[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 결과보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)

소개

중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 보고서입니다.
총학점 4.4x 로 졸업한 졸업생의 실험보고서로 A+ 받은 자료입니다.
구매 시 절대 후회 없을 것이라 장담합니다.
보고서 분량도 많고, 보고서 내에 회로도, 그래프, 차트 등 포함되어 있습니다.

목차

I. 실험 목적

II. 요약

III. 설계실습내용 및 분석
1. 서론
2. 실험 내용

IV. 결론

본문내용

실험 목적
MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(, , )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.

Ⅰ. 요약
실험 2.1에서는 MOSFET을 사용하여 간단한 회로를 구현하여 Threshold voltage를 측정하였다. Gate에 점점 큰 전압을 인가시켜주면서 drain에 흐르는 전류를 관찰하였다. Gate에 작은 전압을 걸어주었을 때는 drain에 전류가 흐르지 않다가 일정 전압 이상을 걸어준 후에는 drain에 흐르는 전류가 급격히 증가하는 것을 관찰할 수 있었다. 이를 통해 실험에 사용한 MOSFET의 Threshold voltage를 측정할 수 있었고, Threshold voltage 이상의 gate-source 전압을 가해주었을 때의..

<중 략>

Ⅲ. 결론
MOSFET을 사용하여 Switch 구동 회로나 증폭기를 설계하기 이전에 MOSFET의 기본적인 특성을 알아보았다. MOSFET은 Threshold voltage 이상의 전압을 gate와 source 사이에 인가해주지 않으면 cut-off되어 작동하지 않는다. 실험을 통해 MOSFET 소자의 Threshold voltage 값을 측정하였다. 1 V부터 0.1 V 간격으로 전압을 증가시키며 gate에 가해주었을 때 2.1 V 미만인 경우 drain에 흐르는 전류의 크기가 0 A인 것을 관찰할 수 있었다. 이후 2.1 V 이상의 전압을 gate에 입력시켜주었더니 drain에 전류가 흐르기 시작했다. 이를 통해 MOSFET의 Threshold voltage값이 2.0 V와 2.1 V 사이의 값을 갖는다는 것을 알 수 있었다. 예비보고서에서 구한 MOSFET의 Threshold voltage의 크기가 2.1 V인 것을 감안하면 매우 정확한 측정을 했다는 것을 알 수 있다.

참고자료

· 없음