Silicon nanowire의 합성

소개

Silicon nanowire의 합성자료 입니다

목차

1. Silicon nanowire를 합성하는 여러 방법에 대한 조사.
2. Silicon nanowire가 사용될 수 있는 응용 분야에 대해 조사.

본문내용

1. Silicon nanowire를 합성하는 여러 방법에 대한 조사.

1) vapor-liquid-solid (VLS) growth
- 이 방식은 현재까지 nanowire를 만드는데 가장 잘 알려진 방법이다. 가장 먼저 촉매로서 금의 나노 입자가 실리콘 웨이퍼 위에 도포되고, 이 웨이퍼는 진공 체임버 안에서 금과 시리콘의 공융점이상의 온도로 가열된다.(이상 annealing) 가열 후 실리콘의 가스 소스인 SiH4, Si2H6 또는 SiCL4가 체임버 안에 도입되고 높은 온도로 인해 실리콘과 그 외 분자로 열 분해된다. 이 때 생성된 실리콘 입자들은 금-실리콘 공융 액체혼합물에 녹아들어간다. 여기서 녹아들어갈 수 있는 실리콘의 양이 한정되어 있으므로 (Si는 약 18wt%) 주입된 Si는 바닥에 침전된다. 이 과정의 결과로 금 입자가 실리콘 nanowire 위에 매달린 형태의 nanowire가 형성 된다.

<중 략>

3) semiconductor nanowire를 이용한 나노규모의 optical device
- nanowire의 종류가 다양해져서 원하는 특성을 갖는 나노물질을 선택하여 top-down 방법으로 기능성 device를 설계할 수 있는데 이 중에서 광학적 특성을 나타내는 초소형 광학및 광전자 장치의 빌딩블럭이 될 수 있는 nanowire들이 큰 주목을 받고 있다. 이것에는 나노규모의 LED, 다이오드 array, nanowire wave guide(광도파관), cavity(광공진기) 및 레이저 장치가 있다.

참고자료

· 없음