bjt dc characteristics and bias 실험예비레포트

소개

bjt dc characteristics and bias 실험예비레포트 입니다.

전자회로 수업입니다.

피스파이스 포함되어 있습니다.

결과레포트 양식 있습니다.

목차

예비레포트 <u>7페이지</u>
■ 실험목적
■ 실험부품 및 사용기기
■ 이론요약
■ 실험순서
■ Pspice simulation

■결과 레포트 양식 <u>1페이지</u>

본문내용

■ 실험목적
7 -
-BJT의 DC 특성을 이해한다.
-BJT의 바이어싱 회로의 동작을 이해한다.

■ 실험부품 및 사용기기
1
0-15V 직류 전원공급장치
1
브레드 보드

1
신호발생기
4
저항
1KΩ(2), 4.7KΩ, 560KΩ
1
2현상 오실로스코프
3
BJT
2N3904



■ 이론요약
(1)Current-Voltage Characteristic

1. ic-VBE특성은 그림 9-1과 같은 지수관계를 가지고 다이오드의 i-v 관계와 동일하다. 정상적인 전류 범위의 대부분에 걸쳐 VBE가 0.6∼0.8V의 범위에 있다.

<그림 9-1>npn 트랜지스터의 ic-VBE 특성


2. 활성 영역 동작에서, VCB≥-0.4V 정도에 대하여 얻어진 ic-VCB곡선들은 수평 직선들이 아닌 작은 양의 기울기를 보이므로 활성모드에서 ic가 VCB에 미소하게 의존하는 것을 알 수 있다. VCE의 상대적으로 큰 값들에서, ic는 급속히 증가한다.
Ic-ɑFIE-Is(-ɑF)e


(a)
(b)
<그림 9-2>npn 트랜지스터의 ic-VCB 특성

3. VBE의 각각의 값에 대응하는 ic-CcE특성은 다음과 같다.
ic=Ise(1+)


(a)
(b)
<그림 9-3>npn 트랜지스터의 ic-VCE 특성

4. 특성 곡선들은 그림과 같이 연장했을 때, 한 점 (VCE=-VA)에서 만나게 되며 VA는 대개 50∼100V의 값을 가지고 이 전압을 얼리 전압이라 부른다.
5. VBE의 주어진 값에서, VCE 증가는 콜렉터-베이스 접합에 역바이어스 전압을 증가시키게 되어 이 접합의 공핍 영역의 폭이 증가하게 된다. 따라서 effective base width가 감소하게 되고 W의 감소에 의하여 Is와 ic가 증가하게 되고, 이것을 얼리 효과라 한다.

(2)BJT Bias
1. 베이스 바이어스는 단일 전원(Vcc)를 사용하여 바이어스 전압을 인가한 것으로 iB를 일정하게 해주고 주로 스위칭 회로에 사용된다.

참고자료

· 없음