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엑시머 레이저를 사용한 LLO 시스템 설계 및 분석 (Design and Analysis of a Laser Lift-Off System using an Excimer Laser)

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최초등록일 2025.06.09 최종저작일 2013.10
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엑시머 레이저를 사용한 LLO 시스템 설계 및 분석
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    서지정보

    · 발행기관 : 한국광학회
    · 수록지 정보 : 한국광학회지 / 24권 / 5호 / 224 ~ 230페이지
    · 저자명 : 김보영, 김준하, 이준호, 변진아, 서종현, 이종무

    초록

    레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off: LLO)는 수직형 LED 제조를 위하여 GaN 또는 AlN 박막을 사파이어 웨어퍼로부터 레이저
    를 이용하여 제거하는 공정으로 광원, 레이저의 출력 파워를 조절해주는 감쇠기, 빔의 형태를 잡아주는 빔 성형 광학계, 원하는
    빔 사이즈를 만들어 주고 빔을 균일하게 섞어주는 빔 균일 광학계, 기판에 투사 이전에 빔을 한번 잘라주는 조리개 부분과 마스
    크 단에서 잘린 빔을 기판에 투사해주는 투사렌즈 부분으로 구성되어 있다. 본 논문에서는 LLO 시스템을 구성하고 있는 광학계
    중 감쇠기와 투사렌즈 부분의 설계 및 분석을 진행하였다. 투사렌즈의 7×7 mm
    2
    빔 사이즈 구현을 위하여 광학 설계 프로그램인
    지맥스를 통해 설계 및 초점심도를 분석하였으며, 조명 설계 프로그램인 라이트 툴을 사용하여 빔 사이즈 및 균일도를 분석하였
    다. 성능 분석 결과 사각형 빔의 크기 6.97×6.96 mm
    2
    , 균일도 91.8 %, 초점심도 ±30 μm를 확인하였다. 또한 고출력의 엑시머
    레이저의 빔 강도를 감쇠시키기 위한 장치인 감쇠기의 투과율을 높이기 위하여 에센설 맥클라우드 코팅 프로그램을 사용하여
    유전체 코팅을 실시한 결과 총 23층의 박막과 s 편광의 입사각도 45~60°에서 10-95%의 투과율을 확인 할 수 있었다.

    영어초록

    Laser Lift-Off (LLO) is a process that removes a GaN or AIN thin layer from a sapphire wafer to manufacture vertical-typeLEDs. It consists of a light source, an attenuator, a mask, a projection lens and a beam homogenizer. In this paper, we designan attenuator and a projection lens. We use the ‘ZEMAX’ optical design software for analysis of depth of focus and for aprojection lens design which makes 7×7 mm2beam size by projecting a beam on a wafer. Using the ‘LightTools’ lighting designsoftware, we analyze the size and uniformity of the beam projected by the projection lens on the wafer. The performance analysisfound that the size of the square-shaped beam is 6.97×6.96 mm2, with 91.8 % uniformity and ±30 μm focus depth. In addition,this study performs dielectric coating using the ‘Essential Macleod’ to increase the transmittance of an attenuator. As a result,for 23 layers of thin films, the transmittance total has 10-96% at angle of incidence 45-60° in S-polarization.

    참고자료

    · 없음
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