전자회로실험 - 결과보고서 - MOSFET 기본특성

소개

"전자회로실험 - 결과보고서 - MOSFET 기본특성"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험회로 1([그림 9-13])에서 R_sig를 10kΩ으로 고정하고, V_DD는 12V로 고정한 상태에서 V_sig에 6V의 DC전압을 인가하고, V_O 전압이 6V가 되는 R_D를 구해서 [표 9-2]에 기록하시오. 예비 보고 사항에서 구한 값 부근에서 R_D값을 변화시키면서 찾으면 효율적으로 찾을 수 있다. 또한 I_D를 측정하여 [표 9-2]에 기록하시오.
2. V_sig전압을 6V, R_D 저항을 0Ω으로 고정하고, V_DD를 0V, 12V, 3V~9V는 500mV 간격으로 변화시키면서 V_DS 전압, 드레인 전류 I_D를 측정하여 [표 9-3]에 기록하시오.
3. [표 9-3]을 바탕으로 [그림 9-19]에 I_D-V_DS 그래프를 그리시오.
4. V_DD를 12V로 고정하고, V_sig 전압을 0V, 12V, 3V~9V는 500mV 간격으로 변화시키면서 V_GS 전압(V_I 전압), 드레인 전류 I_D를 측정하여 [표 9-4]에 기록하시오. 동작 영역을 확인하기 위해 V_DS 전압도 같이 기록하시오.
5. [표 9-4]를 바탕으로 [그림 9-20]에 I_D-V_GS 그래프를 그리시오. 또한 그래프로부터 문턱 전압(V_th)을 구하시오.

본문내용

실험 결과

이번 실험에서는 PMOS를 제외한 NMOS의 실험만을 진행하였다.

NMOS
1. 실험회로 1([그림 9-13])에서 R_sig를 10kΩ으로 고정하고, V_DD는 12V로 고정한 상태에서 V_sig에 6V의 DC전압을 인가하고, V_O 전압이 6V가 되는 R_D를 구해서 [표 9-2]에 기록하시오. 예비 보고 사항에서 구한 값 부근에서 R_D값을 변화시키면서 찾으면 효율적으로 찾을 수 있다. 또한 I_D를 측정하여 [표 9-2]에 기록하시오.

실험회로 1과 같은 모양으로 아래의 회로를 구성하였다. NMOS의 방향이 반대이나, 실험은 방향을 바꾸어 진행하였다.
R_D는 사진과 같이 100Ω의 저항, 4개를 병렬로 연결하여 진행하였다.
4개의 저항은 병렬로 연결하였을 때 12.5Ω정도의 저항을 가지게 된다. 이는 PSpice의 시뮬레이션과 유사한 값으로, 이를 바탕으로 측정을 진행하여 아래의 [표 9-2]와 같은 결과를 얻을 수 있었다.

참고자료

· 없음