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콜렉터 공통 증폭기 및 다단 증폭기 특성 분석2025.11.131. 콜렉터 공통 증폭기(Emitter Follower) 콜렉터 공통 증폭기는 전압이득이 1에 근사하나 전류 및 전력이득은 1보다 크며, 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 특징으로 한다. 입력신호는 커패시터를 통해 베이스에 인가되고, 출력신호는 에미터 저항 양단에 나타난다. 입-출력 신호가 동일한 위상관계를 가지며, 이를 에미터 팔로워라고 부른다. 전압이득, 전류이득, 전력이득 등의 특성을 측정하여 회로의 동작을 분석한다. 2. 다단 증폭기 결합 방식 2단 이상의 증폭기를 연결하여 이득을 확장하는 방식으로, 변압기 결합, ...2025.11.13
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공통 베이스 및 콜렉터 트랜지스터 증폭기 실험2025.11.161. Emitter Follower(EF) 증폭기 Emitter Follower는 공통 콜렉터 증폭기로, 직류 바이어스 설정을 통해 베이스-에미터 및 콜렉터-에미터 PN 접합에 적용된다. 낮은 임피던스 입력 신호를 높은 임피던스 신호로 변환하고, 높은 임피던스 출력 신호를 낮은 임피던스 신호로 변환하여 임피던스 매칭을 향상시킨다. 전압이득은 약 1배이며, 위상변화가 없는 특징이 있다. 콜렉터 전류가 일정하게 유지되어 안정성과 신뢰성이 높고, 온도 변화나 외부 잡음에 민감하지 않다. 2. 트랜지스터 직류 바이어스 특성 실험에서 Emi...2025.11.16
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CB 및 CC 증폭기 특성 실험 보고서2025.11.181. 공통 베이스(CB) 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 이미터에 입력을 받아 컬렉터에서 출력을 내보내는 회로입니다. 고주파 증폭회로에 주로 사용되며, 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가집니다. 전압이득은 크지만 전류이득은 1보다 작습니다. DC해석과 AC해석을 통해 전압이득, 교류 입력 임피던스, 교류 출력 임피던스를 측정할 수 있습니다. 2. 공통 컬렉터(CC) 증폭기 및 이미터 폴로어 공통 컬렉터 또는 이미터 폴로어 증폭기는 베이스에 입력을 받아 이미터에서 출력을 내보냅니다. 높은 입력 임피던스와 작은...2025.11.18
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서강대학교 고급전자회로실험 2주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. 전력증폭기 이번 실험에서는 전력증폭기 회로를 구성하고 분석하였다. 실험회로 1에서는 op amp를 이용한 반전증폭기를 구현하였고, 실험회로 2에서는 푸시풀 증폭기를 구현하였다. 실험회로 3에서는 반전증폭기와 푸시풀 증폭기를 연결한 2단 전력증폭기를 구현하였다. 각 회로의 동작 원리와 특성을 분석하고, 시뮬레이션 및 실험 결과를 비교하였다. 또한 설계 과제를 통해 원하는 특성의 전력증폭기를 직접 설계하고 구현하였다. 2. 반전증폭기 실험회로 1에서는 op amp를 이용한 반전증폭기를 구현하였다. 반전증폭기는 입력 신호의 전압을 ...2025.01.21
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실험 11_공통 소오스 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET이 포화영역에서 ...2025.04.27
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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MOSFET 소신호증폭기 특성 실험 결과 분석2025.11.181. MOSFET 공통소스 증폭기 N MOSFET의 공통소스 증폭기 동작을 확인하는 실험으로, 드레인 단에서 소신호 전압 이득을 측정했다. MOSFET은 포화 영역에서 동작할 때 증폭기로 사용되며, 입력 소신호에 의한 미소한 게이트-소스 전압 변화가 포화 영역의 가파른 기울기로 인해 출력 소신호에 더 큰 진폭을 생성한다. 실험 결과 입력 소신호 대비 약 3배의 진폭을 갖는 반대 위상의 정현파 출력을 확인했으며, 전압 이득은 2.55~3.25 V/V로 측정되었다. 2. MOSFET 포화 영역 동작 특성 MOSFET이 증폭기로 동작하기...2025.11.18
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BJT의 특성 및 바이어스 실험 결과보고서2025.11.181. BJT(쌍극성 트랜지스터) 특성 측정 본 실험에서는 2SC3198GR, 2SC3198Y, 2N2222 등 3개의 BJT 트랜지스터를 대상으로 단자 번호, 형태, 반도체 재료를 파악하고 DMM을 이용하여 다이오드 스케일과 저항 스케일로 측정했습니다. 각 트랜지스터의 베이스, 이미터, 컬렉터 단자를 식별하고 실리콘 재료의 npn형 트랜지스터임을 확인했습니다. 측정 결과 트랜지스터마다 내부 저항이 다르게 나타났으며, 이는 실험에서 요구하는 측정값 획득에 영향을 미쳤습니다. 2. BJT 바이어스 특성 분석 실험 결과 VBE가 증가할수...2025.11.18
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OP-AMP 반전/비반전 증폭기 실험 보고서2025.04.271. 반전 증폭기 실험 반전 증폭기에서 회로 전압 이득은 Av = -Rf/Ri 이다. 실험 결과에서 위상 차이와 진폭 크기 값을 고려하여 Av를 구해보면, 회로 전압 이득 값과 거의 일치함을 확인할 수 있다. 2. 비반전 증폭기 실험 비반전 증폭기에서 회로 전압 이득은 Av = 1 + Rf/Ri 이다. 실험 결과에서 위상 차이와 진폭 크기 값을 고려하여 Av를 구해보면, 회로 전압 이득 값과 거의 일치함을 확인할 수 있다. 3. 오차 원인 분석 1) DC power supply의 전압 표시 정확도 한계, 2) Breadboard 내...2025.04.27
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[전자회로응용] Two stage CS amplifier circuit 결과레포트 (만점)2025.01.281. Two stage CS amplifier circuit 이 실험에서는 Two stage CS amplifier circuit을 구현하고 이론적으로 계산한 전압이득과 시뮬레이션 및 측정값을 비교하는 것이 목표입니다. 1단 CS 증폭기의 전압이득은 -gm*RL/(1+gm*RL)이고, 2단 CS 증폭기의 전압이득은 -gm*RL/(1+gm*RL)입니다. 따라서 전체 전압이득은 1단과 2단의 전압이득을 곱한 값이 됩니다. Multisim과 MyDAQ을 사용하여 회로를 구성하고 Oscilloscope로 입출력 파형을 확인하여 이론값과 비...2025.01.28
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