[촬상소재] CCD의 개요 및 특징

목차

1. CCD의 정의
2. CCD의 원리
3. CCD의 종류
4. CCD의 구성
5. CCD의 동작
6. CCD의 특성
7. CCD PROCESS INTERGATION
8. CCD외의 촬상 소재
1) 필름
2) CMOS

본문내용

▶ CCD Process의 소개
CCD process는 wafer 선택부터 defect를 최우선으로 생각한다. CCD의 최대 문제인 defect를 줄이기 위하여 wafer는 물론이고 공정중에 발생하는 damage를 최소로 줄여야 한다. 그리고 최고의 청정도를 유지하여야 한다.

▶ Process의 특징
CCD 공정에 있어서 가장 중요한 것은 defect이다. CCD는 영상으로 평가하는 반도체 소자로서 어떠한 defect라도 있어서는 안된다. 왜냐하면 CCD는 동작할 때 온도가 매우 높아 60℃ 에서도 defect는 없어야 한다. 이와 같이 CCD에 영향을 주는 defect가 발생하는 원인은 여러 가지가 있다.
CCD의 특징은 다음과 같다.
1. double poly 공정에 의한 것으로 저 damage etch 공정이며 CD의 균일성을 보장하여야 한다.
2. 둘째는 optical metal 공정에 의한 것이다. CCD의 경우 광학소자이므로 PD를 제외한 부분에서 입사되는 빛에 의해 신호전하가 생성되는 것을 방지하기 위해서 수광부인 photo diode를 제외한 부분은 완전히 빛을 차단하기 위해서 optical metal을 사용하게 된다. 여기서 photo diode를 열어주는 window의 크기를 크게 하면 빛을 받는 면적이 증가하므로 입사하는 빛에 대한 응답특성은 증가하나 smear 특성이 나빠지는 문제가 있다. 이러한 window는 각 pixel 마다 균일하여야 한다. 왜냐하면 동일한 입사광량에 대해서 광응답 특성이 동일하기 나타나야 하기 때문이다.
3. 어떠한 중금속 등에 의한 오염도 있어서는 안된다.
4. etch 공정중에 발생하는 etch damage를 최소화 하여야 한다.
5. 공정(CD, poly/metal의 두께)은 균일해야 한다.
6. 소자를 구성하는 재질의 특성(R, C, BV, 광학특성)이 좋아야 한다.

참고자료

· 없음