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소개
아주대학교 2016년 계절학기로 들은 물리학 실험2입니다.
혼자 학교 도서관 책 참고해서 작성해서 A+받은 보고서입니다.
참고하셔서 좋은 점수 받으세요목차
1. 실험목적
2. 원리
3. 참고문헌
본문내용
실험목적
다이오드를 사용하여 교류를 직류로 변환할 수 있는 회로를 제작하고 특성을 관찰한다.
원리
반도체 소자는 대부분 PN접합 다이오드로 구성되는데 P형 반도체는 불순물로 정공을 첨가하고 N형 반도체는 과잉전자를 불순물로 첨가하여 만든다.
이상적인 다이오드의 경우 순방향 인가전압의 크기에 상관없이 전류가 흐르지만 P형 반도체와 N형 반도체가 서로 만나면 접합부 근처의 전자들이 이동하여 전위장벽(Potenrial)(문턱전압)이 형성되고 이 전위장벽을 통해 전류가 흐르기 위해서는 전하의 캐리어가 장벽을 넘어가야 하는데 캐리어를 장벽 위로 올리기 위해 순방향 바이어스 전압이 PN 접합으로 생성되는 전위장벽 이상 커야한다.
장벽(문턱전압)의 높이는 불순물이 첨가되지 않은 상태의 반도체 물질에 따라 결정된다. 대표적으로 쓰이는 실리콘 다이오드의 경우는 약 0.7V이다.참고자료
· 물리학실험 11판, 김상열외14, 아주대학교 출판부,2015년, 181p
· 반도채공학,류장렬외 2명, 형설출판사,2003년,142쪽.
· 과학도를 위한 반도체 전자회로의 기초, 이일수, 경북대학교출판부, 2011년, 97~100P태그
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