다이오드 재료 및 전기절연성

소개

다이오드 재료 및 전기절연성에 관한 자료입니다.

목차

1. 게르마늄[Germanium]

2. 실리콘[Silicon]

3. 갈륨비소[Gallium arsenide]-GaAs

4. 갈륨인[Gallium phosphide]-GaP

5. 안티몬화 인듐[Indium antimonide]-InSb

6. 황화카드뮴[Cadmium sulfide] -CdS

7.텔루륨화 아연 [Zinc telluride]-ZnTe

8. 황화납[Lead sulfide]-PbS

본문내용

1. 게르마늄[Germanium]
다이오드 재료-단일원소
원자번호-32 , 주기율표 제 4에 속하는 탄소족 원소, 대역갭- 0.67eV
1871년 멘델레예프가 예언, 1886년 독일의 화학자가 발견
황화광물 제련시 얻어지는 부산물 또는 석탄 연소시 연탄을 모으는 방법
등으로 염화 게르마늄 만들고 이를 정제하여 얻음.
트랜지스터, 터널 다이오드의 발명에 기여
규소에 비해 자원량 적음, 높은 온도에서 품질 저하

60년대 이후 실리콘 다이오드로 대체
최근 게르마늄을 합성한 유리를 광섬유로 응용,
게르마늄 산화물을 내화 재료나 렌즈에 합금해서 열전쌍 치과용 재료,
정밀저항재료 등으로 사용

다이오드 재료로 게르마늄 이용할 경우, 순방향 문턱전압이 0.2V로 낮아져
작은 신호 취급하는데 적합
다이오드 재료-단일원소

2. 실리콘[Silicon]
원자번호-14 , 주기율표 제 4에 속하는 탄소족 원소, 대역갭- 1.1eV
산소 다음으로 지각에서 가장 풍부한 물질
석영, 즉 실리카 또는 산화 규소이며 흔히 볼 수 있는 모래의 주성분
게르마늄에 비하여 역방향의 저항성이 강함.
게르마늄 보다 더 높은 온도에서 사용가능
낮은 전압 레벨에서의 정류 효율은 떨어짐.
다이오드 재료-단일원소

3. 갈륨비소[Gallium arsenide]-GaAs
직접 갭형의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체
비교적 큰 대역갭(300K에서 1.43eV)
실리콘에 비하여 전자의 속도가 6배정도
트랜지스터 구조가 간단, 고 집적화에 적합
잡음이나 소비전력도 적어 집적회로의 기판에
적합한 반도체 재료로 전망
발광 효율이 좋아 LED 소재로 각광
다이오드 재료-화합물

참고자료

· 없음