전자소자 설계

소개

Mos트랜지스터 제작 및 회로설계 입니다.
A+ 맞은 레포트입니다.

목차

1. 종합도면을 확대해서 그려보라.

2. 종합도면에서 IC를 제작하기 위한 각 영역을 마스크 레벨 별로 분리하라.

4. 소자제작 과정을 순차적으로 설명하라.

5. CMOS Inverter의 동작원리를 설명하고 CMOS기술의 장단점을 논하라.

본문내용

4. 소자제작 과정을 순차적으로 설명하라.
(1) p⁺웨이퍼 위에 얇은 층의 산화 박막층을 성장시킨다.
(2) 산화 박막층 위에 포토마스크와 포토레지스터를 이용해서 n웰 층이 존재할 영역을 잡는다. 포토레지스터를 자외선에 노출 및 현상 과정을 거친 후, 그림 ①번과 같이 웨이퍼의 이온 주입 기술을 이용하여서 n채널 불순물 반도체를 주입시킨다.
(3) 포토레지스터를 제거하며, 이온 주입된 불순물 반도체가 p⁺웨이퍼 기판에 잘 확산 될 수 있도록 주위 환경 온도를 증가시킨다.
(4) 산화 박막층을 제거시키고, 얇은 패드 산화층을 성장시킨다. (패드 산화층을 성장시키는 목적은 주위 환경 온도의 변화에 따른 실리콘과 실리콘 나이트라이드 사이에 열 팽창율이 다르기 때문에 생기는 스트레스로부터 웨이퍼 기판을 보호하기 위한 것이다.)
(5) 그림 ②번과 같이 실리콘 나이트라이드 층을 전체 웨이퍼 위에 증착시킨다. 그런 후에 실리콘 나이트라이드 층을 제거할 영역을 정하기 위해서 포토마스크와 포토레지스트를 이용한다. 따라서 실리콘 나이트라이트와 포토레지스트가 남는 영역에는 능동 소자가 자리 잡게 된다. 이 영역을 능동영역 또는 모트라고 부른다.

참고자료

· 없음