[공학]JFET 공통 소스 증폭기 예비 REPORT(피스파이스 시뮬레이션 포함)

소개

JFET 공통 소스 증폭기 예비 REPORT(피스파이스 시뮬레이션 포함)

목차

1. 목적
2. 이론

본문내용

1. 목 적
JFET의 드레인 전류에 대한 드레인-소스 전압 효과와 게이트-소스 효과 드레인 전류와 게이트-소스 전압의 특성 및 상호간의 관계를 이해한다
2. 이 론
(1) FET의 장점
1. FET는 높은 입력 임피던스를 갖는 전압에 민감한 소자이다. BJTDP 비하여 현저히 높은 입력 임피던 스 때문에 다단 증폭기의 입력단으로는 FET가 BJT보다 선호되고 있다.
2. 여러 종류 중 한 가지인 JFET는 BJT보다 발생잡음이 적다.
3. FET는 BJT보다 온도에 대하여 안정하다.
4. FET는 일반적으로 BJT보다 제작이 간편하다. 즉 단일 칩상에 보다 많은 소자를 구성할 수 있다. 즉 집적도를 높일 수 있다.
5. 드레인-소스 사이의 전압이 적은 전압구간에서는 전압제어 가변저항처럼 동작한다.
6. 높은 입력 임치던스는 전하를 오랫동안 저장할 수 있어 저장소자로 사용할 수도 있다.
7. 전력용 FET는 높은 전력을 견디어내며 대전류를 스위치할 수 있다.
8. JFET는 방사능에 BJT보다 덜 민감하다.
(2) FET의 단점
1. FET는 높은 입력 커패시턴스 때문에 나쁜 주파수 특성을 갖는다.
2. 일부 종류의 FET는 나쁜 선형성을 갖는다.
3. 정전기에 의해 쉽게 손상을 입을 수 있다.
(3) JFET동작과 구조
BJT와 마찬가지로 FET 역시 3단자 소자이다. BJT가 2개의 pn접합을 가지고 있는 것과 달리, 이것은 기본적으로 게이트와 드레인-소스 채널 사이게 하나의 pn접합을 가지고 있다.
그림 1-1에 접합형 FET의 물리적 구조를 나타내었다.
그림 1-1(a)의 n 채널 JFET는 n 타입 부분의 스트립과, 그 스트립 양옆으로 확산된 2부분의 p 타입부분으로 구성되며, p 채널 JFET는 그와 반대로 p 타입 부분의 스트립과 양쪽의 n 타입부분으로 구성된다.
JFET의 동작을 깊이 있게 고찰하기 위하여 그림 1-1(a)은 n 채널 JFET에 를 드레인에 인 가하고 소스를 공통으로 구성한다.
게이트 전압 를 게이트에 인가하며 이러한 회로구성을 그림 1-2(a)에 나타내었다.
는 드레인-소스 전압 를 제공하고, 이것이 드레인으로부터 소스로 흐르는 드레인전류 를 만들게 된다.

참고자료

· 없음