전자회로실험11예비--J-FET의 특성

소개

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목차

(1) MOSFET의 드레인 특성을 실험적으로 결정한다.
(2) MOSFET 증폭기의 바이어스 방법을 알아본다.

본문내용

실험목적
(1) MOSFET의 드레인 특성을 실험적으로 결정한다.
(2) MOSFET 증폭기의 바이어스 방법을 알아본다.
기초이론
FET는 채널로부터 절연된 게이트 단자를 가지고 있는 구조로서 대표적인 것으로 MOSFET가 있으며, 이러한 MOSFET는 크게 공핍형(depletion mode)와 증가형(enhancement mode)로 나뉘어진다.
공핍형 MOSFET에서는 채널은 실제로 제조되어 있으며, 드레인과 소스 사이의 전류는 드레인과 소스 양단에 접속된 전압에 의해서 흐르게 된다. 이에 반해 증가형 MOSFET에서는 이 소자가 제조될 때 채널이 형성되어 있지 않기 때문에 전하 캐리어로 채널을 형성시키기 위하여 게이트 전압을 인가해야 하고, 따라서 드레인과 소스 양단에 전압이 인가되면 드레인 전류가 흐르게 된다.
(1) 공핍형 MOSFET
(-)의 게이트-소스 전압은 채널을 고갈시키기 위해서 전자를 채널 영역으로부터 밀어내며, 충분히 큰 (-) 게이트-소스 전압은 이 채널을 pinch-off 시킨다. 반면에 (+) 게이트-소스 전압은 채널의 크기를 증가시켜 더 큰 채널 전류를 흐르게 한다. VGS의 (-)전압은 pinch-off 전압이 될 때까지는 드레인 전류를 감소시키며, pinch-off 전압 이하에서는 드레인 전류를 차단시킨다. 게이트는 VGS의 (-)와 (+) 값에 대해 채널로부터 격리되어 있으므로 게이트 전류는 흐르지 않는다.
소자 특성
그림 11-1 n-채널 공핍형 MOSFET 특성 그림 11-2 p-채널 공핍형 MOSFET
(2) 증가형 MOSFET
게이트 아래에 채널이 존재하지 않는다. 이때 게이트-소스 사이에 (+) 전압을 인가하면 n형 소스와 드레인으로부터 전자가 나와 게이트 산화막 아래의 실리콘 표면에 반전층을 형성시킨다. 이 반전층이 소스와 드레인 사이의 채널로 작용하며 VGS가 임계값 VT를 넘어서 증가해 감에 따라 반도체에 유기되는 (-)전하는 증가한다

참고자료

· 없음