플래시 메모리 자료

소개

전반적인 플래시 메모리에 대한 자료 입니다
실망 하시지 않을 거에요

목차

1.플래시 메모리란
2.플래시 메모리 특징
3.플래시 메모리 종류
4.플래시 메모리와 기타 메모리 비교
5.플래시 메모리 적용 분야
6.시장 동향과 전망 미래
7.결론

본문내용

1. Flash Memory

미국 Intel이 1971년 일명 FAMOS(Floating gate Avalanche injection MOS)라 불리 우는 부유 게이트 구조의 비 휘발성 메모리(EPROM)를 처음 발표하였다. 이것은 기억세포가 한 개의 트랜지스터로 구성되어 셀 면적이 작은 대신에 자외선을 쪼여축적된 데이터를 소거하는 방식을 취하고 있기 때문에 광 조사를 위한 창이 달린 패키지가 필요하며, 더욱이 사용 장소에 따라서는 고쳐 쓰기 시 소켓을 이용해야 하는 경우가 있는 등 경제성이 문제가 되었다. 이러한 문제점을 해소 하고자 탄생한 것이 전기적으로 소거하는 EPROM 즉, EEPROM이다.
EEPROM은 전기적 소거가 가능한 대신 기억 세포가 두 개의 트랜지스터로 구성되어 셀 면적이 큰 단점 이 있다.
또한 기본적으로 임의의 셀을 소거하기 위해선 선택 트랜지스터를 필요로 하기 때문에 셀 크기를 축소시켜 집적도를 높이는 데는 한계가 따랐고 코스트도 높아질 수밖에 없었다. 따라서 TV의 튜너 등 수백 Kbit 이하 의 소 용량 에서만 이용되고 자기메모리에서 사용하는 Mbit 단위의 메모리로서는 사용되지 못하였다.
이처럼 EEPROM의 약점인 집적도의 한계를 해소하기 위해 소거를 일괄적으로 처리함으로써 1개 트랜지스터/1개 셀 구조를 실현한 것이 Flash Memory이다.
다시 말해서 Flash Memory란 Flash EEPROM(Electric-cally Erasable and Programmable Read Only Memory)을 가리키며, 전기적으로 데이터를 변경할 수 있는 읽기 전용의 메모리이다. 전기적으로 고쳐 쓰기(rewrite)가 가능하다는 점에서는 ROM과 다르며, 데이터를 고쳐 쓰기 전에 소거 동작이 필요하고
데이터가 지워지지 않는다는 점에서는 통상의 RAM과도 다른 이른바 RAM과 ROM의 중간에 위치하는 메모리라고 할 수 있고 또한 소비전력이 작고, 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 사라지지 않은 채 유지되는 특성을 지닌 기억장치(반도체)이다. 비 휘발성 메모리로서 바이트 레벨에서 지울 수도 있고 수정할 수도 있는 EEPROM 과는 달리 블록단위로 수정되기 때문에 속도가 빠르다.
디지털 텔레비전·디지털 캠코더·휴대전화·디지털카메라·개인휴대단말기(PDA)·게임기·MP3플레이어 등에 널리 이용된다.[1]

참고자료

· 없음