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RC,RL,RLC회로의 과도상태와 정상상태2025.05.011. RC,RL,RLC회로의 과도상태 RC,RL,RLC회로에서 전원이 켜질 경우 과도상태가 발생합니다. 인덕터와 커패시터에 에너지가 저장되다가 시간이 지나면 인덕터의 역기전력이 무의미해져 쇼트되고, 커패시터의 분극이 포화상태에 이르러 전기장의 형태로 에너지가 저장되어 회로가 개방됩니다. 따라서 전류가 흐르지 않는 회로가 됩니다. 2. RC,RL,RLC회로의 정상상태 RC,RL,RLC회로에 10V AC가 공급되면 축전기와 인덕터가 교류 전원에 의해 저항의 성질을 가지게 됩니다. 이를 각각 용량리액턴스와 유도리액턴스라고 합니다. 이러한...2025.05.01
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전기회로설계실습 예비보고서122025.05.151. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실습의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통해 이들 소자의 등가회로와 동작 원리를 이해하는 것입니다. 회로에 저항만 연결하면 주파수가 높아짐에 따라 전압이 감소하는데, 이는 기생 커패시터에 의한 전류 흐름 때문입니다. 인덕터와 저항을 연결하면 주파수가 높아짐에 따라 저항 전압이 감소하다가 다시 증가하는데, 이는 인덕터의 기생 커패시터 때문입니다. 커패시터와 저항을 연결하면 주파수가 증가하면서 저항 전압이 증가하다가 감소하는데, 이는 ...2025.05.15
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10주차 결과보고서 RC, RL 및 RLC 회로의 과도상태와 정상상태 실험 보고서2025.05.031. RC 회로 RC 회로에서 저항과 커패시터의 값을 이용하여 시상수를 계산하고, 오실로스코프를 통해 측정한 시상수 값과 비교하였다. 또한 저항과 커패시터를 변경하여 전압 변화 시간 간격의 변화를 관찰하였다. 2. RL 회로 RL 회로에서 계산한 시상수 값과 오실로스코프로 측정한 시상수 값을 비교하였다. 또한 인덕터가 에너지를 자기장 형태로 저장하는 방식에 대해 설명하였다. 3. RLC 회로 RLC 회로에서 계산한 공진주파수와 측정한 공진주파수를 비교하였다. 또한 부족감쇄, 임계감쇄, 과감쇄 등의 개념을 설명하였다. 1. RC 회로...2025.05.03
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전기회로설계 및 실습_설계 실습7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계_결과보고서2025.01.211. 시정수 시정수란 물리량이 시간에 대해 지수적으로 변하여 정상치에 달하는 경우, 정상치의 63.2%에 달할 때까지의 시간을 의미한다. 이것은 응답의 속도를 표현하는 방법이고 시정수의 비교를 통해 속도를 예측할 수 있다. RC회로에서 시정수는 RC로 구할 수 있다. 2. RC회로 RC회로는 저항과 커패시터가 연결되어 있는 기본적인 회로이다. 이 회로에서 시정수는 RC로 구할 수 있다. 실험에서는 RC회로의 시정수를 측정하고 이론값과 비교하였다. 3. 시정수 측정 실험에서는 DMM과 Function generator를 이용하여 RC...2025.01.21
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 회로 공통 소오스 증폭기 회로에서 입력(v_t)은 게이트-소오스 전압(V_GS)이고, 출력(v_o)은 드레인-소오스 전압(V_DS)이다. 게이트-소오스 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력 쪽의 저항 R_D에 의해 전압으로 변환되면서 전압을 증폭시킨다. 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스 증폭기 회로에서 R_1, R_2, R_S는 게이트에 적절한 바이어스 전압을 제공해 MOSFET이 활성 영역(포화 영역)에서 동작하도록 한다. 2. 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성...2025.01.29
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 7. RC 회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.04.291. DMM 내부 저항 측정 DMM의 내부 저항을 측정하기 위한 회로도를 제시하였다. DMM을 DCV 측정 모드로 변경하고 저항 R, Power Supply와 직렬로 연결한 후 Power Supply에서 전압 V를 출력시키고 DMM으로 측정된 값 V'을 이용하여 DMM의 내부 저항 R_DMM을 구할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부 저항과 2.2 μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 측정하는 방법을 제시하였다. 스위치를 사용하여 Power Supply와 DMM을 연결하고 DMM으...2025.04.29
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전기회로설계실습 결과보고서 - RC회로의 시정수 측정2025.05.151. DMM 내부 저항 측정 22M 저항과 DMM을 직렬로 연결하여 DMM에 걸리는 전압을 측정하고, 전압분배 법칙을 사용하여 DMM의 내부 저항을 약 10mohm으로 계산하였다. 높은 저항값을 사용할 때는 DMM의 내부 저항을 고려해야 한다는 것을 알 수 있었다. 2. RC 시정수 측정 2.2uF 커패시터와 DMM을 직렬로 연결하여 RC 시정수를 측정하였다. 이론적으로 예상한 값은 22.21초이지만, 실험 결과 평균 19.5초로 약 12%의 오차가 발생하였다. 오차의 원인은 커패시터의 완전한 방전 실패와 스탑워치 사용의 한계로 인...2025.05.15
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전기회로설계실습 7장 결과보고서2025.01.201. RC회로의 시정수 측정 이번 실험을 통해 RC회로의 동작에 대하여 알아보았다. RC회로를 구성하여 커패시터가 전압을 충,방전 하는데 걸리는 시간을 알아보고 Function generator의 파형을 다르게 하여 커패시터와 저항에 걸리는 전압파형을 관찰하며 커패시터의 전압 충전과 방전 과정을 Oscilloscope를 통해 확인하였다. 이를 통해 커패시터의 역할, 원리, 주기에 따라 RC회로의 응답이 바뀌는 과정을 배웠다. 2. DMM의 내부저항 측정 DMM에 걸리는 전압 1.542V를 통해 계산했을 때, DMM의 내부저항은 10...2025.01.20
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[경희대 A+] 물리학및실험 RLC 임피던스 실험 레포트2025.05.101. 교류회로 교류(alternating current / AC)란 시간에 따라 크기와 방향이 주기적으로 변하는 전류로써 보통 AC로 표시한다. sin wave form 이 가장 일반적이며 사각파나 삼각파 등으로 변형이 가능하다. 전류 흐름의 방향이 일정한 직류와 여러 다른 성질을 갖고 있다. 2. 임피던스 회로의 임피던스impedance Z는 Z = sqrt { R^2 + (X_L - X_C )^2}이 때 R은 저항값, X_{L}는 유도리액턴스, X_{C}는 용량리액턴스이다. 이 식은 옴의 법칙을 적용했을 때 V=IZ 으로 나타내...2025.05.10
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중앙대 전기회로설계실습 12차 예비보고서2025.04.271. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 설계실습 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계 예비보고서에서는 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하는 내용을 다루고 있습니다. 저항의 경우 Function generator와 연결하여 주파수 변화에 따른 저항 값의 변화를 DMM으로 측정하고, 커패시터와 인덕터의 경우 RL 회로와 RC 회로를 구성하여 입력전압과 저항전압의 비와 위상차를 Oscilloscope로 측정하여 고주파 특성을 분석하는 방법을 제시하고 있습니다. 2. 기생 인덕터의 영향 R=10...2025.04.27
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