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Four point probe법을 이용한 유/무기 전극의 전기전도도 측정 (예비)2025.05.121. 전기 전도도 전기 전도도의 의미, 전기 전도도와 고유 저항의 관계를 이해한다. 고유 저항, 저항, 면저항의 차이를 이해한다. 2. 무기 금속과 유기 금속의 차이 무/유기 금속의 차이와 four-point probe법의 기본 원리를 이해한다. 무기금속의 경우 금속 내부의 자유 전자와 외부에서 입사한 광자가 상호작용하여 광택이 나는 반면, 유기 금속의 경우 가시광선 영역의 빛에 대해 높은 광학적 투과도를 가지므로 투명하게 보인다. 3. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 대표적인 전도성 고분자이며 우수한 내열성을 갖고 높은 전기...2025.05.12
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전자회로설계실습 4차 결과보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로설계실습의 4차 실험 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 것입니다. 실험에서는 MOSFET 회로를 제작하고 전압과 전류를 측정하여 iD-vGS 및 iD-vDS 특성곡선을 구하였습니다. 측정 결과를 통해 MOSFET의 문턱전압, 트랜스컨덕턴스, 출력저항 등의 특성을 확인하였습니다. 실험 과정에서 측정 장비의 문제로 인한 오차가 발생하였지만, 전반적인 MOSFET 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFE...2025.05.10
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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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미국의 자국 기업 자재 사용 정책이 한국 기업에 미치는 영향2025.05.041. 미국의 자국 기업 자재 사용 정책 미국이 정부의 반도체 보조금을 받는 기업에 미국에서 생산된 건축 자재를 사용하라고 권고한 것이 드러났다. 이는 미국 경제의 활성화를 위해 해외 원자재의 사용을 금하게 함으로써 자국 기업의 이익을 극대화하려는 것이다. 2. 한국 기업에 미치는 영향 한국 기업들에는 실적 전망이나 재정계획 등의 기업 내부 기밀 정보를 미국에 제출하는 것을 조건으로 달았다. 또한 삼성전자와 SK하이닉스는 반도체지원법이 미국 투자에 있어서 또 다른 걸림돌이 될 것이 확실시 하고 있다. 이는 한국이 중국 공장에 반도체 ...2025.05.04
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수도권에 신규 반도체산업단지를 추가로 짓는 이유2025.05.011. 수도권 내 특별 부지 마련 정부는 수도권 내에 특별 부지를 마련하여 우수 인재 확보가 용이한 지역에 반도체 산업단지를 조성하려 하고 있습니다. 이를 통해 해외로 이전을 고민하는 국내 반도체 대기업과 해외 반도체 장비 업체들의 투자를 유치하고자 합니다. 2. 우리나라의 전략적 가치 제고 미국이 첨단 기술 공급망 재편에 나선 가운데, 핵심 자산인 반도체 생산 기지를 국내에 두어 우리나라의 전략적 가치를 높이고자 합니다. 이를 통해 국가 발전에 기여할 수 있을 것으로 기대됩니다. 1. 수도권 내 특별 부지 마련 수도권 내 특별 부지...2025.05.01
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홍진HJC 기업, 경영전략 분석 및 신경영전략 제안2025.01.161. 홍진HJC 기업 소개 홍진HJC는 1971년 창업한 세계 오토바이 헬멧 시장 점유율 1위 기업입니다. 창업 당시에는 '홍진기업'이라는 이름으로 가죽 옷, 마스크, 토시 등을 제봉하는 봉제업체로 시작했으며, 1974년 헬멧 내장재 납품 업체 서울헬멧을 인수하여 '크라운 헬멧'으로 헬멧 시장에 진출했습니다. 2. 홍진HJC 기업 연혁 홍진HJC는 1971년 창립 이후 지속적으로 성장해왔습니다. 1982년 공장을 이전했고, 1987년 미국 법인을 설립했습니다. 1992년에는 북미 시장 점유율 1위를 달성했으며, 1997년에는 중국에...2025.01.16
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화학공학실험 반도체 및 도체의 전류-전압 특성 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전류-전압 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 순방향 전압을 가해주었을 때 각각 1.1V, 1.3V에서 전류가 급격하게 증가하는 것을 확인하여 다이오드의 문턱전압을 알아낼 수 있었다. 또한 제너 다이오드의 역방향 바이어스에서 항복전압이 -0.8V로 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 2. 옴의 법칙과 저항의 전류-전압 특성 두 번째 실험은 저항...2025.05.10
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반도체 하드마스크 SOH 레포트2025.05.021. SOH (Spin-on Hardmasks) SOH는 패터닝 공정에서 반도체 미세 패턴 구현을 위한 보조재료입니다. gap을 채우고 평탄화를 강화하여 내에칭성을 강화해야하는 특성을 요구합니다. SOH는 반도체 회로 패턴 형성 시 기존의 CVD 방식이 아닌 spin coating 방식으로 막을 형성하는 미세 패턴 형성 재료로, 미세 선폭의 패턴 정확도를 구현합니다. 2. PR MASK와 HARD MASK 비교 미세패턴을 구현하려면 PR MASK의 폭이 점점 줄어들어야 합니다. PR MASK의 가로에 대한 세로의 비율이 특정 값보다...2025.05.02
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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Four-point probe resistivity measurement 예비보고서2025.05.051. 저항 전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 물리량을 저항이라고 하며 전압과 전류의 비로 표현할 수 있다. 또한 전도도의 역수를 비저항이라고 하고 얇은 막의 저항을 나타내는 물리량을 표면저항이라고 한다. 2. 비저항 비저항은 물질의 고유한 값으로, 전자와 양공이 모두 전기전도에 참여하는 물질의 경우 전자 밀도, 양공 밀도, 전자 이동도, 양공 이동도 등으로 표현할 수 있다. 도체와 반도체의 온도에 따른 비저항 변화를 확인할 수 있다. 3. 표면저항 얇은 막의 저항을 나타내는 물리량으로 단위는 ohm/sq이며, 4-point p...2025.05.05
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