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LED의 소신호 모델 분석 및 특성2025.05.111. LED 소신호 모델 LED 소자의 전기적 등가회로에서 Rs, Cp, Rj 등의 요소가 갖는 물리적 의미를 설명하였습니다. Rs는 소자 내부의 전력 손실을 의미하며, Cp는 고주파 신호의 커플링 차단 효과를 조절하는 역할을 합니다. Rj는 출력 임피던스의 실수부와 허수부를 조절하는 중요한 저항 매개변수입니다. 2. 임피던스 측정 및 캘리브레이션 임피던스 측정을 위한 Spectroscopy 실험에서 파장이나 진폭이 다른 물질이나 요소에 민감하게 반응하기 때문에, 작은 변화에도 큰 오차가 발생할 수 있습니다. 따라서 이러한 오차를 ...2025.05.11
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[환경공학실험]비저항계수 측정2025.05.051. 비저항계수 측정 이 실험의 목적은 진공여과기를 이용하여 폐수 내의 비저항계수를 측정하는 것입니다. 진공여과는 폐수 슬러지를 탈수하는 데 사용되는 기계식 탈수기로, 생슬러지나 소화 슬러지의 탈수에 모두 사용할 수 있습니다. 실험에서는 슬러지 시료를 여과지에 주입하고 진공을 가해 경과 시간에 따른 탈수량을 측정하여 비저항계수를 계산합니다. 실험 결과 분석을 통해 1차 슬러지가 정화조 슬러지보다 탈수율이 더 좋다는 것을 확인할 수 있습니다. 1. 비저항계수 측정 비저항계수 측정은 재료의 전기적 특성을 이해하고 응용하는 데 매우 중요...2025.05.05
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전자의 비전하 측정2025.05.041. 전자의 비전하 측정 이 실험은 전자선속 발생장치를 이용하여 전자의 전하와 질량의 비를 측정하는 것을 목적으로 합니다. 전자가 자기장 내에서 운동할 때 받는 로렌츠 힘을 이해하고, 사이클로트론 운동을 이용하여 전자의 전하와 질량의 비를 측정합니다. 실험 과정에서 전자선속의 궤도와 위치를 관찰하고, 자기장 세기와 전자의 속도 등을 측정하여 전자의 비전하를 계산합니다. 이 실험 원리는 동위원소 구분, 전자광학, 이온광학, 음극선관, 전자 현미경, 입자가속기 등 다양한 분야에서 활용되고 있습니다. 1. 전자의 비전하 측정 전자의 비전...2025.05.04
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Capacitor의 전기적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. 기본 RC 회로 실험 기본 RC 회로 실험의 결과, 모두 Capacitor 양단 전압 파형이 충전과 방전이 반복되는 파형으로 관찰되었다. 실험 이론상 RC의 식으로 시정수 값을 찾아낼 수 있었는데, RC 값이 클 경우 시정수에 근접하게 관찰되어 성공적인 실험임을 알 수 있었다. RC 값이 작을 경우에는 시정수에 비해 주기가 매우 짧기 때문에 최대값의 63.2%에서 관찰하기 힘들었다. 평균 전압은 0에 가깝게 관찰되었다. 2. Diode를 이용한 RC 회로 실험 Diode를 이용한 RC 회로 실험의 결과, 기본 RC 회로와는 다...2025.01.12
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반도체 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전압-전류 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었습니다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 걸어주는 전압에 대해 나타나는 전류를 관찰하며 다이오드의 문턱전압과 항복전압을 알아내고 두 다이오드의 차이점을 파악하였습니다. 실험 결과, 제너 다이오드와 범용 다이오드는 정방향 바이어스에서 동일한 특성을 보이지만 역방향 바이어스에서는 제너 다이오드의 항복전압이 범용 다이오드보다 낮게 나타났습...2025.05.10
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Diode의 전기적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. Diode의 전기적 특성 실험 실험을 통해 Diode의 전기적 특성을 확인하였다. 실험 결과 Diode의 전압-전류 특성이 시뮬레이션 결과와 유사한 exponential 함수 형태로 나타났으며, Zener Diode의 경우 reverse 전압에서 일정한 전류가 유지되는 특성을 확인할 수 있었다. 실험값과 시뮬레이션 값이 정확히 일치하지 않는 이유는 시뮬레이션에서 실험 소자 내부 저항을 고려하지 않았기 때문으로 분석된다. 2. Diode의 전압-전류 특성 Diode의 전압-전류 특성 실험에서 전압과 전류의 관계가 exponent...2025.01.12
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Semiconductor Device and Design - 32025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 게르마늄보다 밴드갭이 크고(1.12eV vs 0.66eV), 최대 동작 온도가 높아(~150°C vs ~100°C) 집적회로(IC) 제작에 더 적합합니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 산화막 형성이 쉽고 화학적으로 안정적이며, 실리콘이 더 풍부하고 가격도 10배 정도 저렴하기 때문에 실리콘이 IC 재료로 선호되게 되었습니다. 2. N Type and P Type 반도체 물질에 불순물을 첨가하면 n형과 p형 반도체가...2025.05.10
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일반물리실험2 정류회로 결과보고서2025.01.171. 정류회로 실험에서는 오실로스코프를 이용하여 정류회로 실험기기 회로상의 여러 지점의 전압 파형을 측정하고 이 파형의 전압진폭, 주기, 진동수를 해석하면서 교류가 직류로 변화되어지는 과정을 살펴보았다. 그리고 그 과정에서 정류회로를 구성하는 회로소자인 다이오드와 콘덴서(커패시터, 축전기)의 역할을 이해하였다. 2. 오실로스코프 사용법 실험에서는 오실로스코프의 여러 스위치와 조절기들을 조작해 봄으로써 자연스럽게 오실로스코프의 사용법을 익히도록 하였다. 3. 변압기 변압부는 변압부의 입력과 출력 코일의 감은 수에 비례하여 입력 전원의...2025.01.17
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정류회로 실험2025.01.141. 정류회로 실험을 통해 220V의 교류전원을 16V의 직류전원으로 변환하는 과정을 확인하였다. 오실로스코프를 이용하여 전압진폭, 주기, 진동수 등을 측정하였고, 마지막 실험에서는 직류전압 15.7V, 멀티미터 측정값 15.76V로 0.38%의 오차율을 보였다. 실험을 통해 정류회로의 동작 원리와 오실로스코프 사용법을 익힐 수 있었다. 2. 다이오드 실험 과정에서 다이오드가 순방향 전류만 흐르는 것을 확인하였다. 이를 통해 다이오드의 특성을 이해할 수 있었다. 3. 커패시터 커패시터를 회로에 연결하여 교류전원을 직류전원으로 변환하...2025.01.14
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펠티에 효과와 주울열의 법칙에 대해 설명하시오2025.01.291. 펠티에 효과 펠티에 효과는 두 이종 금속 혹은 반도체 접합부에서 전류를 흘릴 때 나타나는 독특한 열 이동 현상이다. 전류가 흐르는 동안 접합부를 경유하는 전자는 에너지 준위의 차이에 따라 한쪽 금속(또는 반도체)에서 다른 금속(또는 반도체)으로 이동하게 된다. 이 과정에서 한 접합부에서는 열을 흡수하여 냉각 효과를, 반대 접합부에서는 열을 방출하여 가열 효과를 보이게 된다. 펠티에 계수(P)는 이러한 열-전기적 특성을 나타내는 지표로서, 열량(Q), 전류(I), 온도차(ΔT)로 정의할 수 있다. 펠티에 소자는 이러한 원리를 이...2025.01.29
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