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회로이론및실험1 8장 Thevenin/Norton 등가회로 A+ 예비보고서2025.01.131. Thevenin 등가 회로 Thevenin 등가 회로는 전원들과 저항들의 상호 연결을 대체하는 독립 전압원과 직렬 연결된 저항이다. 이 등가는 부하 저항의 모든 가능한 값에 대해 유지된다. 2. Norton 등가 회로 Norton 등가 회로는 Thevenin 등가 회로와 유사하게 회로를 단순화하는 기법이다. 이를 통해 회로 해석에 도움을 줄 수 있다. 3. 회로 분석 실험 1에서는 단자 전압 Vac를 구하고, 단락 전류 isc를 계산하여 Thevenin 등가 회로의 파라미터인 VTh와 RTh를 도출하였다. 실험 2에서는 부하 ...2025.01.13
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직류회로(1) - 충북대 일반물리학및실험2 보고서2025.01.291. 직렬 회로 직렬 회로에서 각 저항을 흐르는 전류의 크기는 어느 점에서나 동일하며, 전체 전압은 각 저항에 걸리는 전압의 합과 같다. 저항이 클수록 그 저항에 걸리는 전압이 커진다. 실험 결과 측정값과 이론값을 비교하여 직렬 회로의 특성인 등가저항과 옴의 법칙 적용을 확인할 수 있었다. 2. 등가 저항 실험에서 측정된 전체 전압과 전체 전류를 옴의 법칙에 대입하여 등가 저항을 구하였다. 이론값과 비교했을 때 오차율이 1-2.8% 수준으로 매우 유사한 결과를 보였다. 이를 통해 직렬 회로에서 등가 저항 계산이 잘 이루어짐을 확인할...2025.01.29
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건국대학교 전기전자기초실험2 펄스폭변조회로 결과레포트2025.01.291. 레벨 쉬프트 회로 실험 1에서는 레벨 쉬프트 회로를 구성하고, 입력 전압(함수발생기)과 출력 전압(오실로스코프)을 관찰하였습니다. VDC를 0.5V와 1V로 변경하면서 출력 파형의 변화를 확인하였습니다. 2. 펄스 폭 변조 회로 실험 2에서는 펄스 폭 변조 회로를 구성하고, 삼각파 입력 전압(Vtri)과 출력 전압(Vout)을 관찰하였습니다. VREF 전압을 0.5V, 1.0V, 1.5V, 2.0V, 2.5V로 변경하면서 출력 파형의 변화를 확인하였습니다. 3. 펄스 폭 변조 회로 2 실험 3에서는 레벨 쉬프트 회로와 펄스 폭...2025.01.29
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전기및디지털회로실험 실험5 결과보고서2025.01.121. 키리히호프의 법칙 이번 실험에서는 직류회로에서 키리히호프의 전압법칙과 전류법칙을 확인하였다. KVL을 통해 회로를 따라 어떤 경로를 거쳐 원래의 출발지점으로 돌아왔을 때 그 경로상에 존재하는 회로요소들의 전압을 모두 합하면 0이 된다는 것을 확인할 수 있었다. 그리고 KCL을 통해 어떤 분기점에 대해서 그 분기점에 접속된 모든 방향에서 흘러 들어오는(혹은 흘러 나가는) 전류의 합은 0임을 확인할 수 있었다. 2. 중첩의 원리 2개 이상의 전원을 포함한 회로에서 어떤 점의 전위 또는 전류는, 각 전원이 단독으로 존재한다고 했을 ...2025.01.12
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. DC Power Supply DC Power Supply는 직류전압을 공급하는 회로를 만들 때 중요한 계측기이다. 따라서 DC Power supply를 이해하는 것이 중요하다. 변압기, 다이오드, 커패시터를 이용하여 브리지 방식의 정류회로를 구성하였고 오실로스코프로 교류 성분의 파형을 알아보았다. 2. 정류회로 설계 다이오드를 이용해 브리지 방식의 정류회로 형태의 DC Power supply를 구성하였다. Function generator의 Amplitude를 5 V, Frequency를 10 ㎑의 입력신호를 회로에 공급하였고...2025.01.11
