3주차_3장_예비보고서_직렬병렬다이오드구조

목차

1. 실험 개요
2. 실험에 필요한 이론적 배경
3. 실험 회로도 및 시뮬레이션 결과
4. 본 실험 방법 및 유의점
5. 참고문헌

본문내용

 실험 개요
 실험목적
- 전자회로에서 배운, 다이오드의 특성을 이해하고 이를 실험에 적용해보면서 관련이론을 더욱 이해하고자 한다.
- 직접 시뮬레이션 돌린 값을 실험값과 비교해보고, 오차를 확인하며 부족한 점을 분석해보면서 이론을 이해하는데에 도움을 주고자 한다.

 실험목표
- 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로전압을 계산하고 측정한다.

 실험에 필요한 이론적 배경
 다이오드 특성 곡선
위 사진은 실리콘 다이오드의 특성곡선으로 문턱전압 이상의 순방향전압에서는 전류가 잘 흐르고 역방향 전압을 가하면 아주 작은 누설전류만 흐르다가 항복전압에 도달하면 역방향 전류가 흐르게 되는 특성을 보여주고 있다.

 다이오드 검사 단자
- DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다. DMM을 다이오드에 제대로 연결하면 DMM은 약 2mA 전류에서 다이오드 순방향 전압(Si는 약0.7V, Ge는 약 0.3V)을 나타낼 것이고 역방향 바이어스로 연결하면 개방회로를 나타내는 OL표시가 나타나게 될 것이다.

참고자료

· 본 예비보고서 작성에 참고한 문헌 및 website 정보를 기록
· 전자회로실험1 제 10판
· 전자회로 pdf