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직류회로 예비레포트2025.05.041. 옴의 법칙 옴의 법칙은 일정온도에서 금속도체의 두 점 사이의 전위차와 전류의 비는 일정함을 의미한다. 이 일정한 비를 두 점 사이의 전기저항 R이라고 하며 단위는 Ω이다. 따라서 도체의 양 끝 사이의 전위차가 ΔV이고 전류가 I이면 옴의 법칙은 ΔV = IR 로 나타낼 수 있다. 2. 직렬 연결 직렬 연결에서는 모든 저항체에 같은 전류 I가 흐른다. 또한 직렬로 연결하는 저항의 수가 늘어날수록 합성 저항은 커지며 합성 저항은 각각의 저항보다 크다. 또 한 각 저항에 걸리는 전압의 총합은 전체 전압과 같다. 3. 병렬 연결 병렬...2025.05.04
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전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.05.031. 내부저항이 0인 건전지 내부저항이 0인 건전지는 이론상으로 존재할 수 없기에 0Ω에 가깝게 매우 작지만, 0Ω은 아닐 것이다. 2. DMM을 이용한 전류 측정 1) DMM의 측정 단위를 V로 설정한다. 2) DMM의 빨간 선은 V 단자에, 검은 선은 COM 단자에 연결한다. 3) 10Ω 저항과 PushButton을 직렬로 연결한 후 건전지(6V)에 연결한다. 4) 10Ω 저항에 흐르는 전류를 측정하기 위해 DMM을 병렬로 연결한다. 5) Pushbutton을 눌러 전류가 흐르게 한 후 DMM에 표시된 값을 읽는다. 3. 전력 ...2025.05.03
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.05.021. RC회로의 시정수 측정 이 보고서는 RC회로의 시정수를 측정하는 회로와 방법을 설계하는 것을 다룹니다. 주요 내용은 다음과 같습니다. 1) V와 R의 값을 측정하고 DMM을 저항과 전압에 직렬로 연결하여 전압 V0를 측정한 후 이를 이용해 Rin을 계산합니다. 2) DMM을 전류 측정 모드로 설정하고 스위치를 1번에 연결하면 초기 전류 I가 흐르고, 시간이 지남에 따라 전류 Ic가 감소하는데 이때 Ic가 초기 전류의 36.8%가 되는 시간이 RC 시정수입니다. 3) RC 시정수가 10μs이고 커패시터 용량이 10nF일 때 저항...2025.05.02
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전기및디지털회로실험 실험4 결과보고서2025.01.121. 옴의 법칙 실험을 통해 직류회로에서 옴의 법칙이 성립함을 확인하였다. 전압과 전류를 측정하여 저항값을 계산하였고, 예상값과 실제 측정값 간에 약간의 오차가 있었지만 전반적으로 옴의 법칙이 잘 적용되는 것을 확인할 수 있었다. 전류계 내부의 저항과 기판 상의 물리적인 접촉 요소 등이 오차의 원인으로 작용한 것으로 보인다. 2. 직렬 및 병렬 회로 직렬 회로와 병렬 회로를 구성하여 전압, 전류, 저항 양단 전압을 측정하였다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차율은 비교적 작았으며, 회로의 형태를 변경해도 측정값이 일치하는 것을 확인할...2025.01.12
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금오공대 일반물리학실험2 검류계 보고서2024.12.311. 검류계 검류계는 매우 미소한 전류나 전압을 검출하는 장치입니다. 직류용에는 연속 전류 측정용과 전기량을 측정하는 충격 검류계가 있고 교류용에는 진동시켜 사용하는 진동 검류계가 있습니다. 또한 전류계는 전압이나 전류를 비롯한 여러 아날로그 계측기의 눈금을 읽을 수 있게 해주는 가장 중요한 요소입니다. 검류계의 기본 동작은 자기장 내에서 전류 고리가 토크를 받는다는 사실을 이용한 것입니다. 코일이 받은 토크는 코일을 통과하는 전류에 비례하고, 용수철의 복원력이 고리의 토크와 균형을 이룰 때 고리와 함께 회전하는 바늘이 특정 눈금을...2024.12.31
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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[중앙대학교 2학년 2학기 전기회로설계실습] 예비보고서1 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.04.281. 저항, 전압, 전류의 측정방법 이 실험에서는 Digital Multimeter를 이용하여 저항, 전압, 전류를 측정하는 방법을 익힌다. 고정저항 측정 시 DMM의 사용법과 오차 분포도, 표준편차 등을 확인하고, 병렬 연결 저항의 특성과 가변저항 측정 방법도 다룬다. 또한 4-wire 측정법, 전압 측정, 전류 측정 등 다양한 측정 기법을 학습한다. 2. 전기회로 설계 및 실습 이 실험은 전자회로 설계 및 실습 과목의 일환으로, 회로 설계와 측정 기술을 익히는 것이 목적이다. 저항, 전압, 전류 측정 방법을 익히고, 회로 구성과...2025.04.28
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_결과보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하였습니다. 회로를 구현하고 LED 구동 및 측정을 통해 전압, 전류, 소비전력 등을 분석하였습니다. BJT 회로에서는 약 15%의 오차가 발생했지만, MOSFET 회로에서는 오차가 더 작은 측정값을 얻을 수 있었습니다. 전반적으로 실습이 잘 진행되었다고 볼 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 BJT(Bipol...2025.01.22
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휘스톤브릿지를 이용한 전기저항 측정2025.01.051. 휘스톤 브리지 휘스톤 브리지는 저항을 정밀하게 측정할 수 있도록 만들어진 장치입니다. 이 회로에서 전류는 위와 아래, 두 갈래로 나뉘어 흐르며, 전류계에 전류가 흐르지 않는 상황을 만들어 미지의 저항을 구할 수 있습니다. 이를 위해 옴의 법칙을 이용하여 식 (13-4)를 도출하였고, 저항선의 길이와 비저항을 고려한 식 (13-8)을 통해 미지 저항을 계산할 수 있습니다. 2. 전기저항 측정 이 실험에서는 휘스톤 브리지의 구조와 사용법을 익히고, 미지의 저항체의 전기저항을 측정하는 것이 목적입니다. 실험 과정에서는 미지 저항과 ...2025.01.05
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