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전류원 및 전류거울 실험2025.01.021. 전류원 및 전류거울 이 실험에서는 트랜지스터의 특성을 이용하여 전류원과 전류거울 회로를 구현하고 그 특성을 분석합니다. 전류원 회로에서는 트랜지스터의 베이스-이미터 전압을 조정하여 원하는 DC 전류를 생성하고, 전류거울 회로에서는 두 개의 트랜지스터를 이용하여 기준 전류를 복사하는 방식으로 동일한 전류를 생성합니다. 이를 통해 전류원과 전류거울의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 전류원 및 전류거울 전류원과 전류거울은 전자회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 전류원은 일정한 전류를 공급하는 회로 소자로, 전압...2025.01.02
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중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습 결과보고서6: Common Emitter Amplifier 설계2025.05.141. Common Emitter Amplifier 설계 Common Emitter Amplifier를 설계하였다. 직류 전압에서의 회로에서 Vb, Vc, Ve를 측정한 후 Ic, Ie, Av를 구한 후 simulation 값과 비교하였다. 최대 오차율은 2.27%로 성공적인 실험이었다. 100kHz, 20 mVpp의 주파수를 넣은 실험에서도 같은 과정을 반복하였다. 오차율은 최대 3.21%로 만족스런 실험이었다. 2. BJT 동작 원리 EBJ는 forward bias, CBJ는 reverse bias에 두어 BJT를 active m...2025.05.14
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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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전자회로실험 A+ 5주차 결과보고서(Bipolar Junction Transistor Characterization)2025.05.101. Bipolar Junction Transistor (BJT) BJT는 1948년 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었으며, 최초로 대량 생산된 트랜지스터입니다. BJT의 물리적 특성을 이해하는 것은 그 동작과 응용을 이해하는 데 핵심적입니다. 이 실험에서는 BJT의 4가지 동작 영역을 탐구하고 DC 전류 이득, Early 전압과 같은 특성값을 결정합니다. 실험에 사용된 트랜지스터는 NPN 소자인 2N3904입니다. 2. BJT 동작 영역 분석 실험에서는 VB와 VC를 변화시키면서 IC, β 등을 측정하여 BJT의 동작 영역을 확인했습...2025.05.10
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침입자 경보기 회로 실험2025.04.281. 트랜지스터 트랜지스터를 이용하여 부저까지 전류가 흘러가면 부저가 작동되어 침입자가 들어오는 것을 알 수 있는 회로입니다. 트랜지스터의 베이스와 이미터 간의 전압이 0.6V 정도 되면 컬렉터와 이미터 간의 도통이 되어 전압강하가 0.1V로 낮아지고, 나머지 8.9V의 전압이 부저에 걸려 부저가 울리게 됩니다. 2. 회로 작동 원리 창문의 전선이 끊어졌을 때 트랜지스터의 베이스와 이미터 간의 전압이 0.6V 정도 되면 컬렉터와 이미터 간의 도통이 되어 전압강하가 0.1V로 낮아지고, 나머지 8.9V의 전압이 부저에 걸려 부저가 울...2025.04.28
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실험 07_이미터 팔로워 결과보고서2025.04.281. 이미터 팔로워 증폭기 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. BJT 증폭기 구조 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 이미터 증폭기를 [실험 06]에서 실험하였다. 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중 이미터 팔로워에 대한 실험이다. 3. 이미터 팔로워 회로 분석 실험을 통해 이미터 팔로워 회로의 DC 조건, 입력-출력 전달 특성, ...2025.04.28
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 결과보고서5 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET의 스위치 기능을 이용하여 LED를 on/off시키는 회로를 설계하고 구현하였다. BJT의 경우 emitter에 LED를 연결하거나 inverter 회로를 구성하여 입력 전압에 따라 LED가 켜지고 꺼지는 것을 확인하였다. MOSFET의 경우 triode 영역에서 동작하도록 설계하여 LED를 구동하였고, MOSFET의 커패시터 특성을 이용한 실험도 진행하였다. 실험 결과 이론값과 실측값 사이에 최대 36%의 오차가 발생하였는데, 이는 소자의 특...2025.05.14
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실험 11. 공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성 실험2025.05.111. 공통 이미터 증폭기 회로 공통 이미터 증폭기 회로의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전류 이득, 전압 이득, 위상반전 특성을 이해할 수 있다. 이미터 접지 증폭기에서 교류전원 쪽에서 바라다본 저항은 이미터 다이오드와 병렬로 연결된 바이어스 저항들이며, 베이스 쪽으로 들여다본 저항은 입력 임피던스로 표시된다. 증폭기의 출력 쪽에서 발생되는 현상을 알아보기 위해 테브닌 회로를 구성하여 테브닌 전압과 테브닌 임피던스를 구할 수 있다. 2. 저항비와 전압비 공통 이미터 증폭기에서 저항비와 전압비가 같은 이유는 옴의 법칙에 의해 이미터...2025.05.11
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실험 08_공통 베이스 증폭기 예비보고서2025.04.271. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있으며, 크기는 공통 이미터 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스는 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있...2025.04.27
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중앙대학교 일반물리실험(2) A+, 보고서 점수 1등 - < Ohm의 법칙 & Kirchhoff의 법칙 실험 >2025.05.161. Ohm의 법칙 Ohm의 법칙은 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 설명하는 기본적인 법칙이다. 이 실험에서는 Ohm의 법칙을 검증하기 위해 다양한 저항값에 대한 전압과 전류를 측정하고 그 결과를 분석하였다. 실험 결과 이론값과 실험값의 차이가 0.9~2.5% 정도로 나타났는데, 이는 전압 측정과 저항 설정의 오차로 인한 것으로 보인다. 전류계의 최소 측정 단위 때문에 작은 전류에서 오차가 발생했을 가능성이 있으며, 저항 눈금의 정확도 문제도 오차의 원인으로 지적되었다. 2. Kirchhoff의 법칙 Kirchhoff의 법칙은 전...2025.05.16
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