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로 설계 및 실습 과정에서 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 주요 파라미터 계산, MOSFET 회로 구성 및 시뮬레이션, 측정값과 데이터시트 값 비교, 포화 영역에서의 특성 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 현대 전자 기기에서 가장 널리 사용되는 반도체 소자 중 하나입니다. MOSF...2025.05.10
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전기회로설계실습 결과보고서12025.05.151. DMM 사용법 전자전기실습에 자주 사용되는 DMM과 DC power supply의 사용법을 익히고 이를 이용해서 저항, 전압, 전류를 측정하고 회로를 설계하고 실험해보았다. 측정한 결과를 토대로 오차율과 분포도를 조사해보았고 그 오차가 대부분 3%이내로 잘 일치하는 것을 확인하였다. 2. 저항 측정 고정저항 측정, 병렬 연결 저항 측정, 가변저항 측정 등을 통해 저항 측정 방법과 특성을 이해하였다. 병렬 연결 저항의 오차율이 더 낮은 것을 확인하였고, 가변저항의 단자 간 관계를 파악하였다. 3. 전압 측정 6V 건전지의 전압을...2025.05.15
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회로이론및실험1 4장 키르히호프의 전압/전류법칙 A+ 예비보고서2025.01.131. 키르히호프의 전압 법칙 실험 2-1에서는 키르히호프의 전압 법칙을 적용하여 회로의 전압을 계산하였습니다. 전압 법칙에 따르면 폐회로의 전압 합은 0이 되어야 합니다. 따라서 각 저항에 흐르는 전류와 저항값을 이용하여 전압을 계산할 수 있습니다. 2. 키르히호프의 전류 법칙 실험 1-2에서는 키르히호프의 전류 법칙을 적용하여 노드 전압을 계산하였습니다. 전류 법칙에 따르면 노드에 유입되는 전류와 유출되는 전류의 합은 0이 되어야 합니다. 따라서 각 저항에 흐르는 전류를 구하고 이를 이용하여 노드 전압을 계산할 수 있습니다. 3....2025.01.13
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키르히호프의 전압 법칙 실험하기2025.05.091. 키르히호프의 전압 법칙 키르히호프의 전압 법칙(KVL, Kirchhoff's Voltage Law)은 다음의 명제를 만족한다. '닫힌 하나의 루프안의 전압(또는 전위차)의 합은 0이다.' 이는 전자기학 전체에 널리 통용되는 옴의 법칙인 V = IR과 관련이 있다. 키르히호프의 전압 법칙은 전기회로에서 전하량과 에너지 보존을 다루는 이론식 중 하나이다. 2. 저항 측정 실험에서는 디지털 멀티미터(DMM)을 사용하여 저항을 측정하였다. 저항 측정 시 발생할 수 있는 오차 요인으로는 DMM 내부의 저항, 접촉 저항, 도선의 저항, ...2025.05.09
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커패시터의 충방전 실험 결과 보고서2025.05.141. 커패시터 충방전 회로 이 실험에서는 저항과 커패시터로 이루어진 회로에서 커패시터의 충전 및 방전 과정을 관찰하고, 회로의 시간 상수를 구하는 것이 목적입니다. 커패시터가 충전되는 동안 회로에 흐르는 전류는 키르히호프의 법칙을 적용하면 RC 회로의 미분방정식으로 표현할 수 있으며, 이 방정식의 해를 통해 커패시터의 전압 변화와 전류 변화를 구할 수 있습니다. 실험에서는 실제 측정값과 계산값을 비교하여 오차를 확인하고, 커패시터 값 변화에 따른 그래프 변화를 관찰하였습니다. 2. 실험 장치 및 방법 실험에 사용된 장치는 커패시터 ...2025.05.14
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