논리회로실험. 실험9. RAM

소개

A+자료입니다.
결과보고서 다운 받으셔서 예비보고서 예측쓰시면 됩니다.
결론 및 고찰 아주 상세하게 되어있으며 각 게이트 특히 F/F의 구조와 작동 방식에 대한 상세한 설명은 그 어디에서도 찾아볼 수 없을겁니다.
특히 모든 실험에서 각 실험 과정에 대해 모든 사진 자료 다 찍어서 올려져 있으며 각 과정에 대한 상세한 풀이역시 되어있습니다.
구매하셔도 후회하지 않으실겁니다.

목차

I. 실험1. 2비트 RAM
1. 예비보고서 결선도와 실제 회로 비교
2. 실제 실험 결과 및 분석

II. 실험2. 16비트 IC RAM
1. 예비보고서 결선도와 실제 실험 회로 비교
2. 실제 실험 결과 및 분석

III. 결론 및 의의

IV. 추가적인 공부

본문내용

이번 실험에서는 메모리의 기본 개념을 익히고 그 구조를 직접 게이트를 통해 구성하고 그 동작 원리를 확실하게 파악해보는 실험이었다.
실험1의 경우 NAND 게이트를 통해 직접 게이트 수준의 램을 구성하고 직접 정보를 쓰고 그 정보를 읽어보는 실험이었다. 이때 F/F 자체에는 1BIT의 정보를 저장할 수 있다. 즉 이러한 F/F을 이용해 저장장치 메모리를 구성할 수 있다. 또한 R-S F/F은 NAND 게이트의 구성만으로 만들 수 있다. 또한 저장할 정보의 선택, 읽고 쓰기의 그 ‘선택’ 역시도 NAND 게이트를 통해 회로를 구현할 수 있다. 따라서 단지 NAND 게이트만으로 메모리를 구성할 수 있다는 것에 주목할 필요가 있다. 즉, 이번 메모리 회로를 구성하는 것으로 제일 기본 게이트 NAND 게이트를 활용해 실질적인 순차회로의 논리를 구성하는 방법에 대해 배울 수 있었고 이를 기본으로해서 읽고 쓰는 것 즉, 정보의 저장과 현재 정보의 출력이라는 RAM의 논리 구조를 확실히 파악할 수 있다.

참고자료

· 논리회로 실험 강의노트
· 디지털 디자인 4th edition john F. Wakerly
· www.alldatasheet.co.kr