GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Laser에서 deep mesa 구조에 의한 문턱전류 감소 (Threshold Current Reduction of GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Laser due to the Deep Mesa Structure)

서지정보

· 발행기관 : 한국진공학회
· 수록지 정보 : Applied Science and Convergence Technology / 17권 / 6호 / 523 ~ 527페이지
· 저자명 : 한일기, 송진동, 이정일

초록

GaAs/AlGaAs 물질계를 기반으로 한 양자폭포레이저를 제작하였다. 양자폭포레이저는 활성층의 위까지만 식각된 shallow mesa 구조와 활성층까지 식각된 deep mesa 구조로 제작되었다. shallow mesa 구조의 경우 문턱전류 밀도가 26-32 kA/cm2 이었지만 deep mesa 구조의 경우 문턱전류 밀도는 13 kA/cm2로 대단히 감소되었다. Deep mesa 구조에서의 문턱전류 감소는 측면 방향으로의 전류 손실이 감소되었기 때문으로 설명되었다.

영어초록

GaAs/AlGaAs based quantum cascade lasers were fabricated with two different types of i) the shallow mesa type which was etched up to above active region and ii) the deep mesa type which was etched through active region. While the threshold current density of shallow mesa type was 26-32 kA/cm2, the one of deep mesa type was reduced drastically up to 13 kA/cm2. Such lowered threshold current density at deep mesa type attributed to the reduction of current loss to the lateral directions.

참고자료

· 없음