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테브난의 등가회로 실험2024.12.311. 테브난의 정리 테브난의 정리는 복잡한 회로를 단순화하여 나타낼 수 있는 방법입니다. 회로의 임의의 두 지점을 지정하여 분석하면 전체 회로를 하나의 등가전원과 직렬로 연결된 임피던스로 표현할 수 있습니다. 이를 통해 회로의 물리적 특성을 이해하는 데 도움이 됩니다. 2. 테브난 등가회로 테브난 등가회로는 테브난의 정리를 적용하여 회로를 단순화한 형태입니다. 회로의 구조를 알고 있는 경우 계산을 통해 등가회로를 구할 수 있으며, 회로 구조를 모르는 경우 실험적 측정을 통해 등가회로를 구할 수 있습니다. 등가회로를 통해 회로의 특성...2024.12.31
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전기회로설계실습 예비보고서22025.05.151. 건전지의 내부저항 측정 건전지의 내부저항을 측정하기 위해 10Ω 저항과 Pushbutton을 사용하여 회로를 설계하였다. DMM을 병렬로 연결하여 Pushbutton을 누르면 건전지의 내부저항을 측정할 수 있다. 이론적으로는 0Ω에 가까운 매우 작은 값이 측정될 것으로 예상된다. 2. DC Power Supply의 출력 특성 DC Power Supply의 출력 전압과 전류를 조절하여 부하 저항에 인가하는 실험을 수행하였다. 출력 전압을 1V, 최대 출력 전류를 10mA로 조정하고 10Ω 저항을 연결하면 100mA의 전류가 흐르...2025.05.15
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[중앙대전전][전기회로설계실습][예비보고서]-10.RLC회로의 과도응답 및 정상상태응답2025.05.151. RLC 직렬회로의 과도응답 및 정상상태응답 이 실습에서는 저항, 인덕터, 커패시터로 구성된 RLC 직렬회로의 과도응답과 정상상태응답을 이해하고 실험으로 확인하는 것이 목적입니다. 실습에서는 RLC 회로의 공진주파수, 감쇠상수, 진동주파수 등을 계산하고 입력 신호에 따른 각 소자의 전압 파형을 시뮬레이션하고 측정하는 내용이 포함됩니다. 2. RLC 직렬회로의 공진주파수 및 임계감쇠 저항 계산 RLC 직렬회로에서 공진주파수와 임계감쇠가 되는 저항 값을 계산하는 방법이 설명되어 있습니다. 공진주파수는 인덕터와 커패시터의 값으로 결정...2025.05.15
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축전기의 충전과 방전 보고서2025.01.281. 축전기 충전 및 방전 현상 실험을 통해 축전기의 충전 및 방전 현상이 지수함수 형태로 변화하는 것을 확인하였습니다. 충전 시 전압은 V=V_max(1-e^(-t/tau))의 식을, 방전 시 전압은 V=V_0 e^(-t/tau)의 식을 따르는 것으로 나타났습니다. 또한 시간상수 tau와 반감기 T의 관계식 T=tau ln2가 성립함을 확인하였습니다. 2. 시간상수의 의미 시간상수 tau는 RC회로에서 전압이 변하는 속도를 나타내는 상수입니다. 시간상수가 크면 충전 및 방전 시간이 길어지고, 작으면 시간이 짧아집니다. 따라서 시간...2025.01.28
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저항의 직렬 및 병렬 연결의 공식, 옴의 법칙, 키르히호프의 전압의 법칙, 키르히호프의 전류의 법칙 실험보고서2025.01.151. 옴의 법칙 옴의 법칙은 흐르는 전류는 회로 소자인 저항 양단의 인가된 전압에 비례하고 저항의 크기에 반비례한다는 것을 설명하는 법칙이다. 실험 데이터를 확인하면 저항이 일정할 때 인가된 전압의 크기가 증가함에 따라 전류도 함께 증가함을 확인할 수 있으며 저항의 값과 전류의 값을 곱하면 전압의 크기와 일치하는 것을 확인할 수 있다. 2. 저항의 직렬 연결 직렬 연결된 저항의 전체 저항의 값은 각각의 저항의 값을 더한 결과와 같다. 실험을 통해 멀티미터로 측정한 각각의 저항을 모두 더한 값과 전류와 전압을 통해 계산한 회로의 저항...2025.01.15
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_13 휘트스톤 브리지(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 미지 저항의 크기를, 그 값을 알고 있는 표준저항과 정확하게 비교할 수 있기 때문에 계측 응용에 주로 사용되는 회로이다. 미지 저항값은 주로 스트레인 게이지 같은 변화기를 나타내게 되는데 이것은 자극받으면 저항값이 아주 작게 변한다. 2. 테브낭 정리와 부하저항 테브낭 정리를 사용하여 브리지의 부하저항에 흐르는 전류를 구할 수 있다. 부하저항을 제거하고 전압 원을 단락시켜서 테브낭 저항을 구한다. 이때 전압 원이 단락되면서 저항들이 병렬 연결되는 것을 알 수 있다. 테브낭 전압은 부하가 없을 ...2025.05.13
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A+ 받을 수 있는 중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 4. Thevenin 등가회로 설계2025.05.151. 테브난 등가이론 테브난 등가이론은 복잡한 회로를 한 개의 전압원과 저항으로 나타내어 바깥에 어떤 새로운 저항을 가져와도 쉽게 흐르는 전류와 걸리는 전압을 바로 측정할 수 있도록 한다. 따라서 테브난 등가회로가 실험적으로 맞는지에 대한 이해를 위하여 이번 실험은 중요하다. 2. 원본 회로 측정 그림 1과 같이 회로를 구성하고 RL에 걸리는 전압을 측정하였다. 이를 통해 RL을 통해 흐르는 전류를 계산하였다. 전압, 전류를 기록하였고, 3.1에서 계산한 값과의 오차를 확인하였다. 오차의 이유는 브레드보드의 자체저항, DMM의 저항...2025.05.15
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BJT 바이어스 회로 설계2025.04.301. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 단일 또는 이중 전원공급 장치를 사용하여 구성될 수 있으며, 실험 9의 고정 바이어스보다 향상된 안정도를 제공한다. 이미터 저항에 트랜지스터의 beta를 곱한 값이 베이스 저항보다도 매우 크다면, 이미터 전류는 본질적으로 트랜지스터의 beta와 무관하게 된다. 따라서 적절히 설계된 이미터 바이어스 회로에서 트랜지스터를 교환한다면, IC와 VCE의 변화는 미약할 것이다. 2. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 베이스 저항 RB를 전압원 VCC에 직접 연결하지 않고...2025.04.30
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테브난 정리 실험2025.05.161. 테브난 정리 테브난 정리(Thevenin's Theorem)는 복잡한 회로의 전압/전류를 쉽게 구할 수 있는 방법입니다. 전원이 포함된 회로망을 등가전압과 직렬 연결된 등가저항 형태의 등가회로로 만들 수 있습니다. 이를 위해 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단자로 만들고, 단자 간에 나타나는 전압을 등가전압(VTh)으로, 전원을 제거하고 단자 쪽에서 바라본 저항을 등가저항(RTh)으로 구합니다. 이렇게 구한 VTh와 RTh를 직렬로 연결하여 테브난 등가회로를 만들 수 있습니다. 2. 테브난 정리 실험 이 실...2025.05.16
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