전자공학실험 4장 - 다이오드의 특성과 부하선 개념 예비결과 (피스파이스 포함)

소개

전자공학실험 4장

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목차

1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 질문
4. 실험 방법
5. 실험 결과
6. 실험 결과 논의

본문내용

1. 실험 목적 1) 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스에 대한 전압-전류 특성을 이해한다.
2) 실리콘 다이오드의 장벽전위를 측정한다.
2. 관련이론
(1) 다이오드의 기본 정의
[다이오드의 회로심볼]
다이오드는 2단자 소자로서 회로심볼은 그림 4.1과 같다. 좌측 화살표쪽의 단자를 어노드라고 하고 우측 짧은 막대쪽의 단자를 캐소드라고 한다. 어노드(+)와 캐소드(-) 사이의 전압을 다이오드의 전압, Vd라고 하고, 어느도르부터 캐소드 방향(-심볼의 화살표 방향)으로 흐르는 전류를 다이오드 전류, Id라고 정의한다.
[순바이어스와 역바이어스]
외부에서 전압을 인가하여 어노드 단자 전압이 캐소드단자 전압보다 높아진 상태 즉, Vd>0인 상태를 순바이어스 되었다고 한다. 반대로 어노드 단자 전압이 캐소드 단자 전압보다 낮아진 상태 즉, Vd<0인 상태를 역바이어스 되었다고 한다.

<중 략>

(3) 측정치와 부하선 개념을 이용한 계산의 결과를 비교하여 보시오. 측정치와 부하선 개념을 이용한 계산의 결과가 거의 일치하여 실험이 매우 잘 된 것을 알 수 있었 다. 다만, 약간의 오차가 나는 것은 실험시 멀티미터의 내부저항으로 인해 오차가 발생하였다.
3. 토의
이번 실험은 다이오드의 특성과 부하선 개념을 이해하는 실험이었다. pn접합 다이오드 모델을 사용하여 실험을 하였다. 회로에서 외부에서 전압을 인가하여 어노드 단자 전압이 캐소드단자 전압보다 높아진 상태 즉, Vd>0인 상태를 순바이어스 되었다고 한다. 반대로 어노드 단자 전압이 캐소드 단자 전압보다 낮아진 상태 즉, Vd<0인 상태를 역바이어스 되었다고 한다.

참고자료

· 없음