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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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경북대학교 기초전기전자실험 센서실험보고서 [기계공학부]2025.05.091. 광센서 광센서 실험에서는 투과형 광센서의 투광부와 수광부 사이에서 시편의 변화(아크릴판의 색상변화)에 따른 감지여부를 확인해보았다. 실험결과, 투과형 광센서에서 5가지의 시편 중 흑색아크릴판만 감지가 되었다. 이는 투과형 광센서가 빛의 차단 유무로 물체를 감지하기 때문에, 흑색아크릴판이 투광부의 빛을 모두 흡수하여 수광부로 빛이 도달하지 않았기 때문이다. 2. 근접센서 근접센서 실험에서는 유도형 근접센서에서 6개의 시편을 이용하여 색상과 재질에 따른 센서의 검출특성을 확인해 보았다. 유도형 근접센서는 전자기 유도현상을 이용한 ...2025.05.09
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인천대 현대물리학실험 3. Electron Charge to Mass Ratio 실험 예비보고서2025.05.131. 전자의 질량과 전하량의 비 전자의 질량과 전하량의 비(비전하)는 하전입자의 전하와 질량의 비율을 나타내는 물리량이다. 현재 알려진 정보로 전자의 비전하 값 중 전하량은 약 -1.602 x 10^-19 C이고, 질량은 약 9.109 x 10^-31 kg이다. 이를 통해 계산하면 전자의 비전하는 약 1.758 x 10^11 C/kg이다. 이는 수소 이온(H+)과 전자가 같은 전하량을 가지지만 전자의 질량이 수소의 원자핵에 비해 2,000배가량 낮다는 것을 의미한다. 2. 비전하 측정 방법 이 실험에서는 필라멘트를 가열시킨 뒤 음극...2025.05.13
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아날로그회로실험및설계 Op-Amp 단위이득 팔로우와 비교기 실험 보고서2025.01.241. 연산 증폭기 연산 증폭기는 구현하는 단자가 2개의 지점에서 전류가 나오기 시작하면서 이를 증폭으로 구현하는 소자입니다. 이미터 부분에서 들어오는 전류를 전체적으로 통제하고 효율적으로 증폭을 구현하며, 컬렉터 부분에서 이 전류를 모아 회로적으로 구현할 수 있게 합니다. 따라서 이미터 부분과 컬렉터 부분의 두 지점에서 증폭이 구현되어 연산증폭기라고 정의됩니다. 2. 반전 증폭기 반전 증폭기는 출력 전압이 입력 전압에 비례하지만 부호가 반전되어 나타나는 회로 구조입니다. 이상적인 OP amp를 가정하면, 입력 전압에 따른 출력 전압...2025.01.24
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유도 기전력 결과보고서2025.01.031. 전자기 유도 고리 모양의 도선으로 만들어 코일을 통과하는 자기장이 시간에 따라 변하게 되면 코일에 전류가 유도되는 현상이 전자기 유도이다. 이때 코일을 통과하는 자기 선속의 시간에 따라 변화하는 코일에 유도 기전력을 발생시키기 때문이다. 이때 유도 기전력은 시간에 따른 자기 선속을 나타낸다. 패러데이의 전자기 유도 법칙에 의하면 코일이 통과하는 자기 선속이 시간에 따라 변할 때 코일이 유도 기전력이 생성된다. 또한 실험을 통해서 유도 기전력의 크기는 코일 속을 지나는 자기 선속의 시간에 따른 변화율과 코일의 감은 횟수와 비례한...2025.01.03
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물리학실험- 옴의 법칙2025.05.011. 옴의 법칙 이번 실험을 통해, 전자회로에 쓰이는 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는가를 확인하고 옴의 법칙의 의미를 이해할 수 있었다. 다이오드에 대하여 옴의 법칙이 성립하는가를 확인하고, 옴의 법칙을 확인하기 위한 측정조건을 검토하였다. 2. 탄소 저항 탄소 저항기에서 저항 값을 표시할 때는 색깔 코드를 사용한다. 네 줄로 이루어져 있는데, 왼쪽부터 A~D라 한다. A는 1째 자리에 올 유효숫자, B는 2째 자리에 올 유효숫자, C는 앞의 두 자리숫자 뒤에 붙일 0의 수이고, 마지막으로 D는 허용 오차를 의미한다. 3. 다이오드...2025.05.01
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서강대학교 고급전자회로실험 4주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. 전압분배 회로 실험회로1은 간단한 전압분배 회로로 해석할 수 있다. 직렬 R1C1와 병렬 R2C2에 의해, 전압의 gain은 f < 20kHz일 때는 주파수가 증가함에 따라 같이 증가하다가, 그 이후에는 감소하게 된다. myDAQ의 bode analyzer로 주파수 특성을 측정한 결과, 10Hz < f < 20kHz의 입력 신호에 대해서는 gain이 -50dB에서 -10dB까지 증가하는 모습을 보였다. 이는 PSpice 시뮬레이션의 결과와 경향성이 같다. 100Hz와 20kHz의 입력 신호에 대해서, gain값 또한 각각 -3...2025.01.21
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김영평생교육원 컴퓨터구조 과제2025.01.151. 트리거(Trigger) 트리거란 입력값이 결과에 반영되는 순간을 나타내는 것이며, 입력신호의 순간적인 변화를 말한다. 트리거는 크게 레벨 트리거와 에지 트리거로 나뉜다. 레벨 트리거는 입력값의 전압 레벨에 따라 동작을 트리거하는 방식이며, 에지 트리거는 입력값이 변하는 순간에만 동작하는 방식이다. 2. 플립플롭(Flip-Flop) 플립플롭은 전원이 공급되는 한 상태의 변화를 위한 신호가 발생할 때까지 현재의 상태를 유지하는 논리회로로, 플립플롭 1개 당 1bit의 이진 데이터를 저장할 수 있는 기억 장치이다. 레지스터를 구성하...2025.01.15
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중앙대학교 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 예비보고서 7. 논리함수와 게이트2025.04.291. NAND 게이트 NAND 게이트는 AND 게이트의 출력을 NOT 게이트(inverter)의 입력으로 연결하여 하나의 단위 회로를 구성한 것이다. 진리표와 회로도를 통해 NAND 게이트의 동작을 확인하였다. NAND 게이트가 동작하는 최소 정격 전압을 찾기 위해 입력 전압을 단계적으로 변화시키며 출력을 관찰하였다. 2. NOR 게이트 NOR 게이트는 OR 게이트의 출력을 NOT 게이트(inverter)의 입력으로 연결하여 하나의 단위 회로를 구성한 것이다. 진리표와 회로도를 통해 NOR 게이트의 동작을 확인하였다. 3. XOR ...2025.04.29
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전북대 화공 물리화학2 HW3 & 4 레포트2025.01.171. 전극 전위 전극 전위에 대해 설명하고 있습니다. 전극 전위는 전극 반응의 평형 상태를 나타내는 값으로, 표준 전극 전위와 활동도를 이용하여 계산할 수 있습니다. 이를 통해 금속의 산화 환원 반응을 이해할 수 있습니다. 2. 깁스 자유 에너지 깁스 자유 에너지 변화를 계산하여 전극 반응의 자발성을 판단할 수 있습니다. 깁스 자유 에너지 변화가 음수이면 자발적인 반응이 일어나며, 양수이면 비자발적인 반응입니다. 3. 전지 전위 전지 전위는 전극 전위의 차이로 계산할 수 있습니다. 이를 통해 전지의 성능을 평가할 수 있습니다. 전지...2025.01.17
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