[트랜지스터]터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동), 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동), 이미터 트랜지스터의 동작(작동), 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 동작(작동)

목차

Ⅰ. 개요

Ⅱ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동)

Ⅲ. 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동)
1. Depletion MOS FET
2. Enhancement type

Ⅳ. 이미터 트랜지스터의 동작(작동)

Ⅴ. 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 동작(작동)

참고문헌

본문내용

Ⅰ. 개요

수조의 물을 자유전자로 생각하면 이 상태에서는 물을 좌측 수조로 옮길 수 없다. 그래서 좌측 수조를 조금위로 올리면서 수면이 벽보다 위에 있도록 하고 우측 수조의 높이를 훨씬 아래에 둔다. 이렇게 하면 물을 벽을 타고 흘러 우측수조로 신나게 떨어진다. 이와 같은 모형에서 좌측 수조 물이 모드 벽을 지나서 우측으로 낙하하므로 전류 증폭률은 1된다고 생각들만 물은 벽의 구멍으로 인해 조금씩 손실된다. 이 를 1에 가깝게 만들기 위해서는 벽 길이를 짧게(베이스 폭을 얇게), 구멍을 작게(결정 결합이 적게), 구멍의 수(접합 표면을 청결하게)를 적게 하면 된다는 것을 어느 누구나 알 수 있을 것이다.
그럼 물의 모형으로 증폭회로로 생각하면 어떻게 하면 될까?
입력신호에 의하여 좌측 수 높이를 상하로 흔들면 벽의 윗면을 흘러들어오는 물은 이 상하 진동에 따라서 커지거나 작아지거나 하고 따라서 물의 수조에 낙하하는 물도 역시같이 변할 것이다. 좌측 수조를 흔드는데 작은 에너지로 되기 때문에 우측 수조의 높이를 아주 낮게 해주면 수차를 회전 시키는 에너지는 크게 증폭한다. 여기서 에너지 자체가 커지는 것은 아니다.

<중 략>

GaAs는 전자와의 친화력이 높기 때문에 AlGaAs층에 있는 자유전자는 도핑되지 않은 GaAs층으로 전달된다. HEMT의 n형 AlGaAs층은 두 가지 공핍작용을 통하여 완전한 공핍 상태로 된다. 표면의 상태에 의해 자유전자를 트래핑함으로써 표면의 공핍화와 도핑되지 않은 GaAs 층으로 전달된 전자에 의한 결합면의 공핍작용이다.
게이트 금속의 Fermi 에너지 준위는 피닝점과 정합되며, 전도대보다는 1.2eV 낮다. AlGaAs층의 두께를 줄이면 AlGaAs층의 도너에 의해 공급되는 전자는 표면의 Fermi 준위를 피닝시키기에 충분치 못하며, 공간 전하 영역은 도핑되지 않은(진성) GaAs층으로 확산된다. 이에 따라 밴드의 휨은 위쪽으로 이동하며, 2차원 전자개스층은 형성되지 않는다. 문턱전압보다 높은 (+)전압을 게이트에 인가하면, 경계면에 전자가 축적되어 2차원 전자 개스층을 형성하게 된다.

참고자료

· 김재현(1993), 트랜지스터 다이오드의 사용법, 세운
· 노용한(1996), 금속-산화막-반도체 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할, 성균관대학교과학기술연구소
· 서용준(1974), 터널 다이오드 주파수 변환기의 변환이득 및 잡음특성에 관한 연구, 한양대학교
· 장수환(2010), 질화갈륨계 고전자이동도 트랜지스터에 대한 불소계 고분자 보호막의 영향, 한국화학공학회
· 장야극방 저, 김철주 역(1986), 집적회로공학, 경문사
· Hiroshi Okuzawa 저, 양해권 역(1997), 트랜지스터기초, 기다리