방식으로 설계되었으나 Mask Patterning과 Size의 한계로 인하여 5:1 축소투영방식이 주류를 이루게 되었다. 다시 1990년대 초반부터 개발된 Step and Scan Type의 Scanner는 4:1 축소방식으로 Mask Patterning의 부담을 주기는 했지만 점점 커지는 Chip Size에 대응하고 생산성을 높일 수 있도록 한 노광장비이다.
해상력은 Light Source의 파장과 밀접한 관계를 갖는 데 초기의 g-line(λ=436㎚)을 이용한 노광장비로는 약 0.5㎛ 수준의 Patterning이 가능하였고 i-Line(λ=365㎚)을 이용하면 약 0.4㎛ 수준의 Patterning이 가능하였다.

참고자료

· 없음