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페로브스카이트 LED 제작 및 성능 측정 pre-report2025.05.161. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 전도성 고분자의 하나로, 비정질 ITO와 비슷한 전기적 특성을 가지고 있으며 가시광 영역에서 투과도가 우수하고 용액공정이 가능한 장점이 있다. 일반적으로 낮은 전기전도도를 가지고 있지만 가볍고 견고하며 화학적 내구성 등의 장점으로 다양한 투명전극으로 응용되고 있다. 2. 페로브스카이트 소자 페로브스카이트 소자는 페로브스카이트의 광흡수층의 양 쪽으로 electron transport layer과 hole transport layer이 접합된 구조를 가진다. 빛에 의해 생성된 전자와 정공을 각...2025.05.16
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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PN다이오드 에너지밴드2025.05.081. PN 접합 PN 접합이란 반도체 내부에서의 불순물의 종류와 비율에 따라 P형과 N형으로 나뉘게 되는데, 이들을 접합시킨 것이 PN 접합이다. PN 접합은 PN 다이오드로써 쓰이게 되는데, 그 이유는 PN 접합 상태에서 외부 전압 V를 인가하게 되면 한쪽에서는 전류가 잘 흐르지만 다른 쪽에서는 전류가 잘 흐르지 못하는 정류작용이 나타나게 된다. 2. 에너지 밴드 다이어그램 PN 접합 시 에너지 밴드는 P형과 N형의 도핑 농도에 따라 페르미 레벨 EF의 위치가 달라지게 되며, 이에 따라 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하게 된다. 이 ...2025.05.08
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반도체에 대해서2025.01.281. 반도체의 개요 반도체는 도체와 절연체의 중간적인 성질을 가지고 있는 물질로, 전자의 이동이 자유롭지 않지만 외부 조건에 따라 전기 전도성이 변화할 수 있다. 반도체 물질에는 실리콘, 게르마늄 등이 있으며, 이들은 전자와 양공이라는 두 종류의 전하 운반자를 가지고 있다. 반도체의 전기적 특성은 이러한 전하 운반자의 움직임에 의해 결정된다. 2. 도체와 반도체의 구분 기준 도체와 반도체를 구분하는 주요 기준은 전도대와 가전자대 사이의 에너지 간격 크기이다. 에너지 간격이 넓은 물질은 절연체, 중간 정도인 물질은 반도체, 에너지 간...2025.01.28
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Photolithography 예비보고서2025.05.051. 반도체 기본 개념 반도체는 상온에서 전기 전도도가 도체와 부도체 사이인 물질을 말한다. 반도체를 통해 다이오드, 트랜지스터, DRAM, 플래시 메모리와 같은 소자를 만들 수 있게 되었으며 현대 산업의 핵심 물질로 각광받고 있다. 반도체의 종류로는 intrinsic semiconductor(진성반도체)와 extrinsic semiconductor(외인성반도체)가 있으며 extrinsic semiconductor에는 Negative Type과 Positive Type이 있다. 2. 전자 이동도 전기장이 외부에서 가해지면 자유 전자...2025.05.05
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중앙대 전자회로설계실습 결과보고서42025.01.121. MOSFET 소자 특성 측정 이번 실험은 MOSFET의 iD-vGS의 특성곡선을 바탕으로 kn, gm 구하고, 을 변경해가며 나타낸 iD-vGS의 특성곡선을 바탕으로 을 구하는 실험이었다. 이상적인 실험이 진행되었을 경우에는 ≃ 인 전압을 기준으로 전류가 급격하게 증가했을 때는 Triode region을, 전류의 증가량이 작아졌을 때 Saturation region을 확인할 수 있었을 것이다. 이번 실험은 전체적으로 매우 큰 오차율을 보였다. 그 원인으로 DMM의 전류 측정 기능이 제대로 작동하지 않았기 때문이며, 단...2025.01.12
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AMOLED 소자 및 공정실험 캡스톤 디자인2025.05.121. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 core 물질에 EDG가 붙어있는 형태로, 이번 공정에서는 HIL층의 물질로 사용된다. HIL층은 hole이 EML층에 쉽게 주입되기 위해 ITO전극과 일함수 차이가 작아야 한다. HIL은 방출광이 재 흡수되지 않도록 적절한 Band-gap을 필요로 한다. 2. NPB NPB는 이번 공정에서 HTL층의 물질로 사용된다. HTL에 주로 쓰이는 물질들에도 core 물질에 EDG가 붙어있다. HTL은 발광층 계면에서 화합물을 형성하지 않는 재료를 사용해야 한다. 또한 원활한 hole transp...2025.05.12
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체]2022 HW022025.05.031. 반도체 도핑 이 문제에서는 GaAs와 Si 반도체에 도핑된 불순물 농도와 도너, 억셉터 농도, 캐리어 농도 등을 계산하는 문제들이 다루어졌습니다. 도핑된 불순물 농도와 캐리어 농도 간의 관계, 그리고 이를 통해 반도체의 전기적 특성을 분석하는 방법이 설명되어 있습니다. 2. 반도체 페르미 준위 문제 3에서는 반도체 물질(Si, Ge, GaAs)의 페르미 준위가 정확히 밴드갭 중심에 있을 때, 특정 에너지 준위에서 전자가 점유될 확률과 빈 상태가 될 확률을 계산하는 문제가 다루어졌습니다. 이를 통해 반도체 물질의 전자 분포 특성...2025.05.03
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회로이론 11장 연습문제 풀이2025.05.091. 회로이론 회로이론은 전기 및 전자 공학의 기본 개념으로, 전기 회로의 동작 원리와 분석 방법을 다룹니다. 이 자료는 회로이론 11장의 연습문제 풀이를 다루고 있습니다. 연습문제를 통해 회로 분석 기술을 익히고 이해도를 높일 수 있습니다. 2. 전기 회로 분석 이 자료에서는 전기 회로의 다양한 분석 기법을 다루고 있습니다. 옴의 법칙, 키르히호프 법칙, 전압 및 전류 분석 등 회로 이론의 핵심 개념을 적용하여 회로를 분석하는 방법을 설명하고 있습니다. 3. 전압 및 전류 계산 이 자료에서는 전압과 전류의 계산 과정을 자세히 다루...2025.05.09
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금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리2025.01.271. 반도체 재료 Ge / Si Ge은 최초로 반도체에 사용한 물질로 Si보다 캐리어의 mobility가 높아 성질이 우수하지만, 성능이 금방 저하된다. Ge의 산화는 Si보다 빨라 산화로 인해 물질과 성질의 변형으로 오랜 사용이 불가능하므로 외부 요인에 의한 영향이 큰 Ge보다 Si을 사용하기 시작한 것이다. Si은 Ge보다 안정성이 좋아 표면에서 산소와 결합하여 SiO2층을 형성하여 성능이 꾸준히 유지 된다는 점과 흔하다는 장점이 있다. 또한, 전하 운반자 제어가 쉬워 도핑하기가 쉬우며 산소와 질소에 안정적이므로 기판 물질로 잘...2025.01.27
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