[공학]XRD and AES

소개

이 자료는 엑스레이의 발생원리와 이론 뿐만 아니라 엑스레이를 측정하는 실험방법을 조사하였습니다. 그리고 표면분석으로 가장 많이 사용되는 측정장비로 auger 전자 분광법에 대한 원리 측정장비 분석방법에 대해 조사했습니다.

목차

Part 1
Principle of XRD
XRD의 기본 구성
Scan axis에 따른 분석

Part 2
Principle of AES
Instrument of AES
Analysis of AES

본문내용

가장 일반적인 방법으로 X-선원과 시편이 이루는 각도를 세타라고 할 때, X-선원과 검출기가 이루는 각도가 항상 2 세타를 이루는 측정방법을 말합니다. 이 경우에는 브래그 법칙에 의해 시편 표면에 평행한 결정면만 회절에 기여하게 됩니다. 다음의 그림에 보시는 바와 분말 시료와 같은 다결정 시편은 시편 표면에 평형한 결정면을 모두 가지고 있기 때문에 각각의 결정면들의 회절선이 나타나게 됩니다. 그리고 단결정 시편은 시편 표면에 평행한 결정면을 하나만 가지고 있기 때문에 그 결정면의 회절선만 크게 나타나게 됩니다. 그리고 결정면의 혼합비가 다를 경우 상대적인 강도를 비교함으로써 방향성의 정도를 비교할 수 있습니다AES의 원리에 대해 살펴보도록 하겠습니다. 바닥의 전자가 전자빔에 의해 여기되어, 내각에 홀이 생기면 두 가지 과정에 의해 바닥상태로 돌아가게 됩니다. 윗 에너지 준위의 전자가 내각으로 전이되면서 빛을 방출하는 fluorescence와 이 에너지가 빛의 방출없이 2차 전자가 방출되는 auger electron emission이 있습니다. 이 전자의 에너지는 입사되는 전자빔 에너지에는 관계없이 각각의 전자가 속해 있던 준위의 에너지에 의해 결정됩니다. 특히 2KeV이하의 결합에너지를 갖는 낮은 전자각에서 발생되는 홀에 의해/ Auger 전자의 방출이 지배적으로 일어납니다. 그리고 AES에는 KLL, LMM, MNN 등으로 표시되는 여러 가지 transition mode가 있습니다. 다음 장에서 transition mode에 대해 좀더 자세히 살펴보겠습니다.

참고자료

· X선 회절, surface analysis