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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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중앙대 전자회로설계실습 결과5.BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 A+2025.01.271. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(Switch)회로 이 프레젠테이션은 중앙대학교 전자회로설계실습 수업의 결과물로, BJT(바이폴라 접합 트랜지스터)와 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터)을 사용한 구동(스위치) 회로를 설계하고 구현한 내용을 다루고 있습니다. 실험 과정에서 LED 구동 회로를 구현하고 측정하였으며, 회로의 동작 특성과 소비 전력 등을 분석하였습니다. 실험 결과에서 약 20%를 넘는 오차율이 발생했는데, 이는 설계 과정에서 사용한 저항값과 실제 실험에서 사용한 저항값의 차이, 다이오드 불량 등...2025.01.27
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[전자공학응용실험] MOSFET 다단 증폭기 예비레포트2025.04.261. MOSFET 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하고자 한다. 다단 증폭기는 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에 사용된다. 실험에서는 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워 증폭기를 연결한 2단 증폭기와 공통 소오스 증폭기 2단과 소오스 팔로워로 구성된 3단 증폭기를 구현하고 특성을 분석한다. 임피던스 매칭이 중요하며, 부하 저항이 작은 경우 출력 임피던스가 작은 소오스 팔로워를 사용하는 것이 유...2025.04.26
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중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서- BJT MOSFET Switch 구동회로2025.05.021. BJT와 MOSFET을 이용한 RTL switch 회로 설계 및 구현 이 보고서의 목적은 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch 회로를 설계하고 구현하는 것입니다. 이를 통해 relay 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정 및 평가하는 것입니다. 준비물로는 Function Generator, Oscilloscope, DC Power Supply, BJT, LED, MOSFET, 저항 등이 필요합니다. 구동회로 측정 시 함수발생기의 전압(Vpp)과 OFFSET을 어떻게 조정해...2025.05.02
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로(실험회로 1)는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자...2025.01.29
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[예비보고서]중앙대학교전자회로설계실습 4주차 MOSFET의 특성측정2025.01.121. MOSFET 특성 측정 이 보고서에서는 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 데이터시트를 이용한 문턱전압(VT)과 전류계수(kn) 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 MOSFET 회로 설계 및 특성 곡선 분석, 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값의 비교 등이 포함되어 있습니다. 이를 통해 MOSFET 소자의 동작 원리와 특성을 이해하고 측정하는 방법을 학습할 수 있습니다. 1. MOSFET 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.12
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[전자공학실험2] MOSFET 증폭기의 주파수 응답2025.04.271. MOSFET 증폭기의 주파수 응답 실험을 통해 MOSFET의 small signal 등가 회로를 사용하여 common source 증폭기의 저주파 및 고주파 차단 특성을 이해하고, common source 증폭기를 구성하여 주파수 응답 특성을 해석하고 측정하였습니다. 실험 결과 저주파 대역에서는 magnitude response가 fitting line보다 조금 높게 나타났는데, 이는 41.8 Hz의 zero frequency를 가지기 때문에 생기는 현상이었습니다. 고주파 대역에서는 fitting line보다 조금 낮게 나타났...2025.04.27
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_결과보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하였습니다. 회로를 구현하고 LED 구동 및 측정을 통해 전압, 전류, 소비전력 등을 분석하였습니다. BJT 회로에서는 약 15%의 오차가 발생했지만, MOSFET 회로에서는 오차가 더 작은 측정값을 얻을 수 있었습니다. 전반적으로 실습이 잘 진행되었다고 볼 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 BJT(Bipol...2025.01.22
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중앙대학교 전자회로설계실습 5주차 MOSFET와 BJT를 사용한 LED 구동회로 설계2025.01.121. BJT를 사용한 LED 구동회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA) LED를 구동하는 회로를 설계하였다. BJT가 saturation 영역에서 동작하도록 βsat, VCE(sat), VBE(sat)를 설정하였고, 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로와 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로를 설계하였다. 각 회로의 소비전력을 계산하였다. 2. MOSFET을 사용한 LED 구동회로 설계 2N7000 MOSFET을 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, I...2025.01.12
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