갈륨아세나이드 고순도 크리스탈

소개

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목차

1. 서론
-I . 주제선정의 이유 및 간단한 현 기술 동향

2. 본론
(1) Ga-As 및 Si Crystal 결정체를 얻는 방법
-II . 실리콘 결정체를 얻는 방법에 관한 간단한 기술
-III . Ga-As의 정제 방법
-IV . Czochralski Method
-V . Lift-up method를 이용한 Ga-As 생산 효율 증가 방법
-VI . Vertical-Bridgman method를 이용한 Ga-As 생산 효율 증가 방법

(2) Ga-As의 oxide layer 형성
-VII . Oxide layer 형성의 General points 소개
-VIII . Surface passivation을 이용한 oxide layer 형성 (microwave)

(3) Ga-As의 온도 안정성 향상 방안
-IX . Groove method를 이용한 oxide layer 형성 (Heat)

(3) Ga-As의 응용사례
-X . ZnO와의 P-N junction을 이용한 다이오드
-XI . 높은 electron mobility를 갖는 반도체의 예
-XII . Reverse double channel trangister

3. 결론
-XIII. Conclusion

본문내용

Title : Methods of creating Ga-As crystal and semi-conductor devices.

Abstract : Ga, As, Ga-As, Si, crystal structure, Vertical-Bridgeman method, P-N junction, ZnO, shoulder angle, single crystal formation, polycrystalline, Czochralski crystal puller, silicon ingot, interface-state-density, bulk trap density, oxide layer, AlGaAs, InGaAs, GdGaAs, mobility, interface state density, passivation, oxide layer, LEC method


Keyword : Si, Ga-As, crystal structure, oxide layer, P-N junction, Ga-As high mobility tragister, LEC method

I. Introduction
In these days, silicon crystal structures are used in many fields, especially in semiconductor area. In fact, over 90% of semi-conductor devices are being made of Silicon. There are other materials employed in semi-conductor area which deserve to receive attention for its promising applications. Ga-As is one of them. It was introduced 20 years ago. Since its dynamic response was much faster than Si, many people expected that it could replace silicon eventually in semiconductor devices. However, because of its high price and unstability the expectation was not met at all. In fact, Ga-As is not frequently used in semiconductor field as expected. Rather, it is now being used a lot in communication devices which requires high speed. Also, many scientists are researching to apply it to solar cell area. Thus, it can be seen that the Ga-As and its related technology have large potential for its future applications in several influential areas as discussed. In this report, creating methods of Ga-As crystal, creating oxide layer and several Ga-As semiconductor will be introduced.
This paper is organized as follows: in section II, the procedure of obtaining ultra pure material is discussed. In section III, insertion devices of arcenic material are discussed. In section IV,

참고자료

· Robert F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals
· http://en.wikipedia.org/wiki/Czochralski_process
· 갈륨비소계 반도체 구조상의 산화물층 및 그것을 형성하는 방법
· (특허 : 10-2004-7011195, PCT/US2002/040528)
· GaAs-Zno이종접합 포토 다이오드 및 그 제조방법
· (특허 : 10-2004-0014064)
· 브이비법에 의한 고품위 특성 갈륨아세나이드 단결정 제조법
· (특허 : 10-2004-0011205)
· 저잡음 고이득 특성을 가진 갈륨아세나이드계 의사 고전자이동도 트랜지스터 (특허 : 10-1999-0025734)
· 고성능 갈륨 아세나이드 전계 효과 트랜지스터 구조
· (특허 : 10-1998-0003657)
· 갈륨아세나이드 단결정 성장시 나타나는 다결정화 및 쌍정결함의 제어방안
· (특허 :１０ー００４００１１２１６)
· 갈륨 아세나이드(GaAs) 소자의 열방출 특성 향상방법
· (특허 : 1995-0058932)
· Insertion device of Arsenic material
· (특허 : 10-2008-00116272)
· 역 이중 채널 구조의 갈륨아세나이드계 의사 고전자이동도 트랜지스터
· (특허 : 10-1999-0042487)
· Lift-up device for reactor of GaAs crystal growth by Lqiud-Encapsulated Czochralski method
· (특허 : 10-2005-0016331)
· 갈륨비소계 반도체 구조상의 산화물층 및 그것을 형성하는 방법
· (특허 : 10-2004-7011195)
· 갈륨 아세나이드 표면 패시베이션 방법
· (특허 : 10-1993-0010880)
· 갈륨 아세나이드(GaAs) 소자의 열방출 특성 향상방법
· (특허 : 특1995-0058932)